CR8AM
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
无铅山，
相位控制可控硅
8安培/ 400-600伏特
外形绘图
C
A
D
E
L
H
F
G
B
N
M
J
J
P
K
描述：
该Powerex的CR8AM铅坐骑
相位控制可控硅的平面
钝化晶闸管的低使用
功率控制和整改。
这些设备是模制的硅酮
胶种。
产品特点：
□
容易申请印制
电路
E
接线图
阴极
阳极
门
阳极
□
玻璃钝化
□
高浪涌电流
应用范围：
□
加热器控制
□
电机控制
订货信息：
例如：选择完整的6
或7位数的部件号您
愿望从表 - 即
CR8AM -8是一个400伏， 8安培
相位控制可控硅。
TYPE
CR8AM
V
DRM
/V
RRM
伏
400
600
CODE
-8
-12
□
开关电源
□
稳压摩托车
外形绘图
（符合TO- 220 ）
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
英寸
0.63最大。
0.49最小。
0.41
0.28
0.18
0.15最大。
MILLIMETERS
16最大。
12.5分钟。
10.5
7
4.5
3.8 MAX 。
尺寸
H
J
K
L
M
N
P
英寸
0.125 ± 0.008
0.102 ± 0.016
0.10
0.051
0.039
0.031
0.020
MILLIMETERS
3.2 ± 0.2
2.6 ± 0.4
2.5
1.3
1.0
0.8
0.5
0.142 ± 0.008直径。 3.6 ± 0.2直径。
P-45
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
CR8AM
铅山，相位控制可控硅
8安培/ 400-600伏特
绝对最大额定值，
T
a
= 25 ° C除非另有规定编
评级
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
DC正向电压
RMS通态电流
通态平均电流（额定，见图表）T
C
= 88°C
I
2
吨融合，T = 8.3毫秒
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅电流
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
储存温度
工作结温
重量
符号
V
DRM
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
D（ DC）的
I
T（ RMS ）
I
T（ AVG）
I
2
t
P
GM
P
G（ AVG）
I
FGM
V
FGM
V
RGM
T
英镑
T
j
–
CR8AM-8
400
400
500
320
320
12.6
8
120
60
5
0.5
2
6
10
-40至125
-40至125
2.3
CR8AM-12
600
600
720
480
480
12.6
8
120
60
5
0.5
2
6
10
-40至125
-40至125
2.3
单位
伏
伏
伏
伏
伏
安培
安培
安培
A
2
美国证券交易委员会
瓦
瓦
安培
伏
伏
°C
°C
克
非重复性峰值浪涌，通态电流一个周期（ 60赫兹）I
TSM
P-46
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
CR8AM
铅山，相位控制可控硅
8安培/ 400-600伏特
电气和热特性，
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
特征
电压 - 阻塞状态
峰值正向漏
峰值反向漏
电流 - 导通状态
峰值通态电压
DC保持电流
热阻
结到外壳
门 - 参数
栅极电流触发
栅极电压触发
非触发栅极电压
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
H
R
日（J -C ）
I
GT
V
GT
V
GD
测试条件
T
j
= 125°C ，V
D
= V
DRM
T
j
= 125°C ，V
R
= V
RRM
T
c
= 25 ° C，I
TM
= 25A
V
D
= 12V ，T
j
= 25°C
–
V
D
= 6V ，R
L
= 6
, T
j
= 25°C
V
D
= 6V ，R
L
= 6 , T
j
= 25°C
V
D
= 1/2V
DRM
, T
j
= 125°C
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
0.2
典型值。
–
–
–
15
–
–
–
–
马克斯。
2
2
1.4
–
3
15
1.0
–
单位
mA
mA
伏
mA
° C / W
mA
伏
伏
P-47
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
CR8AM
铅山，相位控制可控硅
8安培/ 400-600伏特
最大通态
特征
T
j
= 25
o
C
瞬态热
阻抗特性
（结到外壳）
瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
（ ° C / WATT ）
门
特征
瞬时通态电压，V
T
（伏）
5
10
2
10
2
栅极电压，V
G
（伏）
4
10
1
10
1
3
V
FGM
= 6V
P
G（ AVG）
= 0.5W
P
GM
= 5W
10
0
2
10
0
V
GT
= 1V
I
GT
= 15毫安
I
FGM
= 2A
1
10
-1
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-3
10
-2
10
-1
时间t （S ）
10
0
10
1
10
-1
10
0
V
GD
= 0.2V
10
1
10
2
10
3
10
4
瞬时导通状态
目前，我
T
（安培）
栅极电流，我
G
（毫安）
最大浪涌电流
FOLLOWING额定负载条件下
最大允许外壳温度T
C
, (°C)
最大峰值浪涌电流，I
TSM
（安培）
最大
允许外壳温度
（单相半波形）
最大通态
功耗
（单相半波形）
200
200
最大功耗（瓦）
32
电阻式，
感性负载
360°
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
28
24
20
16
12
8
4
0
0
电阻式，
感性负载
360°
160
120
= 30°
80
60°
90°
120°
180°
40
= 30°
60°
90°
120° 180°
0
10
0
10
1
个循环的60赫兹
10
2
2
4
6
8
10
4
8
12
16
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
最大
允许外壳温度
（单相全波）
最大允许外壳温度T
C
, (°C)
最大通态
功耗
（单相全波）
最大
通态功耗
（方波）
200
最大功耗（瓦）
32
28
24
360°
200
阻性负载
最大功耗（瓦）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
4
8
= 30° 60°
电阻
负载
360°
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
电阻式，
感性负载
360°
20
16
= 30°
60°
90°
120°
12
8
4
0
0
4
8
180°
90°
120°
180°
= 30°
60°
90°
120°
180°
270°
DC
12
16
20
12
16
4
8
12
16
20
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
P-48
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
CR8AM
铅山，相位控制可控硅
8安培/ 400-600伏特
最大
通态功耗
（方波）
门极触发电流
- 结温
（典型值）
门极触发电压
- 结温
（典型值）
32
门极触发电流， （T ° C）
x 100%
门极触发电流（ 25 ° C）
最大功耗（瓦）
10
3
门极触发电压， （T ° C）
x 100%
门极触发电压， （ 25 ° C）
1.0
分配
28
24
20
16
12
8
4
0
0
电阻式，
感性负载
360°
0.8
典型的例子
10
2
0.6
= 30°
60°
90°
120°
180°
270°
DC
0.4
10
1
0.2
0
4
8
12
16
10
0
-40
0
40
80
120
160
-40
0
40
80
120
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
结温，T
j
, (°C)
结温，T
j
, (°C)
保持电流
- 结温
（典型值）
保持电流
VS.门极触发电流
击穿电压
- 结温
（典型值）
10
3
V
D
= 12V
R
GK
= 1k
保持电流，我
H
（毫安）
保持电流，我
H
（毫安）
50
转折电压， （T ° C）
x 100%
转折电压， （ 25 ° C）
160
T
a
= 25°C
R
GK
= 1k
45
40
35
30
25
20
15
10
5
120
10
2
分配
典型的例子
80
10
1
40
10
0
-40
0
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
结温，T
j
, (°C)
门极触发电流， IGT ， （毫安）
0
-40
0
40
80
120
160
结温，T
j
, (°C)
转折电压VS.
上升速率断态电压
（典型值）
x 100%
反向重复峰值电压
- 结温
（典型值）
重复峰值反向电压， （T ° C）
x 100%
重复峰值反向电压， （ 25 ° C）
门极触发电流
VS.栅电流脉冲宽度
（典型值）
160
指数波
T
j
= 125°C
R
GK
= 1k
160
门极触发电流， （T
w
)
x 100%
门极触发电流（ DC ）
10
4
击穿电压（ dv / dt的= X V / S）
击穿电压（ dv / dt的= 1V / S）
120
120
t
w
10
3
0.1 s
I
GT
= 7.2毫安
80
4.7mA
80
10
2
40
40
0
10
1
0
-40
0
40
80
120
160
结温，T
j
, (°C)
10
2
10
3
10
4
10
1
10
-1
T
j
= 25°C
R
GK
= 1k
10
0
10
1
10
2
增长速度的
断态电压， dv / dt的， （V / S）
栅电流脉冲宽度，T
w
, ( s)
P-49
QQ：2880707522 复制
