富士通微电子
数据表
DS06-20210-3Ea
半定制
CMOS
标准电池
CS101系列
■
描述
CS101系列， 90纳米标准单元产品，是一款CMOS ASIC满足用户的需求，以实现低功耗
消耗和更高的速度。的晶体管的漏电流是在行业的最低水平。三
类型的核心晶体管具有不同的阈值电压，可根据用户的应用进行混合。
设计规则相匹配的行业标准和宽范围内的IP宏可供使用。
除了提供最多91万门，一体化的实现了约两倍的水平
以往的产品，每个门的功率消耗大约一半也降低到2.7纳瓦。另外，使用高
库速度提高了速度约为1.3倍，为12 ps的门延迟时间。
■
特点
技术
： 90纳米硅栅CMOS
610的金属层。
低K值（低介电常数）材料用于所有电介质间层。
三种不同类型的核心晶体管（低泄漏，标准，和高速）
可用于在同一芯片上。
设计规则符合行业标准的过程。
电源电压
:
+
0.9 V至
+
1.3 V（支持范围广。 ）
工作结温：
40
°C
to
+
125
°C
（标准）
门延迟时间
： TPD
=
12 PS（ 1.2 V，逆变器，女/ O
=
1)
门功耗
： 2.7净重/门（ 1.2 V， 2 NAND ，女/ O
=
1 ，开工率0.5 ） ，
1.8净重/门（ 1.0 V， 2 NAND ，女/ O
=
1 ，开工率0.5 ）
高集成度
：高达91万门
降低芯片大小的由I / O焊盘与实现。
两种类型的库集的支持。 （聚焦性能（ 1.2 V） ，低功耗的支持
（0.9 V至1.3 V））处理
低功耗设计（多电源设计和功率门控）的支持。
符合行业标准的设计规则使非富士通微电子商用宏
可以很容易地整合。
编译单元（ RAM，ROM等）
支持超高速（高达10 Gbps ）接口宏。
（续）
版权所有 2003-2008富士通微电子有限公司保留所有权利。
2007.11
CS101系列
（续）
特殊接口（ LVDS ， SSTL2 ，其他）
支持使用行业标准库（ .LIB ） 。
使用工业标准的工具和支持的最佳工具应用程序。
使用物理原型工具短期发展
使用物理综合工具一阶段设计
分层的设计环境，配套的大型电路
支持信号完整性， EMI降噪
支持静态时序签核
最佳包装范围： FBGA ， FC- BGA ， PBGA ， TEBGA
注：在开发的项目也包括在内。
■
宏库（包括那些准备中）
1.逻辑单元（约400种）
提供了具有三种不同类型的核心晶体管具有不同的阈值的单元。
加法器
和
与或
与或逆变器
卜FF器
时钟缓冲器
解码器
延迟缓冲器
ENOR
EOR
逆变器
LATCH
NAND
NOR
OR
OR -AND
OR-和变频器
扫描触发触发器
非扫描。触发器
选择器
OTHERS
2. IP宏
符合推荐的行业标准STARC （半导体技术的设计规则
学术研究中心）的建议，这意味着广泛的商用IP宏
都可以使用。
ARM内核（ ARM7TDMI -S / ARM946E -S / ARM1176JZF -S ） ，
CPU / DSP
FR71E内核，外设IP
混合信号宏
编译宏
PLL
ADC ， DAC ，运算放大器，其他
RAM（ 1端口2端口） ，ROM，乘积和运算，更为
模拟PLL
3.特殊的I / O接口宏
接口宏（ PHY ）
接口宏（控制器）
LVDS ， SSTL2 ， SSTL18 ， PCI ，我
2
C
USB2.0设备/主机，串行ATA ， PCI - Express的， DDR2 ， HDMI ，其他
2
CS101系列
■
编译CELL
编译的电池是将自动与指定的位/字配置生成宏小区。该
CS101系列编制单元的以下几种类型。 （请注意，每个宏字/位范围不同
这取决于色谱柱的类型。 ）
1.
时钟同步单口RAM（ 1地址： 1读/写）
列类型
4
8
16
内存容量（位）
16至144
32 576
64至576
字范围（字）
16至1K的
32 8K的
64至16 Kb
位范围（位）
1至144
1至72
1至36
2.时钟同步双端口RAM（地址2 ： 2的读/写）
列类型（位）
4
16
内存容量（位）
16至144
64至144
字范围（字）
8至1K的
32 4K的
位范围（位）
2 144
2至36
3.时钟同步ROM
列类型
16
64
内存容量（位）
256 4米
1 K至4米
字范围（字）
128到16 Kb
512到64千
位范围（位）
2至256
2至64
4.时钟同步寄存器文件（地址2 ： 1的读，写1 ）
列类型
1
内存容量（位）
8至18
字范围（字）
4 128
位范围（位）
2 144
5.时钟同步寄存器文件（地址4 ：2的读，写2 ）
列类型
1
内存容量（位）
8至18
字范围（字）
4 128
位范围（位）
2 144
■
大容量存储器
时钟同步单口RAM（ 1地址： 1读/写）
列类型
内存容量（位）
字范围（字）
16
64千至9米
8 K至64千
位范围（位）
8至144
3
CS101系列
■
绝对最大额定值
等级
民
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
55
40
最大
+
1.8
+
2.5
+
3.6
+
4.6
V
DDE
+
0.5 (
≤
2.5)
V
DDE
+
0.5 (
≤
3.6)
V
DDE
+
0.5 (
≤
4.6)
V
DDE
+
0.5 (
≤
2.5)
V
DDE
+
0.5 (
≤
3.6)
V
DDE
+
0.5 (
≤
4.6)
+
125
+
125
*4
*4
参数
符号
应用
V
DDI
（内部）
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
mA
mA
电源电压
V
DD
V
DDE
（外部1.8 V ）
V
DDE
（ 2.5 V外部）
V
DDE
（外部3.3 V ）
1.8 V
输入电压*
1
V
I
2.5 V
3.3 V
1.8 V
输出电压
储存温度
工作结
温度
电源引脚
目前*
2
输出电流*
3
V
O
T
英镑
T
J
I
D
I
O
2.5 V
3.3 V
塑料包装
每V
DDI
, V
DDE
V
SS
针
* 1：值变化取决于宏的类型。
* 2：最大电源电流，可以稳定地流过。
* 3：最大输出电流，可以稳定地流过。
* 4 ：请联系您的富士通微电子代表了解详情。
注： V
SS
=
0 V
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
4
富士通半导体
数据表
DS06-20210-2E
半定制
CMOS
标准电池
CS101系列
■
描述
CS101系列， 90纳米标准单元产品，是一款CMOS ASIC满足用户的需求，以实现低功耗
消耗和更高的速度。的晶体管的漏电流是在行业的最低水平。三
类型的核心晶体管具有不同的阈值电压，可根据用户的应用进行混合。
设计规则相匹配的行业标准和宽范围内的IP宏可供使用。
以及提供最大为100万门，集成在达到大约两倍的电平
以往的产品，每个门的功率消耗大约一半也降低到2.7纳瓦。另外，使用高
库速度提高了速度约为1.3倍，为12 ps的门延迟时间。
■
特点
技术
： 90纳米硅栅CMOS
7至10的金属层。
低K值（低介电常数）材料用于所有电介质间层。
三种不同类型的核心晶体管（低泄漏，标准，和高速）
可用于在同一芯片上。
设计规则符合行业标准的过程。
电源电压
:
+1.2
V
±
0.1 V（标准）
工作结温：
40
°C
to
+
125
°C
（标准）
门延迟时间
： TPD
=
12 PS（ 1.2 V，逆变器，女/ O
=
1)
门功耗
：钯
=
2.7净重/兆赫/ BC （ 1.2 V， 2 NAND ，女/ O
=
1)
高集成度
：高达91万门
降低芯片大小的由I / O焊盘与实现。
为广泛的细胞集支持（从低功率的版本，以超高速的版本） 。
符合行业标准的设计规则使非富士通商用宏可以很容易地其纳入
额定。
编译单元（ RAM，ROM等）
支持超高速（高达10 Gbps ）接口宏。
特殊的接口（ LVDS ， SSTL2等）
支持利用工业标准库（ .LIB ） 。
使用工业标准工具和支持的最佳工具的应用程序。
（续）
CS101系列
（续）
使用物理原型工具短期发展
使用物理综合工具一阶段设计
分层的设计环境，配套的大型电路
支持信号完整性， EMI降噪
支持静态时序签核
最佳包装范围： FBGA ， FC- BGA ， PBGA ， TEBGA
■
宏库（包括那些准备中）
1.逻辑单元（约400种）
提供了具有三种不同类型的核心晶体管具有不同的阈值的库集。
加法器
和
与或
与或逆变器
卜FF器
时钟缓冲器
解码器
延迟缓冲器
ENOR
EOR
逆变器
LATCH
NAND
NOR
OR
OR -AND
OR-和变频器
扫描触发触发器
非扫描。触发器
选择器
OTHERS
2. IP宏
符合推荐的行业标准STARC （半导体技术的设计规则
学术研究中心）的建议，这意味着广泛的商用IP宏
都可以使用。
富士通计划提供以下宏。
ARM9
CPU / DSP
DSP的通信， AV，以及类似的应用，其它的
多媒体处理宏JPEG ， MPEG ，其他
混合信号宏
编译宏
PLL
ADC ， DAC ，运算放大器，其他
RAM（ 1端口2端口） ，ROM，乘积和运算，更为
模拟PLL
3.特殊的I / O接口宏
接口宏
快速I / F的宏
LVDS ， SSTL2 ， HSTL ， GTL ，其他
6 Gbps的I / F ， 10 Gbps的I / F ，其他
2
CS101系列
■
编译CELL
编译的电池是将自动与指定的位/字配置生成宏小区。该
CS101系列编制单元的以下几种类型。 （请注意，每个宏字/位范围不同
这取决于色谱柱的类型。 ）
1.
时钟同步单口RAM（ 1地址： 1读/写）
列类型
4
8
16
内存容量（位）
16至144
32 576
64至576
字范围（字）
16至1K的
32 8K的
64至16 Kb
位范围（位）
1至144
1至72
1至36
2.时钟同步双端口RAM（地址2 ： 2的读/写）
列类型（位）
4
16
内存容量（位）
16至144
64至144
字范围（字）
8至1K的
32 4K的
位范围（位）
2 144
2至36
3.时钟同步ROM
列类型
16
64
内存容量（位）
256 4米
1 K至4米
字范围（字）
128到16 Kb
512到64千
位范围（位）
2至256
2至64
4.时钟同步寄存器文件（地址2 ： 1的读，写1 ）
列类型
1
内存容量（位）
8至18
字范围（字）
4 128
位范围（位）
2 144
5.时钟同步寄存器文件（地址4 ：2的读，写2 ）
列类型
1
内存容量（位）
8至18
字范围（字）
4 128
位范围（位）
2 144
■
大容量存储器
时钟同步单口RAM（ 1地址： 1读/写）
列类型
内存容量（位）
字范围（字）
16
64千至9米
8 K至64千
位范围（位）
8至144
3
CS101系列
■
绝对最大额定值
等级
民
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
55
40
最大
+
1.8
+
3.6
+
4.6
VDDI
+
0.5 (
≤
1.8)
VDDE
+
0.5 (
≤
3.6)
VDDE
+
0.5 (
≤
4.6)
VDDI
+
0.5 (
≤
1.8)
VDDE
+
0.5 (
≤
3.6)
VDDE
+
0.5 (
≤
4.6)
+
125
+
125
*4
*4
参数
符号
应用
VDDI （内部）
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
mA
mA
电源电压
VDD
VDDE （ 2.5 V外部）
VDDE （外部3.3 V ）
1.2 V
输入电压*
1
VI
2.5 V
3.3 V
1.2 V
输出电压
储存温度
工作结
温度
电源引脚
目前*
2
输出电流*
3
VO
TSTG
Tj
ID
IO
2.5 V
3.3 V
塑料包装
每VDD ， VDDI ， VDDE
VSS引脚
* 1：值变化取决于宏的类型。
* 2：最大电源电流，可以稳定地流过。
* 3：最大输出电流，可以稳定地流过。
* 4 ：请联系您的富士通代表了解详情。
注： VSS
=
0 V
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
4
CS101系列
■
推荐工作条件
单电源（ VDD
=
1.2 V
±
0.1 V)
价值
民
1.1
VDD
×
0.7
0.3
40
典型值
1.2
最大
1.3
VDD
+
0.3
VDD
×
0.3
+
125
（ VSS
=
0 V)
单位
V
V
V
°C
（ VSS
=
0 V)
价值
民
2.3
1.1
1.7
VDDI
×
0.7
0.3
0.3
40
典型值
2.5
1.2
最大
2.7
1.3
VDDE
+
0.3
VDDI
+
0.3
+
0.7
VDDI
×
0.3
+
125
单位
V
V
V
V
V
V
°C
（ VSS
=
0 V)
价值
民
3.0
1.1
2.0
VDDI
×
0.7
0.3
0.3
40
典型值
3.3
1.2
最大
3.6
1.3
VDDE
+
0.3
VDDI
+
0.3
+
0.8
VDDI
×
0.3
+
125
单位
V
V
V
V
V
V
°C
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作结
温度
符号
VDD
VIH
VIL
Tj
双电源（ VDDE
=
2.5 V
±
0.2 V ， VDDI
=
1.2 V
±
0.1 V)
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
2.5 V
1.2 V
2.5 V CMOS电平
1.2 V CMOS电平
2.5 V CMOS电平
1.2 V CMOS电平
符号
VDDE
VDDI
VIH
VIL
Tj
工作结温
双电源（ VDDE
=
3.3 V
±
0.3 V ， VDDI
=
1.2 V
±
0.1 V)
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
3.3 V
1.2 V
3.3 V CMOS电平
1.2 V CMOS电平
3.3 V CMOS电平
1.2 V CMOS电平
符号
VDDE
VDDI
VIH
VIL
Tj
工作结温
警告：在推荐的工作条件是必需的，以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其
富士通的代表事前。
5
QQ：2881677436 复制
