高速超低功率SRAM
128K字×8位
CS18LV10245
描述
该CS18LV10245是一款高性能，高速度，超低功耗CMOS静态
随机存取存储器组织为131072字由8位和来自一个宽范围的操作
4.5至5.5V的电源电压。先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
在5V工作电压55 / 70ns的速度，超低功耗的特点和最大访问时间。易
内存扩展是由一个低电平有效芯片使能（ / CE）和低电平有效输出使能提供
（ / OE ） 。
该CS18LV10245具有自动断电功能，从而降低功率消耗
显著当芯片被取消。该CS18LV10245可在JEDEC标准的32针
sTSOP - 我（ 8x13.4毫米） ， TSOP - 我（ 8x20mm ） ， SOP （ 450万）和PDIP （ 600 mil）的包。
特点
1.
2.
3.
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
超低功耗：
2.0V （分）的数据保留
低工作电压： 4.5 5.5V ; 5毫安@ 1MHz的（最大）工作电流（ VCC = 5.0V ）
4.
5.
待机典型。 =
0.50uA （典型值@ VCC = 5.0V ， TA = 25
0
C)
标准引脚配置
32 - SOP 450mil
32 - sTSOP -I - 8X13.4mm
32 - TSOP -I
8X20mm
32 - PDIP 600mil
产品系列
产品型号
CS18LV10245CC
CS18LV10245DC
CS18LV10245EC
CS18LV10245LC
CS18LV10245CI
CS18LV10245DI
CS18LV10245EI
CS18LV10245LI
注：绿色包装的一部分，不，看订单信息。
版权
2004年3月晶发半导体公司保留所有权利。
.
修订版1.2
P1
-40~85
o
C
0~70 C
o
工作温度VCC。范围速度快（纳秒）
待机（典型值）。
套餐类型
32 SOP
0.50uA
32 STSOP
32 TSOP （I）的
4.5 ~ 5.5
55/70
0.80uA
32 PDIP
32 SOP
32 STSOP
32 TSOP （I）的
32 PDIP
高速超低功率SRAM
128K字×8位
CS18LV10245
功能
引脚说明
名字
A0-A16
地址输入
/ CE
芯片使能输入
CE2
芯片使能输入2
/ WE
写使能输入
这17个地址输入选择在RAM中的131,072 ×8位字中的一个。
/ CE为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须处于活动状态
当数据读取或写入到该设备。如果任一芯片使能不活跃，
取消选择器件并处于待机功率模式。 DQ管脚会
在高阻抗状态时，该设备的选择取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。
与选择的芯片中，当/ WE为高电平和/ OE为低电平时，输出数据将
存在于DQ管脚;时/ WE为低电平时，数据到DQ本
销将被写入到所选择的存储位置。
/ OE
输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效而
芯片选择和写允许处于非活动状态，数据将存在于
DQ引脚，它们将被激活。 DQ管脚将在高阻抗
状态时， / OE是无效的。
DQ0-DQ7
数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入
内存。
电源
地
真值表
模式
不
选
产量
残
读
写
/ WE
X
X
H
H
L
/ CE
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
/ OE
X
X
H
L
X
DQ0~7
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
版权
2004年3月晶发半导体公司保留所有权利。
.
修订版1.2
P3
高速超低功率SRAM
128K字×8位
CS18LV10245
等级
-0.5 VCC + 0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
单位
V
O
O
C
C
W
mA
应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的业务部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0~70
o
C
-40~85
o
C
VCC
4.5V ~5.5V
4.5V ~ 5.5V
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
DQ
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
1.
此参数是保证，而不是测试。
版权
2004年3月晶发半导体公司保留所有权利。
.
修订版1.2
P4
高速超低功率SRAM
128K字×8位
CS18LV10245
（ TA = 0 + 70℃ ）
o
DC电气特性
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流V
CC
=最大，V
IN
= 0至V
CC
输出漏
当前
输出低电压
V
CC
= MAX ， / CE = V
IN
或
/ OE = V
IN
, V
IO
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，我
OL
= 2毫安
V
CC
=分钟，我
OH
= -1mA
导通测试
民
-0.5
典型值
(1)
最大
0.8
单位
V
2.0
Vcc+0.2
V
1
1
uA
uA
0.4
V
输出高电压
工作电源
电源电流
备用电源 - TTL
待机电流
-CMOS
2.4
35
V
mA
/ CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安中，f = F
MAX(3)
/ CE = V
IH
, I
DQ
=0mA,
/ CE = V
CC
-0.2V, V
IN
≧
V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
o
2
0.3
10
mA
uA
1.典型的特点是在TA = 25℃。
2.这是相对于设备的接地由于系统或测试器绝对值和所有过冲
包括通知。
3.
的fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0至+70
o
C )
参数
名字
V
RD
I
CCDR
T
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
导通测试
/ CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
/ CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
民
1.5
典型值
(1)
最大单位
V
0.2
2.0
uA
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
o
见保留波形
0
t
RC （2）
ns
ns
1. VCC = 3.0V ， TA = + 25℃ 2吨
RC
=读周期时间。
版权
2004年3月晶发半导体公司保留所有权利。
.
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P5
高速超低功率SRAM
128K字×8位
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描述
该CS18LV10245是一款高性能，高速度，超低功耗CMOS静态
随机存取存储器组织为131072字由8位和来自一个宽范围的操作
4.5至5.5V的电源电压。先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
在5V工作电压55 / 70ns的速度，超低功耗的特点和最大访问时间。易
内存扩展是由一个低电平有效芯片使能（ / CE）和低电平有效输出使能提供
（ / OE ） 。
该CS18LV10245具有自动断电功能，从而降低功率消耗
显著当芯片被取消。该CS18LV10245可在JEDEC标准的32针
sTSOP - 我（ 8x13.4毫米） ， TSOP - 我（ 8x20mm ） ， SOP （ 450万）和PDIP （ 600 mil）的包。
特点
1.
2.
3.
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
超低功耗：
2.0V （分）的数据保留
低工作电压： 4.5 5.5V ; 5毫安@ 1MHz的（最大）工作电流（ VCC = 5.0V ）
4.
5.
待机典型。 =
0.50uA （典型值@ VCC = 5.0V ， TA = 25
0
C)
标准引脚配置
32 - SOP 450mil
32 - sTSOP -I - 8X13.4mm
32 - TSOP -I
8X20mm
32 - PDIP 600mil
产品系列
产品型号
CS18LV10245CC
CS18LV10245DC
CS18LV10245EC
CS18LV10245LC
CS18LV10245CI
CS18LV10245DI
CS18LV10245EI
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版权
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P1
-40~85
o
C
0~70 C
o
工作温度VCC。范围速度快（纳秒）
待机（典型值）。
套餐类型
32 SOP
0.50uA
32 STSOP
32 TSOP （I）的
4.5 ~ 5.5
55/70
0.80uA
32 PDIP
32 SOP
32 STSOP
32 TSOP （I）的
32 PDIP
高速超低功率SRAM
128K字×8位
CS18LV10245
功能
引脚说明
名字
A0-A16
地址输入
/ CE
芯片使能输入
CE2
芯片使能输入2
/ WE
写使能输入
这17个地址输入选择在RAM中的131,072 ×8位字中的一个。
/ CE为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须处于活动状态
当数据读取或写入到该设备。如果任一芯片使能不活跃，
取消选择器件并处于待机功率模式。 DQ管脚会
在高阻抗状态时，该设备的选择取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。
与选择的芯片中，当/ WE为高电平和/ OE为低电平时，输出数据将
存在于DQ管脚;时/ WE为低电平时，数据到DQ本
销将被写入到所选择的存储位置。
/ OE
输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效而
芯片选择和写允许处于非活动状态，数据将存在于
DQ引脚，它们将被激活。 DQ管脚将在高阻抗
状态时， / OE是无效的。
DQ0-DQ7
数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入
内存。
电源
地
真值表
模式
不
选
产量
残
读
写
/ WE
X
X
H
H
L
/ CE
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
/ OE
X
X
H
L
X
DQ0~7
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
版权
2004年3月晶发半导体公司保留所有权利。
.
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P3
高速超低功率SRAM
128K字×8位
CS18LV10245
等级
-0.5 VCC + 0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
单位
V
O
O
C
C
W
mA
应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的业务部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0~70
o
C
-40~85
o
C
VCC
4.5V ~5.5V
4.5V ~ 5.5V
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
DQ
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
1.
此参数是保证，而不是测试。
版权
2004年3月晶发半导体公司保留所有权利。
.
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高速超低功率SRAM
128K字×8位
CS18LV10245
（ TA = 0 + 70℃ ）
o
DC电气特性
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流V
CC
=最大，V
IN
= 0至V
CC
输出漏
当前
输出低电压
V
CC
= MAX ， / CE = V
IN
或
/ OE = V
IN
, V
IO
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，我
OL
= 2毫安
V
CC
=分钟，我
OH
= -1mA
导通测试
民
-0.5
典型值
(1)
最大
0.8
单位
V
2.0
Vcc+0.2
V
1
1
uA
uA
0.4
V
输出高电压
工作电源
电源电流
备用电源 - TTL
待机电流
-CMOS
2.4
35
V
mA
/ CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安中，f = F
MAX(3)
/ CE = V
IH
, I
DQ
=0mA,
/ CE = V
CC
-0.2V, V
IN
≧
V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
o
2
0.3
10
mA
uA
1.典型的特点是在TA = 25℃。
2.这是相对于设备的接地由于系统或测试器绝对值和所有过冲
包括通知。
3.
的fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0至+70
o
C )
参数
名字
V
RD
I
CCDR
T
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
导通测试
/ CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
/ CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
民
1.5
典型值
(1)
最大单位
V
0.2
2.0
uA
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
o
见保留波形
0
t
RC （2）
ns
ns
1. VCC = 3.0V ， TA = + 25℃ 2吨
RC
=读周期时间。
版权
2004年3月晶发半导体公司保留所有权利。
.
修订版1.2
P5
QQ：2880707522 复制
