三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR3PM
低功耗的
绝缘型，玻璃钝化类型
CR3PM
外形绘图
10.5 MAX
5.2
1.2
尺寸
单位：mm
2.8
17
5.0
TYPE
名字
电压
类
φ3.2±0.2
3.6
1.3最大
13.5 MIN
0.8
2.54
2.54
8.5
0.5
2.6
I
T（ AV ）
........................................................................... 3A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
GT
......................................................................... 100A
V
ISO
........................................................................ 1500V
UL认证：文件编号E80276
123
2
测量点
外壳温度
3
1
1
阴极
2
阳极
3
门
TO-220F
应用
电视机，家用设备的控制，如电热毯，其他一般用途的控制
应用
最大额定值
(T
a
=25
°
C，除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
DRM
V
D（ DC）的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
DC断态电压
V1
V1
电压等级
8
400
500
320
400
320
12
600
720
480
600
480
4.5
单位
V
V
V
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
—
V
ISO
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
隔离电压
典型的价值
条件
商用频率，正弦半波， 180度通电，T
c
=103°C
60Hz的正弦半波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
4.7
3.0
70
24.5
0.5
0.1
6
6
0.3
–40 ~ +125
–40 ~ +125
2.0
1500
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
g
V
T
a
= 25℃ ，交1分钟，每一个终端到外壳
V1.
随着门阴极电阻R
GK
=220.
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR3PM
低功耗的
绝缘型，玻璃钝化类型
电气特性
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
R
日（J -C ）
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
热阻
测试条件
T
j
= 125°C ，V
RRM
应用，R
GK
=220
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用，R
GK
=220
T
c
= 25 ° C，I
TM
= 10A ，瞬时值
T
j
= 25 ℃， VD = 6V ，我
T
=0.1A
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
, R
GK
=220
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.1A
结到
例
V2
范围
分钟。
—
—
—
—
0.1
1
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
2.0
2.0
1.6
0.8
—
100
V3
4.1
单位
mA
mA
V
V
V
A
°C/
W
V2.
接触热阻R
TH（ C-F ）
为0.5 ° C / W与润滑。
V3.
如果我的特殊值
GT
是必需的，选择至少两个项目的那些在下表中列出。 （例如： AB ， BC）
项
I
GT
(A)
A
1 ~ 30
B
20 ~ 50
C
40 ~ 100
上述值不包括流经栅极和阴极之间的220Ω电阻的电流。
性能曲线
最大通态特性
10
2
7 T
c
= 25°C
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压（V ）
额定浪涌通态电流
100
浪涌通态电流（A）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流（A ）
导通时间
（周期为60Hz ）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR3PM
低功耗的
绝缘型，玻璃钝化类型
平均功耗（ W）
环境温度（ ℃）
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相半波）
160
自然科学
对流
140
θ
无FIN
360°
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
电阻式，
θ
= 180°
120 ° INDUCTIVE
90 °载荷
60°
30°
最大平均功耗
（单相全波）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
θ
θ
120°
180°
360°
90°
电阻
60°
负载
θ
= 30°
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
允许外壳温度与
平均通态电流
（单相全波）
160
外壳温度（ ° C）
140
120
100
80
60
40
θ
θ
360°
θ
= 30° 60° 90° 120° 180°
环境温度（ ℃）
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相全波）
160
自然科学
对流
140
θ θ
无FIN
360°
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
θ
= 180°阻性
120 °载荷
90°
60°
30°
20电阻式
负载
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
转折电压VS.
结温
保持电流VS.
结温
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
V
D
= 12V
R
GK
= 1k
分配
100 (%)
160
保持电流（毫安）
140
120
100
80
60
40
20
典型的例子
R
GK
= 220
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
典型的例子
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
10
–1
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR3PM
低功耗的
绝缘型，玻璃钝化类型
保持电流VS.
门阴极电阻
100 (%)
TURN -ON TIME VS.栅极电流
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1 0
10
#
V
D
= 100V
T
a
= 25°C
典型
例子
I
GT
(25°C)
# 33A
400
350
300
250
#1
维持电流（R
GK
= rkΩ ）
维持电流（R
GK
= 1k)
#2
200
150
100
50
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
门阴极电阻值（kΩ ）
开启时间（μs ）
典型的例子
I
GT
(25°C)
# 1 25A
# 2 50A
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
栅极电流（毫安）
80
重复峰值反向电压（T
j
= T ° C）
重复峰值反向电压（T
j
= 25°C)
关断时间（微秒）
I
T
= 2A
70 V
D
= 50V, V
R
= 50V
的dv / dt = 5V / μs的
60
50
40
30
20
10
0
0
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
40
60
100 (%)
关断时间VS.
结温
重复峰值反向电压VS.
结温
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
典型
例子
分配
20
80 100 120 140 160
结温（ ° C）
门极触发电流VS.
栅电流脉冲宽度
10
4
7典型的例子
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
栅电流脉冲宽度（微秒）
100 (%)
tw
0.1s
门极触发电流（ TW ）
门极触发电流（ DC ）
Feb.1999
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