高速超低功率SRAM
256K字×8位
CS18LV20483
概述
该CS18LV20483是一款高性能，高速度和超低功耗CMOS静态
随机存取存储器组织为262144字由8位和来自一个宽范围的操作
2.7到3.6V的电源电压。先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
与0.50uA和最大的典型CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在3.0V操作55 / 70ns的存取时间。容易记忆膨胀被LOW有效提供
芯片使能输入（ / CE1 ， CE2 ）和低电平有效输出使能（ / OE ）和三态输出驱动器。
该CS18LV20483具有自动断电功能，从而降低功率消耗
显著当芯片被取消。该CS18LV20483可在JEDEC标准的32针
sTSOP （ 8x13.4毫米） ，TSOP （ 8x20mm ） ，TSOP （II） （ 400mil ）和SOP （450密耳）的软件包。
.
特点
低工作电压： 2.7 3.6V
超低功耗： 2毫安@ 1MHz的（最大）工作电流
0.50微安（典型值） CMOS待机电流
高速存取时间： 55 / 70ns的（最大）在Vcc = 3.0V 。
自动断电，当芯片被取消。
三态输出与TTL兼容
数据保持电源电压低至1.5V 。
易于扩展与/ CE和/ OE选项。
产品系列
产品系列
操作
温度
VCC。范围
速度快（纳秒），待机（典型值）封装类型
32 SOP
0~70
o
C
0.50微安
（VCC = 3.0V ）
32 STSOP
32 TSOP
32 TSOP （II）的
骰子
32 SOP
-40~85
o
C
0.8微安
（VCC = 3.0V ）
32 STSOP
32 TSOP
32 TSOP （II）的
骰子
2
1.0版
2.7~3.6
55/70
CS18LV20483
2.7~3.6
55/70
晶发保留更改产品或规格，恕不另行通知。
高速超低功率SRAM
256K字×8位
CS18LV20483
引脚说明
TYPE
名字
A0 – A17
输入
地址输入，用于在RAM选择262144 ×8位字中的一个
/ CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须
当从或读出的数据写入到该设备处于活动状态。如果任何一个芯片使能是
/ CE1 ， CE2
输入
不活动的，该设备是取消选择的，并在备用电源关断模式。
DQ管脚将处于高阻态时，该设备是
取消选择。
写使能输入为低电平有效。 IT控制读写
/ WE
输入
操作。与选择的芯片中，当/ WE为高电平和/ OE为低电平时，
输出数据将出现在DQ管脚，当/ WE为低电平时，数据
本上的DQ管脚将被写入到所选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效
/ OE
输入
而芯片选择和写允许处于非活动状态，数据将
目前在DQ引脚，它们将被启用。 DQ管脚将在
成为高阻抗状态时， / OE是不活动的。
DQ0~DQ7
VCC
GND
NC
I / O
动力
动力
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到
RAM中。
电源
地
无连接
功能
真值表
模式
待机
X
产量
残
读
写
L
L
L
/CE1
H
CE2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
高Z
L
H
L
X
高Z
D
OUT
D
IN
I
CC
I
CC
I
CC
I
CCSB
, I
CCSB1
DQ0~7
VCC电流
4
1.0版
晶发保留更改产品或规格，恕不另行通知。
高速超低功率SRAM
256K字×8位
CS18LV20483
等级
-0.5 VCC + 0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
25
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
单位
V
O
O
C
C
W
mA
1.
应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述其他条件，这个业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0~70
o
C
-40~85
o
C
VCC
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
1.过冲：如果脉冲宽度的VCC + 2.0V
≦20ns.
2.冲： - 2.0V的情况下脉冲宽度的
≦20ns.
3.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
DQ
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
5
1.0版
晶发保留更改产品或规格，恕不另行通知。
高速超低功率SRAM
256K字×8位
CS18LV20483
概述
该CS18LV20483是一款高性能，高速度和超低功耗CMOS静态
随机存取存储器组织为262144字由8位和来自一个宽范围的操作
2.7到3.6V的电源电压。先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
与0.50uA和最大的典型CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在3.0V操作55 / 70ns的存取时间。容易记忆膨胀被LOW有效提供
芯片使能输入（ / CE1 ， CE2 ）和低电平有效输出使能（ / OE ）和三态输出驱动器。
该CS18LV20483具有自动断电功能，从而降低功率消耗
显著当芯片被取消。该CS18LV20483可在JEDEC标准的32针
sTSOP （ 8x13.4毫米） ，TSOP （ 8x20mm ） ，TSOP （II） （ 400mil ）和SOP （450密耳）的软件包。
.
特点
低工作电压： 2.7 3.6V
超低功耗： 2毫安@ 1MHz的（最大）工作电流
0.50微安（典型值） CMOS待机电流
高速存取时间： 55 / 70ns的（最大）在Vcc = 3.0V 。
自动断电，当芯片被取消。
三态输出与TTL兼容
数据保持电源电压低至1.5V 。
易于扩展与/ CE和/ OE选项。
产品系列
产品系列
操作
温度
VCC。范围
速度快（纳秒），待机（典型值）封装类型
32 SOP
0~70
o
C
0.50微安
（VCC = 3.0V ）
32 STSOP
32 TSOP
32 TSOP （II）的
骰子
32 SOP
-40~85
o
C
0.8微安
（VCC = 3.0V ）
32 STSOP
32 TSOP
32 TSOP （II）的
骰子
2
1.0版
2.7~3.6
55/70
CS18LV20483
2.7~3.6
55/70
晶发保留更改产品或规格，恕不另行通知。
高速超低功率SRAM
256K字×8位
CS18LV20483
引脚说明
TYPE
名字
A0 – A17
输入
地址输入，用于在RAM选择262144 ×8位字中的一个
/ CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须
当从或读出的数据写入到该设备处于活动状态。如果任何一个芯片使能是
/ CE1 ， CE2
输入
不活动的，该设备是取消选择的，并在备用电源关断模式。
DQ管脚将处于高阻态时，该设备是
取消选择。
写使能输入为低电平有效。 IT控制读写
/ WE
输入
操作。与选择的芯片中，当/ WE为高电平和/ OE为低电平时，
输出数据将出现在DQ管脚，当/ WE为低电平时，数据
本上的DQ管脚将被写入到所选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效
/ OE
输入
而芯片选择和写允许处于非活动状态，数据将
目前在DQ引脚，它们将被启用。 DQ管脚将在
成为高阻抗状态时， / OE是不活动的。
DQ0~DQ7
VCC
GND
NC
I / O
动力
动力
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到
RAM中。
电源
地
无连接
功能
真值表
模式
待机
X
产量
残
读
写
L
L
L
/CE1
H
CE2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
高Z
L
H
L
X
高Z
D
OUT
D
IN
I
CC
I
CC
I
CC
I
CCSB
, I
CCSB1
DQ0~7
VCC电流
4
1.0版
晶发保留更改产品或规格，恕不另行通知。
高速超低功率SRAM
256K字×8位
CS18LV20483
等级
-0.5 VCC + 0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
25
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
单位
V
O
O
C
C
W
mA
1.
应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述其他条件，这个业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0~70
o
C
-40~85
o
C
VCC
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
1.过冲：如果脉冲宽度的VCC + 2.0V
≦20ns.
2.冲： - 2.0V的情况下脉冲宽度的
≦20ns.
3.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
DQ
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
5
1.0版
晶发保留更改产品或规格，恕不另行通知。
QQ：2881677436 复制
