CR5AS
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
表面贴装，
相位控制可控硅
5安培/ 400-600伏特
外形绘图
B
D
G
N
H
C
A
描述：
该Powerex的CR5AS可控硅是
表面贴装用于medi-
嗯功率控制和整改。
这些设备是模制的硅酮
胶种。
产品特点：
□
表面贴装型
□
玻璃钝化
K
J
F
F
E
M
L
接线图
□
轻松应用到印刷
电路
□
高浪涌通态电流
阴极
阳极
门
阳极
应用范围：
□
静态开关
□
电机控制
□
频闪闪光
订货信息：
例如：选择完整的6
或7位数的部件号您
愿望从表 - 即
CR5AS - 12是600伏， 5安培
相位控制可控硅。
TYPE
CR5AS
V
DRM
/V
RRM
伏
400
600
CODE
-8
-12
外形绘图
（符合MP-3 ）
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
英寸
0.39最大。
0.26
0.22 ± 0.008
0.20 ± 0.008
0.18
0.09 MIN 。
0.09
MILLIMETERS
10最大。
6.5
5.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
4.6
2.3 MIN 。
2.3
尺寸
H
J
K
L
M
N
英寸
0.06 ± 0.008
0.040
0.035 MAX 。
0.035 MAX 。
0.31
0.020 ± 0.004
MILLIMETERS
1.5 ± 0.2
1.01
0.9 MAX 。
0.9 MAX 。
0.8
0.5± 0.1
P-33
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
CR5AS
表面贴装，相位控制可控硅
5安培/ 400-600伏特
绝对最大额定值，
T
a
= 25 ° C除非另有规定编
评级
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
DC正向电压
RMS通态电流
通态平均电流（额定，见图表）T
a
= 88°C
I
2
吨融合，T = 8.3毫秒
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅电流
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
储存温度
工作结温
重量
符号
V
DRM
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
D（ DC）的
I
T（ RMS ）
I
T（ AVG）
I
2
t
P
GM
P
G（ AVG）
I
FGM
V
FGM
V
RGM
T
英镑
T
j
–
CR5AS-8
400
400
500
320
320
7.8
5
90
33
0.5
0.1
0.3
6
6
-40至125
-40至125
0.26
CR5AS-12
600
600
720
480
480
7.8
5
90
33
0.5
0.1
0.3
6
6
-40至125
-40至125
0.26
单位
伏
伏
伏
伏
伏
安培
安培
安培
A
2
美国证券交易委员会
瓦
瓦
安培
伏
伏
°C
°C
克
非重复性峰值浪涌，通态电流一个周期（ 60赫兹）I
TSM
P-34
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
CR5AS
表面贴装，相位控制可控硅
5安培/ 400-600伏特
电气和热特性，
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
特征
电压 - 阻塞状态
峰值正向漏
峰值反向漏
电流 - 导通状态
峰值通态电压
DC保持电流
最大热阻
结到外壳
门 - 参数
栅极电流触发
栅极电压触发
非触发栅极电压
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
H
R
日（J -C ）
I
GT
V
GT
V
GD
测试条件
T
j
= 125°C ，V
D
= V
DRM
T
j
= 125°C ，V
R
= V
RRM
T
c
= 25 ° C，I
TM
= 2.5A
V
D
= 12V ，R
GK
= 1K
, T
j
= 25°C
–
V
D
= 6V ，R
L
= 60 , T
j
= 25°C
V
D
= 6V ，R
L
= 60 , T
j
= 25°C
V
D
= 1/2V
DRM
, R
GK
= 1K ，T
j
= 125°C
分钟。
–
–
–
–
–
1
–
0.1
典型值。
–
–
–
3.5
–
–
–
–
马克斯。
2.0
2.0
1.8
–
3.0
200
0.8
–
单位
mA
mA
伏
mA
° C / W
A
伏
伏
P-35
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
CR5AS
表面贴装，相位控制可控硅
5安培/ 400-600伏特
最大通态
特征
瞬时通态电压，V
T
（伏）
3.8
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
T
j
= 25 C
瞬态热阻抗，
Z
日（J -C ）
, Z
号（j -a）的
（ ° C / WATT ）
o
瞬态热
阻抗特性
（结点到外壳，结到环境温度）
10
0
10
1
10
2
10
3
10
3
门
特征
10
2
T
j
= 25°
栅极电压，V
G
（伏）
结到环境
10
1
V
FGM
= 6V
P
GM
= 0.5W
10
2
P
G（ AVG）
= 0.1W
10
0
V
GT
= 0.8V
I
GT
= 200 A
10
1
10
-1
I
FGM
= 0.3A
V
GD
= 0.1V
结到外壳
0.6
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
-3
10
-2
时间t （S ）
10-
1
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
瞬时导通状态
目前，我
TM
（安培）
栅极电流，我
G
（毫安）
最大浪涌电流
FOLLOWING额定负载条件下
最大允许外壳温度T
C
, (°C)
最大峰值浪涌电流，I
TSM
（安培）
最大
允许外壳温度
（单相半波形）
允许环境温度
与平均通态电流
（单相半波形）
100
160
140
120
100
80
90°
电阻式，
感性负载
自然对流
360°
160
140
环境温度，T
a
, (°C)
80
120
100
80
60
40
20
0
阻性，感性
荷载自然科学
对流
无FIN
360°
60
40
60
40
20
0
0
2
04
= 30°
60°
120°
20
180°
0
10
0
= 30°
60°
90°
120°
180°
10
1
个循环的60赫兹
10
2
6
8
0
0.4
0.8
1.2
1.6
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
允许环境温度
与平均通态电流
（单相半波形）
最大通态
功耗
（单相半波形）
最大
允许外壳温度
（单相全波）
最大允许外壳温度T
C
, (°C)
160
140
环境温度，T
a
, (°C)
最大功耗（瓦）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
360°
160
阻性负载
电阻式，
感性负载
90°
180°
120°
140
120
100
80
60
40
20
= 30°
60°
90° 120° 180°
360°
120
100
80
60
40
20
0
= 30°
60°
90°
120°
180°
360°
电阻式，
感性负载
自然对流
FIN ：铝基板
80 ×80× T2.3
60°
= 30°
0
0
2
4
6
8
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
P-36
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 412 ） 925-7272
CR5AS
表面贴装，相位控制可控硅
5安培/ 400-600伏特
允许环境温度
与平均通态电流
（单相全波）
允许环境温度
与平均通态电流
（单相全波）
最大通态
功耗
（单相全波）
160
140
环境温度，T
a
, (°C)
160
140
环境温度，T
a
, (°C)
360°
16
最大功耗（瓦）
阻性负载，
自然对流
无FIN
120
100
80
60
40
20
0
0
0.4
0.8
1.0
= 30°
60°
120
100
80
60
40
阻性负载，
自然对流
FIN ：铝基板
80 ×80× T2.3
阻性负载
14
12
360°
180°
60°
90°
120°
360°
10
8
6
4
2
0
0
2
= 30°
90°
120°
180°
120°
20
= 30°
60°
90°
180°
0
1.2
1.6
0
2
4
6
8
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
4
6
8
平均通态电流I
T（ AVG）
（安培）
门极触发电流
- 结温
（典型值）
门极触发电压
- 结温
（典型值）
保持电流
- 结温
（典型值）
10
3
门极触发电流， （T ° C）
x 100%
门极触发电流（ 25 ° C）
门极触发电压， （T ° C）
x 100%
门极触发电压， （ 25 ° C）
1.0
分配
典型的例子
保持电流，我
H
（毫安）
10
2
R
GK
= 220
0.8
10
2
10
1
分配
典型的例子
0.6
10
1
0.4
10
0
0.2
0
10
-1
-40
10
0
-40
R
GK
= 1k
0
40
80
120
-40
0
40
80
120
0
40
80
120
160
结温，T
j
, (°C)
结温，T
j
, (°C)
结温，T
j
, (°C)
保持电流VS.
栅极 - 阴极电阻
（典型值）
击穿电压
- 结温
（典型值）
转折电压VS.
上升速率断态电压
（典型值）
400
T
j
= 25°C
x 100%
转折电压， （T ° C）
x 100%
转折电压， （ 25 ° C）
160
R
GK
= 220
x 100%
160
140
120
100
80
60
40
20
0
10
0
10
1
10
2
10
3
指数波
T
j
= 125°C
R
GK
= 220
维持电流， （R
GK
= 1k )
维持电流， （R
GK
= RK ）
300
120
200
80
100
40
0
10
1
0
10
2
10
3
10
4
-40
0
40
80
120
160
栅极 - 阴极电阻，R
GK
, (k )
结温，T
j
, (°C)
击穿电压（ dv / dt的= X V / S）
击穿电压（ dv / dt的= 1V / S）
增长速度的
断态电压， dv / dt的， （V / S）
P-37
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR5AS
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
CR5AS
外形绘图
尺寸
单位：mm
6.5
4
TYPE
名字
电压
类
5.5±0.2
1.5±0.2
5.0±0.2
0.5±0.1
0.9最大
1.0
2.3
2.3 MIN
1.0 MAX
10 MAX
0.5±0.2
0.8
外壳温度
2.3
2.3
测量点
1
2
3
24
1
2
3
4
阴极
阳极
门
阳极
I
T（ AV ）
........................................................................... 5A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
GT
......................................................................... 200A
3
1
MP-3
应用
开关电源，稳压摩托车，如电视。 VCR 。打印机，用于点火器
摩托车，电动工具，其它通用的控制应用，频闪闪光
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
DRM
V
D（ DC）的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
DC断态电压
V1
V1
电压等级
8
400
500
320
400
320
12
600
720
480
600
480
单位
V
V
V
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率，正弦半波， 180度通电，T
c
=88°C
60Hz的正弦半波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
7.8
5
90
33
0.5
0.1
6
6
0.3
–40 ~ +125
–40 ~ +125
0.26
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
g
V1.
随着门 - 阴极电阻R
GK
=220
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR5AS
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
电气特性
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
I
H
R
日（J -C ）
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
保持电流
热阻
测试条件
T
j
= 125°C ，V
RRM
应用，R
GK
=220
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用，R
GK
=220
T
c
= 25 ° C，I
TM
= 15A ，瞬时值
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.1A
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
, R
GK
=220
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.1A
T
j
= 25 ° C，V
D
= 12V ，R
GK
=220
结到
例
V2
范围
分钟。
—
—
—
—
0.1
1
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
3.5
—
马克斯。
2.0
2.0
1.8
0.8
—
200
V3
—
3.0
单位
mA
mA
V
V
V
A
mA
° C / W
V2.
对于外壳温度的方法的一点是在阳极片。
V3.
如果我的特殊值
GT
是必需的，选择至少两个项目的那些在下表中列出。 （例如： AB ， BD ）
项
I
GT
(A)
A
1 ~ 30
B
20 ~ 50
C
40 ~ 100
D
80 ~ 200
上述值不包括流经栅极和阴极之间的220Ω电阻的电流。
性能曲线
最大通态特性
10
2
7 T
c
= 25°C
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压（V ）
额定浪涌通态电流
100
浪涌通态电流（A）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流（A ）
导通时间
（周期为60Hz ）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR5AS
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
GATE特性
10
2
7
5
3
2
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3
2
V
FGM
= 6V
P
GM
= 0.5W
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
典型的例子
I
GT
(25°C)
#1
#2
# 1
@
11A
# 2
@
61A
10
0
7
5
3
2
P
G（ AV ）
= 0.1W
V
GT
= 0.8V
I
GT
= 200A
(T
j
= 25°C)
I
FGM
= 0.3A
10
–1
7
5
V
GD
= 0.1V
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3
栅极电流（毫安）
10
1
7
5
3 V
D
= 6V
2
R
L
= 60
10
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
门极触发电压Vs
结温
1.0
T
j
= 25°C
最大瞬态热
阻抗特性
门极触发电压（ V）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
分配
典型的例子
结温（ ° C）
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
3
7
5
3
2
结到环境
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
结到外壳
10
0
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
平均功耗（ W）
外壳温度（ ° C）
最大平均功耗
（单相半波）
16
180°
14
90° 120°
12
60°
10
8
6
4
2
0
0
1
θ
= 30°
θ
360°
阻性，感性负荷
2
3
4
5
6
7
8
允许外壳温度与
平均通态电流
（单相半波）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
θ
= 30°
60°
1
2
3
90°
180°
120°
4
5
6
7
8
θ
360°
电阻式，
电感
负载
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR5AS
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相半波）
160
环境温度（ ℃）
140
120
100
80
60
40
环境温度（ ℃）
θ
360°
电阻式，
电感
负载
自然科学
对流
无FIN
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相半波）
160
140
120
100
80
60
θ
= 30°
60°
90°
20
120°
180°
0
0
1
2
40
θ
360°
电阻式，
电感
负载
自然科学
对流
铝基板
80 80 t2.3
θ
= 30°
60°
90°
120°
20
180°
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流（A）
3
4
5
6
7
8
通态平均电流（A）
平均功耗（ W）
最大平均功耗
（单相全波）
16
外壳温度（ ° C）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
θ
θ
120°
360°
电阻
θ
= 30° 60° 90°
负载
180°
允许外壳温度与
平均通态电流
（单相全波）
160
电阻
负载
140
θ θ
120
100
80
60
40
20
0
0
1
θ
= 30°
60° 90° 120° 180°
360°
2
3
4
5
6
7
8
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
环境温度（ ℃）
120
100
80
60
θ
= 30°
60°
40
90°
120°
20
180°
0
0
360°
阻性负载
自然科学
对流
环境温度（ ℃）
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相全波）
160
无FIN
140
θ θ
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相全波）
160
铝基板
140 80 80 t2.3
θ θ
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
360°
电阻
θ
= 30 °载荷
60 °自然科学
90 °对流
120°
180°
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR5AS
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
转折电压VS.
结温
转折电压VS.
门阴极电阻
100 (%)
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
R
GK
= 220
击穿电压（R
GK
= r)
击穿电压（R
GK
= 220)
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
10
3
7典型的例子
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
T
j
= 125°C
2 3 5 710
-1
2 3 5 710
0
2 3 5 7 10
1
门阴极电阻（ Ω ）
击穿电压（ dv / dt的= VV /微秒）
击穿电压（ dv / dt的= 1V /μs的）
保持电流（毫安）
转折电压VS.
上升速率断态电压
160
典型的例子
T
j
= 125°C
140
R
GK
= 220
120
100
80
60
40
20
0
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
增长速度OFF态电压（V /μs的）
100 (%)
保持电流VS.
结温
10
1
7
5
4
分配
3
2典型的例子我
GT
（ 25℃） = 35μA
10
0
7
5
4
3
2
V
D
= 12V
R
GK
= 220
10
–1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
100 (%)
400
350
300
250
200
150
100
50
0
2 3 5 710
-1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
#1
#2
典型的例子
I
GT
（ 25℃ ）I
H
(1K)
# 1 14A
1.7mA
# 2 48A
2.7mA
T
j
= 25°C
重复峰值反向电压（T
j
= T ° C）
重复峰值反向电压（T
j
= 25°C)
100 (%)
保持电流VS.
门阴极电阻
重复峰值反向电压VS.
结温
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
维持电流（R
GK
= r)
维持电流（R
GK
= 220)
门阴极电阻值（kΩ ）
Feb.1999
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