SiC403
Vishay Siliconix公司
microBUCK
SiC403
6 A， 28 V集成降压稳压器，具有可编程LDO
描述
在日前，Vishay Siliconix的SiC403是一种先进的单机
同步降压型稳压器具有集成功率
MOSFET时，自举开关，并在一个可编程的LDO
节省空间的MLPQ 5× 5 - 32引脚封装。
该SiC403能够与全瓷解决方案的操作
和开关频率高达1 MHz 。可编程
频率同步运行和可选
节电允许操作可以在整个高效率
负载电流范围内。内部LDO可用于
提供5伏的栅极驱动电路，或者它可能被绕过
与外部的5V电压，以获得最佳效率和用于驱动
外部n沟道MOSFET或其他负载。另外
功能包括逐周期电流限制，电压
软启动，
欠压
保护，
可编程
过电流保护，软关断和选择
省电。在日前，Vishay Siliconix的SiC403还提供了一个
使能输入和电源良好输出。
特点
高效率> 95 ％
6连续输出电流能力
集成的自举开关
可编程200毫安LDO旁路逻辑
温度补偿的电流限制
伪固定频率自适应导通时间控制
全瓷解决方案使
可编程输入欠压锁定阈值
独立的使能引脚的转换器和LDO
可选择超声波省电模式
可编程软启动
软关断
1％的内部基准电压
电源良好输出
欠压及过电压保护
材质分类：对于合规的定义
请参阅
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产品概述
输入电压范围
输出电压范围
工作频率
连续输出电流
峰值效率
包
3 V至28 V
0.75 V至5.5 V
200千赫兹至1 MHz
6A
的95％ ，在300千赫兹
MLPQ 5毫米×5mm的
应用
笔记本电脑，台式机和服务器计算机
数字高清晰度电视和数字消费应用
网络和电信设备
打印机，DSL和机顶盒的应用
嵌入式应用
负载电源点
典型应用电路
3.3
V
EN / PSV （三态）
LDO_EN
EN \\ PSV
P
良好
V
OUT
A
GND
ENL
T
ON
P
良好
I
LIM
32 31 30 29 28 27 26 25
LX
LX
FB
V
OUT
V
DD
A
GND
FBL
V
IN
V
IN
1
2
3
4
5
6
8
10
11
24
LX
LX
P
GND
P
GND
P
GND
P
GND
P
GND
P
GND
V
OUT
垫1
A
GND
PAD 3
垫2
V
IN
NC
12
LX
13
23
22
21
20
19
18
17
LX
SS
7
BST
NC
14
SiC403 （ MLP 5× 5-32L ）
文档编号： 66550
S12-0628 -REV 。 C， 19 -MAR- 12
如需技术支持，请联系：
analogswitchtechsupport@vishay.com
P
GND
15
P
GND
V
IN
V
IN
V
IN
16
9
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1
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引脚配置（顶视图）
EN \\ PSV
P
良好
A
GND
ENL
吨
I
LIM
32 31 30 29 28 27 26 25
FB
V
OUT
V
DD
A
GND
FBL
V
IN
SS
BST
1
2
3
4
5
6
7
8
V
IN
10
V
IN
11
NC
12
LX 13
NC
14
P
GND
15
P
GND
16
V
IN
9
垫2
V
IN
垫1
A
GND
PAD 3
LX
24
23
22
21
20
LX
LX
P
GND
P
GND
P
GND
LX
LX
19 P
GND
18 P
GND
17 P
GND
引脚说明
引脚数
1
2
3
4 ，30， PAD 1
5
6 ， 9-11 ， PAD 2
7
8
12
13 ， 23-25 ， 28 ， PAD 3
14
15-22
26
27
29
31
32
符号
FB
V
OUT
V
DD
A
GND
FBL
V
IN
SS
BST
NC
LX
NC
P
GND
P
良好
I
LIM
EN / PSV
T
ON
ENL
描述
反馈输入开关稳压器。连接到一个外部电阻分压器从输出编程
输出电压。
输出电压输入到控制器。另外，可以使用由通LDO供应V
DD
直接。
偏压为内部逻辑电路和栅极驱动器。连接到外接5V电源或配置
内部LDO为5 V.
模拟地
反馈输入，内部LDO 。连接到从V外部电阻分压器
DD
到A
GND
到程序
LDO输出。
功率级输入（ HS FET漏极）
连接到一个外部电容到A
GND
编程软启动斜坡
引导针。电容器连接BST和LX之间提供HS驱动电压。
没有内部连接
交换节点（ HS FET的源代码和LS FET漏极）
没有内部连接
电源地（ LS FET源）
开漏电源良好指示器。外部上拉电阻。
连接到I之间的外部电阻
LIM
和LX超过限流方案
三态引脚。拉低到A
GND
禁用调节器。浮启用强制连续电流
模式。上拉至V
DD
启用节电模式。
连接到一个外部电阻到A
GND
程序上的时间
使能输入为内部LDO 。下拉到A
GND
禁用内部LDO 。
订购信息
产品型号
SiC403CD-T1-GE3
SiC403DB
包
MLPQ55-32
评估板
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2
如需技术支持，请联系：
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文档编号： 66550
S12-0628 -REV 。 C， 19 -MAR- 12
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功能框图
26
A
GND
4, 30,
垫1
参考
SS
7
软启动
LX
13日， 23日至25日，
28 ， PAD 3
V
DD
P
GND
零交叉
探测器
旁路比较
V
DD
3
V
DD
Y
A
B
MUX
5
FBL
V
IN
LDO
ENL
Valley1-Limit
15至22
I
LIM
27
控制和状态
V
DD
P
良好
29
EN / PSV
6 ， 9-11 ， PAD 2
V
IN
V
IN
V
DD
DL
BST
8
FB
1
T
ON
31
V
OUT
2
+
-
FB比较器
ON- TIME
发电机
栅极驱动器
控制
32
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
LX至P
GND
电压
LX至P
GND
电压（瞬态 - 100纳秒）
V
IN
以P
GND
电压
EN / PSV ，P
良好
, I
LIM
，在
GND
BST引导到LX ; V
DD
以P
GND
A
GND
以P
GND
EN / PSV ，P
良好
, I
LIM
, V
OUT
, V
LDO
， FB ， FBL到GND
t
ON
以P
GND
BST为P
GND
V
AG- PG
符号
V
LX
V
LX
V
IN
分钟。
- 0.3
-2
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
马克斯。
+ 30
+ 30
+ 30
V
DD
+ 0.3
+6
+ 0.3
+ (V
DD
+ 0.3)
+ (V
DD
- 1.5)
+ 35
V
单位
超越那些在"Absolute最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值/长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
输入电压
V
DD
以P
GND
V
OUT
以P
GND
符号
V
IN
V
DD
V
OUT
分钟。
3
3
0.75
典型值。
马克斯。
28
5.5
5.5
V
单位
注意：
对于正确的操作，该设备应在推荐的条件内使用。
热电阻额定值
参数
储存温度
最高结温
工作结温
符号
T
英镑
T
J
T
J
分钟。
- 40
-
- 25
典型值。
马克斯。
+ 150
150
+ 125
°C
单位
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热电阻额定值
参数
热阻，结到环境
高边MOSFET
低边MOSFET
PWM控制器和LDO热阻
峰值回流焊温度
T
回流
-
b
符号
分钟。
典型值。
25
20
50
马克斯。
单位
° C / W
260
°C
注意事项：
一。此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
B 。从封装在静止空气中计算，安装3× 4.5 （英寸） ， 4层FR4 PCB ，每JESD51标准的裸露焊盘下的散热孔。
超过上述规格可能会导致设备或设备故障造成永久性损坏。参数之外运行
specififed在电气特性部分，不推荐。
电气规格
参数
输入电源
V
IN
UVLO阈值电压
a
V
IN
UVLO迟滞
V
DD
UVLO阈值电压
V
DD
UVLO迟滞
V
IN
电源电流
V
IN_UV +
V
IN_UV-
V
IN_UV_HY
V
DD_UV +
V
DD_UV-
V
DD_UV_HY
EN / PSV ， ENL = 0 V ，V
IN
= 28 V
I
IN
待机模式：
ENL = V
DD
， EN / PSV = 0 V
EN / PSV ， ENL = 0 V
V
DD
电源电流
I
VDD
EN / PSV = V
DD
，无负载（F
SW
= 25千赫） ，
V
FB
> 750毫伏
f
SW
= 250 kHz时， EN / PSV =浮动，空载
b
25 ℃的台架测试
调节器
FB导通时间阈值
频带
b
自举开关电阻
定时
ON- TIME
最小导通时间
b
最小关断时间
b
软启动
软启动电流
b
模拟量输入/输出
V
OUT
输入阻抗
电流检测
过零检测器阈值电压
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好阈值电压
启动延迟时间
故障（噪声抗扰度）延迟时间
电源良好泄漏电流
电源良好导通电阻
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4
b
符号
测试条件除非指定
V
IN
= 12 V, V
DD
= 5 V ，T
A
= + 25℃ （典型值） ，
- 40 ° C至+ 85°C为分钟。和最大，
T
J
= < 125°C
感测的ENL销，上升沿
感觉到在ENL引脚，下降沿
EN / PSV =高
测量V
DD
销，上升沿
测量V
DD
销，下降沿
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2.4
2.235
2.5
2.4
2.6
2.4
0.2
2.8
2.6
0.2
8.5
130
3
2
2.95
2.565
3
2.9
20
A
7
V
mA
10
V
FB- TH
F
PWM
静伏
IN
和负载， - 40 ° C至+ 85°C
连续模式下， 25 ℃的台架测试
0.7425
200
0.750
10
0.7599
1000
V
千赫
t
ON
t
ON
t
关闭
I
SS
R
O型IN
V
某种意义上个
PG_V
TH_UPPER
PG_V
TH_LOWER
PG_T
d
PG_I
CC
PG_I
LK
PG_R
DS -ON
连续模式操作V
IN
= 15 V,
V
OUT
= 5 V ，R
吨
= 300 k
25 ℃的台架测试
25 ℃的台架测试
I
OUT
= I
LIM
/ 2 ，25°C基准测试
2386
2650
80
320
2.75
500
2915
ns
A
k
+ 3.5
mV
LX -P
GND
V
FB
>内参750毫伏
V
FB
<内参750毫伏
C
ss
- 10 nF的
V
EN
= 0 V ，25°C基准测试
V
EN
= 0 V
V
EN
= 0 V
- 3.5
0.5
+ 20
- 10
12
5
%
ms
s
1
A
10
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S12-0628 -REV 。 C， 19 -MAR- 12
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Vishay Siliconix公司
电气规格
参数
故障保护
I
LIM
源出电流
谷电流限制
输出欠压故障
智能节电保护
阈值电压
b
过压保护门限
过压故障延时
b
过温关闭
逻辑输入/输出
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
EN / PSV输入偏置电流
ENL输入偏置电流
FBL ， FB输入偏置电流
线性差稳压器
FBL精度
LDO电流限制
V
LDO
到V
OUT
切换门限
c
V
LDO
到V
OUT
非切换
LDO降稳压
d
门槛
c
V
LDO
到V
OUT
切换电阻
FBL
加
LDO_I
LIM
V
LDO - BPS
V
LDO - NBPS
R
LDO
V
OUT
= 5 V
从V
IN
到V
VLDO
, V
VLDO
= + 5 V,
I
VLDO
= 100毫安
V
LDO
负载= 10毫安
启动和折返，V
IN
= 12 V
工作电流限制，V
IN
= 12 V
134
- 130
- 500
2
1.2
0.735
0.750
115
200
+ 130
+ 500
0.765
V
mA
mV
V
V
IH
V
IL
I
EN
I
ENL
FBL_I
LK
EN ， ENL ， PSV
EN / PSV = V
DD
OR A
GND
V
IN
= 28 V
FBL ， FB = V
DD
OR A
GND
-1
1
0.4
- 10
11
+ 10
18
+1
A
V
b
符号
测试条件除非指定
V
IN
= 12 V, V
DD
= 5 V ，T
A
= + 25℃ （典型值） ，
- 40 ° C至+ 85°C为分钟。和最大，
T
J
= < 125°C
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
LIM
R
ILIM
= 6 kV
DD
= 5 V,
25 ℃的台架测试
V
OUV_Fault
P
SAVE_VTH
V
FB
相对于内部500毫伏
基准，连续8个时钟
V
FB
相对于内部500毫伏
基准，25°C基准测试
V
FB
相对于内部500毫伏
参考
t
OV-延迟
T
关闭
25 ℃的台架测试
10 °C的迟滞，25°C基准测试
4.5
8
6
- 25
+ 10
7.2
A
A
%
%
+ 20
5
150
s
°C
注意事项：
A. V
在UVLO
是可编程的，使用从V的电阻分压器
IN
到ENL到A
GND
。的ENL电压进行比较的内部参考。
B 。通过设计保证。
。的切换阈值是V之间的最大电压的diff erential
LDO
和V
OUT
销可确保V
LDO
将内部
切换到V
OUT
。非切换的阈值是V之间的最小电压的diff erential
LDO
和V
OUT
销，它们可确保
V
LDO
不会切换到V
OUT
.
。该LDO辍学电压是使LDO输出降至2 ％，低于标称稳压点的电压。
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