CS1087
真空荧光
显示管驱动器
VFD驱动器是驱动微处理器接口IC
复VF （真空荧光）显示管。它包括一个
32位的移位寄存器， 32位的数据透明锁存器，一个金属掩模
ROM ， 6 20毫安阳极输出驱动器， 23 2毫安阳极
输出驱动器，以及三个50毫安电网司机与输出使能。
特点
上电复位
显示可能的调光
三， 50毫安电网司机
阳极选项 - DIP- 40和法学专业证书， 44 ：
–
6 @ 20毫安
–
23 @ 2毫安
阳极选项 - SO- 28L ：
–
3 @ 20毫安
–
15 @ 2毫安
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40
1
DIP–40
宽体
SUF科幻X
CASE 711
PLCC–44
FN后缀
CASE 777
28
芯片选择
V
IGN
12 V
时钟
SO–28L
DW后缀
CASE 751F
1
订购信息*
数据输出
SPI功能
调节器
5V
GND
设备
CS1087XN40
包
DIP–40
宽体
PLCC–44
PLCC–44
SO–28L
SO–28L
航运
9单位/铁
23单位/铁
500带卷&
27单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
阳极
1:29
0.1
F
V
CC
P
PORT
PORT
PORT
接地端口
V
BB
长丝
VFD
GRID1GRID2 GRID3 GND
CS1087XFN44
CS1087XFNR44
CS1087XDW28
CS1087XDWR28
V
BAT
CS1087
D
OUT
D
IN
GRID1
CLK GRID2
STB GRID3
GREN
GND
*对于更多的封装选择，请咨询当地
安森美半导体销售处。
器件标识信息
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册第7页。
图1.应用框图
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年8月 - 11牧师
出版订单号：
CS1087/D
CS1087
最大额定值*
参数
电源电压（V
BB
)
输入电压（D
IN
， CLK ， STB ， GREN ）
结温范围
存储温度范围
ESD敏感性（人体模型）
ESD敏感度（机器型号）
封装热阻， DIP- 40
结到外壳，R
θJC
结到环境，R
θJA
封装热阻， PLCC- 44
结到外壳，R
θJC
结到环境，R
θJA
封装热阻， SO- 28L
结到外壳，R
θJC
结到环境，R
θJA
焊接温度焊接：
1。10第二最大值。
第二个最大以上183℃ 2。 60 。
*最大包装功耗必须遵守。
波峰焊（通孔样式只）注1
回流焊（ SMD风格只）注2
价值
-0.6至+18
-0.6到+6.0
-40到+150
-55到+150
2.0
200
20
45
16
55
15
75
260峰
230峰
单位
V
V
°C
°C
kV
V
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(8.0 V
≤
V
BB
≤
16.5 V ， GND = 0 V ， -40°C
≤
T
J
≤
105 ℃;除非另有说明。注3 ）
参数
V
BB
输入
V
BB
输入电压
I
BB0
当前
复位模式
D
IN
， CLK ， STB输入
V
IL1
，输入低电压
V
IH
，输入高电压
I
IL
，输入电流
GREN输入
V
IL
，输入低电压
V
IH
，输入高电压
I
IH
，输入下拉电流
GRID1 ， GRID2 ， GRID3输出
I
OL
I
OH
V
OL
V
OH
灌电流
源出电流
I
OUT
= 1.0毫安
I
OUT
= -50毫安，V
BB
= 12 V
1.0
50
–
V
BB
– 0.75
–
–
–
–
–
–
0.5
V
BB
mA
mA
V
V
V
IN
= 3.325 V
–
–
–
3.3
–
–
–
30
1.6
–
60
V
V
A
V
IN
= V
IH
–
–
–
3.3
–
–
–
7.5
1.6
–
20.0
V
V
A
–
没有输出活跃，V
BB
= 16.5 V
所有输出被拉低。
8.0
–
–
–
2.0
6.5
16.5
5.0
7.5
V
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
3.旨在满足这些特性在规定的电压和温度范围内，虽然可能不是100％的参测试
在生产。
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2
CS1087
电气特性（续）
(8.0 V
≤
V
BB
≤
16.5 V ， GND = 0 V ， -40°C
≤
T
J
≤
105 ℃;除非另有说明。
注4 ）
参数
AN24 - AN29输出
I
OL
I
OH
V
OL
V
OH
AN1 - AN23输出
I
OL
I
OH
V
OL
V
OH
D
OUT
产量
I
OL
I
OH
V
OL
V
OH
灌电流
源出电流
I
OUT
= 1.0毫安
I
OUT
= -1.0毫安
1.0
1.0
–
3.9
–
–
–
–
–
–
0.5
5.1
mA
mA
V
V
灌电流
源出电流
I
OUT
= 100
A
I
OUT
= -2.0毫安，V
BB
= 12 V
100
2.0
–
V
BB
– 0.5
–
–
–
–
–
–
0.5
V
BB
A
mA
V
V
灌电流
源出电流
I
OUT
= 400
A
I
OUT
= -20毫安，V
BB
= 12 V
400
20
–
V
BB
– 0.5
–
–
–
–
–
–
0.5
V
BB
A
mA
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
AC特点：输入和输出时序
F
C
， CLK频率
T
CL
， CLK低电平时间
T
CH
， CLK高电平时间
T
CR
， CLK上升时间
T
CF
， CLK下降时间
T
CD
， CLK低到D
OUT
传播延迟
T
SC
， STB低到CLK高电平时间
T
ST
， STB高电平时间
T
AN
， STB高到阳极输出
传播延迟
T
GL
，电网接通传播延迟
T
G0
，电网关闭传播延迟
T
GR
，格上升时间
T
GF
，格下降时间
T
AR
，阳极上升时间
T
AF
，阳极下降时间
V
BB
= 12 V
V
BB
= 12 V
在额定负载。注5 。
在额定负载。注5 。
在额定负载。注5 。
在额定负载。注5 。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0
200
200
–
–
–
50
500
–
–
–
0.50
0.35
0.40
0.40
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1.0
–
–
100
100
200
–
–
5.0
2.0
5.0
2.00
2.00
2.00
2.50
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
s
s
s
4.旨在满足这些特性在规定的电压和温度范围内，虽然可能不是100 ％参测试
在生产。
5.栅格和阳极上升/下降时间是从10 ％和90％点处测量。输出电流是在最大额定电流为
各阶段。
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3
CS1087
GRID1 GRID2 GRID3
AN1
AN2
AN3
AN23
AN24
AN25
AN26
AN27
AN28
AN29
V
BB
V
REG
POR
GND
V
REG
V
REG
GREN
V
REG
金属掩膜ROM
机顶盒
Q
V
REG
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
V
REG
D
IN
Q
CLK
V
REG
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
Q
CLK
R
D
OUT
CLK
输出驱动能力
电网输出： 50毫安
AN24 - AN29 ： 20毫安
AN1 - AN23 ： 2.0毫安
图2.框图
操作说明
上电时的初始应用程序，上电复位电源
功能将导致所有的阳极和栅极驱动器输出
处于关闭状态和所有的移位寄存器的输出被设置为低。数据
送入移位通过D注册
IN
引脚在上升
CLK输入的边缘。三十二比特的数据能够
被存储在移位寄存器中。一旦所需的图案是
存储在移位寄存器中，它可以被转移到锁存
通过设置STB投入高。每个锁存器的输出
驱动其相应的输出级。逻辑高电平输入
移位寄存器/锁存器将导致相应的输出
开启。一个逻辑低电平输入移位寄存器/锁存器
引起相应的输出熄灭。请注意
如果STB被保持为高电平时，锁存器的输出反映了
相应的移位寄存器的输出位和意志
改变，如果数据被移入。
三个网格输出由GREN输入选通。
当GREN低， GRID输出被强制低
不管相应的锁存器输出的状态。
当GREN为高时，网格输出对应于
各自的锁存器输出状态。阳极输出，
AN1到AN29始终处于启用状态。
对D
OUT
销是移位的最后级的输出端
注册允许该IC与其它串行级联
设备。从移位寄存器的最后一级的数据是
提供给D
OUT
销延迟1/2 CLK的周期。数据
对D
OUT
与CLK的下降沿输出变化
为了防止CLK之间的逻辑比赛条件
D
IN
在串行链中的下一集成电路。
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5
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