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我们所有的客户
关于文件中提到的名字,如三菱的变化
电气和三菱XX ,瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM (闪速存储器,静态存储器等)等
因此,虽然三菱电机,三菱电机株式会社,三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中,这些名称
已在事实上,所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标,标识和公司声明,没有改变任何已经
到文档中的内容作出,而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注:三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR5AS
中功率使用
非绝缘型,玻璃钝化类型
CR5AS
外形绘图
尺寸
单位:mm
6.5
4
TYPE
名字
电压
5.5±0.2
1.5±0.2
5.0±0.2
0.5±0.1
0.9最大
1.0
2.3
2.3 MIN
1.0 MAX
10 MAX
0.5±0.2
0.8
外壳温度
2.3
2.3
测量点
1
2
3
24
1
2
3
4
阴极
阳极
阳极
I
T( AV )
........................................................................... 5A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
GT
......................................................................... 200A
3
1
MP-3
应用
开关电源,稳压摩托车,如电视。 VCR 。打印机,用于点火器
摩托车,电动工具,其它通用的控制应用,频闪闪光
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R( DC)的
V
DRM
V
D( DC)的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
DC断态电压
V1
V1
电压等级
8
400
500
320
400
320
12
600
720
480
600
480
单位
V
V
V
V
V
符号
I
T( RMS )
I
T( AV )
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G( AV )
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率,正弦半波, 180度通电,T
c
=88°C
60Hz的正弦半波1完整周期,峰值,非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值,浪涌通态
当前
评级
7.8
5
90
33
0.5
0.1
6
6
0.3
–40 ~ +125
–40 ~ +125
0.26
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
g
V1.
随着门 - 阴极电阻R
GK
=220
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR5AS
中功率使用
非绝缘型,玻璃钝化类型
电气特性
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
I
H
R
日(J -C )
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
保持电流
热阻
测试条件
T
j
= 125°C ,V
RRM
应用,R
GK
=220
T
j
= 125°C ,V
DRM
应用,R
GK
=220
T
c
= 25 ° C,I
TM
= 15A ,瞬时值
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,我
T
=0.1A
T
j
= 125°C ,V
D
=1/2V
DRM
, R
GK
=220
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,我
T
=0.1A
T
j
= 25 ° C,V
D
= 12V ,R
GK
=220
结到
V2
范围
分钟。
0.1
1
典型值。
3.5
马克斯。
2.0
2.0
1.8
0.8
200
V3
3.0
单位
mA
mA
V
V
V
A
mA
° C / W
V2.
对于外壳温度的方法的一点是在阳极片。
V3.
如果我的特殊值
GT
是必需的,选择至少两个项目的那些在下表中列出。 (例如: AB , BD )
I
GT
(A)
A
1 ~ 30
B
20 ~ 50
C
40 ~ 100
D
80 ~ 200
上述值不包括流经栅极和阴极之间的220Ω电阻的电流。
性能曲线
最大通态特性
10
2
7 T
c
= 25°C
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压(V )
额定浪涌通态电流
100
浪涌通态电流(A)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流(A )
导通时间
(周期为60Hz )
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR5AS
中功率使用
非绝缘型,玻璃钝化类型
GATE特性
10
2
7
5
3
2
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
栅极电压( V)
10
1
7
5
3
2
V
FGM
= 6V
P
GM
= 0.5W
门极触发电流(T
j
= T ° C)
门极触发电流(T
j
= 25°C)
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
典型的例子
I
GT
(25°C)
#1
#2
# 1
@
11A
# 2
@
61A
10
0
7
5
3
2
P
G( AV )
= 0.1W
V
GT
= 0.8V
I
GT
= 200A
(T
j
= 25°C)
I
FGM
= 0.3A
10
–1
7
5
V
GD
= 0.1V
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3
栅极电流(毫安)
10
1
7
5
3 V
D
= 6V
2
R
L
= 60
10
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温( ° C)
门极触发电压Vs
结温
1.0
T
j
= 25°C
最大瞬态热
阻抗特性
门极触发电压( V)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
分配
典型的例子
结温( ° C)
瞬态热阻抗( ℃/ W)
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
3
7
5
3
2
结到环境
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
结到外壳
10
0
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
时间(s)
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
平均功耗( W)
外壳温度( ° C)
最大平均功耗
(单相半波)
16
180°
14
90° 120°
12
60°
10
8
6
4
2
0
0
1
θ
= 30°
θ
360°
阻性,感性负荷
2
3
4
5
6
7
8
允许外壳温度与
平均通态电流
(单相半波)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
θ
= 30°
60°
1
2
3
90°
180°
120°
4
5
6
7
8
θ
360°
电阻式,
电感
负载
通态平均电流(A)
通态平均电流(A)
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR5AS
中功率使用
非绝缘型,玻璃钝化类型
允许环境温度VS.
平均通态电流
(单相半波)
160
环境温度( ℃)
140
120
100
80
60
40
环境温度( ℃)
θ
360°
电阻式,
电感
负载
自然科学
对流
无FIN
允许环境温度VS.
平均通态电流
(单相半波)
160
140
120
100
80
60
θ
= 30°
60°
90°
20
120°
180°
0
0
1
2
40
θ
360°
电阻式,
电感
负载
自然科学
对流
铝基板
80 80 t2.3
θ
= 30°
60°
90°
120°
20
180°
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流(A)
3
4
5
6
7
8
通态平均电流(A)
平均功耗( W)
最大平均功耗
(单相全波)
16
外壳温度( ° C)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
θ
θ
120°
360°
电阻
θ
= 30° 60° 90°
负载
180°
允许外壳温度与
平均通态电流
(单相全波)
160
电阻
负载
140
θ θ
120
100
80
60
40
20
0
0
1
θ
= 30°
60° 90° 120° 180°
360°
2
3
4
5
6
7
8
通态平均电流(A)
通态平均电流(A)
环境温度( ℃)
120
100
80
60
θ
= 30°
60°
40
90°
120°
20
180°
0
0
360°
阻性负载
自然科学
对流
环境温度( ℃)
允许环境温度VS.
平均通态电流
(单相全波)
160
无FIN
140
θ θ
允许环境温度VS.
平均通态电流
(单相全波)
160
铝基板
140 80 80 t2.3
θ θ
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
360°
电阻
θ
= 30 °载荷
60 °自然科学
90 °对流
120°
180°
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流(A)
通态平均电流(A)
Feb.1999
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CR5AS-8
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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电话:0755-82170267
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CR5AS-8
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联系人:马小姐
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