三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR2AM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
CR2AM
外形绘图
10 MAX
4
φ3.2±0.1
型号名称
@
电压
类
8最大
3.2±0.2
23.7±0.5
尺寸
单位：mm
0.5
4最大
12分钟
1.2±0.1
0.8
0.8
2.5 2.5
4.5最大
1.5分
0.5
123
1.55±0.1
测量点
外壳温度
10 MAX
24
1
2
3
4
阴极
阳极
门
阳极
I
T（ AV ）
........................................................................... 2A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
GT
......................................................................... 100A
3
1
TO-202
应用
家庭设备如电动blandets ，漏电保护器，静态开关，其它控制
通用控制应用，点火器
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
DRM
V
D（ DC）的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
DC断态电压
V1
V1
电压等级
8
400
500
320
400
320
12
600
720
480
600
480
单位
V
V
V
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率，正弦半波， 180度通电，T
c
=75°C
60Hz的正弦半波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
3.15
2.0
20
1.6
0.5
0.1
6
6
0.3
–40 ~ +125
–40 ~ +125
1.6
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
g
V1.
随着门 - 阴极电阻R
GK
=1k
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR2AM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
电气特性
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
R
日（J -C ）
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
热阻
测试条件
T
j
= 125°C ，V
RRM
应用的
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用，R
GK
=1k
T
c
= 25 ° C，I
TM
= 4A ，瞬时值
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.1A
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
, R
GK
=1k
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.1A
结到
例
V2
范围
分钟。
—
—
—
—
0.2
1
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.1
0.1
1.8
0.8
—
100
V3
10
单位
mA
mA
V
V
V
A
° C / W
V2.
对于外壳温度的方法，点是在阳极片1.5毫米远离模制外壳。
V3.
如果我的特殊值
GT
是必需的，选择至少两个项目的那些在下表中列出。 （例如： AB ， BC）
项
I
GT
(A)
A
1 ~ 30
B
20 ~ 50
C
40 ~ 100
上述值不包括流经栅极和阴极之间的1kΩ的电阻的电流。
性能曲线
最大通态特性
10
1
7 T
c
= 25°C
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压（V ）
额定浪涌通态电流
20
浪涌通态电流（A）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流（A ）
导通时间
（周期为60Hz ）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR2AM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
GATE特性
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
栅极电压（ V）
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
10
1
V
FGM
= 6V
P
G（ AV ）
= 0.1W
V
GT
= 0.8V
I
GT
= 100A
(T
j
= 25°C)
P
GM
= 0.5W
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
典型的例子
10
0
10
–1
V
GD
= 0.15V
I
FGM
= 0.3A
10
–2
5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3 5
10
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
栅极电流（毫安）
门极触发电压Vs
结温
1.0
最大瞬态热
阻抗特性
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
3
2
10
2
7
5
3
2
结到环境
门极触发电压（ V）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
分配
典型的例子
0
20
40
60
80 100 120
结温（ ° C）
10
1
7
5
3
2
结到外壳
0
–40 –20
10
0
7
5
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
平均功耗（ W）
外壳温度（ ° C）
最大平均功耗
（单相半波）
5.0
180°
4.5
120°
90°
60°
4.0
θ
= 30°
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
θ
360°
阻性，感性负荷
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
允许外壳温度与
平均通态电流
（单相半波）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
θ
= 30°
60°
90°
120°
180°
θ
360°
电阻式，
电感
负载
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR2AM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
环境温度（ ℃）
环境温度（ ℃）
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相半波）
160
无FIN
140自然科学
θ
对流
360°
120
电阻式，
100
电感
负载
80
θ
= 30°
60°
60
90°
120°
40
180°
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相半波）
160
所有的鳍
140黑色漆
θ
IRON AND脂
360°
50 50 t1.2
120
电阻式，
100
电感
负载
80
自然科学
对流
60
40
20
0
0
θ
= 30°
90°
180°
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
平均功耗（ W）
最大平均功耗
（单相全波）
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
θ
θ
360°
阻性负载
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
外壳温度（ ° C）
θ
= 30° 60° 90° 120°
180°
允许外壳温度与
平均通态电流
（单相全波）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
θ
= 30° 60° 90° 120° 180°
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
θ
θ
360°
电阻
负载
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
环境温度（ ℃）
环境温度（ ℃）
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相全波）
160
无FIN
140
θ θ
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
360°
电阻
θ
= 30 °载荷
60 °自然科学
90°
对流
120°
180°
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相全波）
160
所有的鳍
140黑色漆
θ θ
IRON AND脂
120
100
80
60
40
20
0
θ
= 30°
0
90°
180°
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
50 50 t1.2
360°
阻性负载
自然科学
对流
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR2AM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
转折电压VS.
结温
转折电压VS.
门阴极电阻
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20
0
20
40
60
80 100 120
R
GK
= 1k
100 (%)
120
100
典型的例子
T
j
= 125°C
击穿电压（R
GK
= rkΩ ）
击穿电压（R
GK
= 1k)
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
80
60
40
20
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
门阴极电阻值（kΩ ）
结温（ ° C）
击穿电压（ dv / dt的= VV /微秒）
击穿电压（ dv / dt的= 1V /μs的）
保持电流（毫安）
转折电压VS.
上升速率断态电压
120
典型的例子
I
GT
(25°C)
100
# 1 19A
# 2 66A
80
60
40
20
0
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
增长速度OFF态电压（V /μs的）
#2
#1
T
j
= 125°C
R
GK
= 1k
100 (%)
保持电流VS.
结温
10
1
7分布
5
典型的例子
3
I
GT
（ 25℃） = 35μA
2
10
0
7
5
3
2
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
10
–1
7
5
3 V
D
= 12V
2 R
GK
= 1k
10
–2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
100 (%)
500
T
j
= 25°C
典型的例子
I
GT
（ 25℃ ）I
H
(1k)
# 1 25A
0.9mA
# 2 48A
1.3mA
400
重复峰值反向电压（T
j
= T ° C）
重复峰值反向电压（T
j
= 25°C)
100 (%)
保持电流VS.
门阴极电阻
重复峰值反向电压VS.
结温
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20
0
20
40
60
80 100 120
维持电流（R
GK
= rkΩ ）
维持电流（R
GK
= 1k)
300
#1
#2
100
200
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
门阴极电阻值（kΩ ）
结温（ ° C）
Feb.1999
QQ：2881677436 复制
