三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR3EM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
CR3EM
外形绘图
1.0±0.5
尺寸
单位：mm
型号名称
电压
类
8最大
4最大
12分钟
1.2±0.1
0.8
0.8
2.5 2.5
4.5最大
1.5分
0.5
123
1.55±0.1
10 MAX
2
1
阴极
2
阳极
3
门
1
I
T（ AV ）
........................................................................ 0.6A
V
DRM
....................................................................... 400V
I
GT
..........................................................................30mA
应用
自动频闪闪光
3
TO-202
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
DRM
V
帝斯曼
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
非重复峰值断态电压
电压等级
8
400
500
320
400
600
单位
V
V
V
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率，正弦半波， 180度通电，T
a
=43°C
60Hz的正弦半波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
0.94
0.6
70
20
2.0
0.2
6
6
1
–40 ~ +125
–40 ~ +125
1.1
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
g
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR3EM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
电气特性
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
I
H
R
号（j -a）的
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
保持电流
热阻
测试条件
T
j
= 125°C ，V
RRM
应用的
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C，I
TM
= 10A ，瞬时值
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.5A
TJ = 125°C ， VD = 1 / 2VDRM
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.5A
T
j
= 25 ° C，V
D
=12V
结到环境
范围
分钟。
—
—
—
—
0.2
—
25
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
45
—
马克斯。
0.1
0.1
1.6
1.5
—
30
—
120
单位
mA
mA
V
V
V
mA
mA
°C/
W
性能曲线
浪涌通态电流（A）
通态电流（A ）
最大通态特性
10
2
7 T
c
= 25°C
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压（V ）
额定浪涌通态电流
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
导通时间
（周期为60Hz ）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR3EM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
GATE特性
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1 1
10
V
FGM
= 6V
P
GM
= 2W
门极触发电流VS.
结温
10
3
7典型的例子
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
最大瞬态热
阻抗特性
（结到环境）
栅极电压（ V）
V
GD
= 1.5V
P
G（ AV ）
= 0.2W
I
GT
= 30毫安
(T
j
= 25°C)
2 3 4 5 7 10
2
2 3 4 5 7 10
3
栅极电流（毫安）
门极触发电压Vs
结温
1.6
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
=25°C)
100 (%)
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
门极触发电压（ V）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
分配
典型的例子
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
平均功耗（ W）
最大平均功耗
（单相半波）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1.0
2.0
θ
= 30°
60°
120° 180°
90°
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相半波）
160
环境温度（ ℃）
140
120
100
80
θ
360°
电阻式，
电感
负载
自然科学
对流
无FIN
θ
360°
电阻式，
电感
负载
5.0
3.0
4.0
60
θ
= 30°
60°
40
90°
120°
20
180°
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR3EM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
平均功耗（ W）
最大平均功耗
（单相全波）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
θ
θ
90°
120°
环境温度（ ℃）
180°
360°
电阻
60°
负载
θ
= 30°
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相全波）
160
无FIN
140
θ θ
120
100
80
360°
阻性负载
自然科学
对流
60
θ
= 30°
60°
40
90°
120°
20
180°
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
转折电压VS.
结温
保持电流VS.
结温
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
100 (%)
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
典型的例子
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
保持电流VS.
门阴极电阻
160
80
V
D
= 12V
T
a
= 25°C
维持电流（T
j
= T ° C）
维持电流（T
j
= 25°C)
保持电流VS.
门极触发电流
保持电流（毫安）
120
100
80
60
40
20
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,
保持电流（毫安）
140
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
门极触发电流（mA）
0
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
门阴极电阻值（kΩ ）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR3EM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
50
45
关断时间（微秒）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
门极触发电流（mA）
重复峰值反向电压（T
j
= T ° C）
重复峰值反向电压（T
j
=25°C)
100 (%)
关断时间VS.
门极触发电流
重复峰值反向电压VS.
结温
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
门极触发电流VS.
栅电流脉冲宽度
10
4
7典型的例子
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
栅电流脉冲宽度（微秒）
100 (%)
tw
0.1s
门极触发电流（ TW ）
门极触发电流（ DC ）
Feb.1999
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