三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR12BM
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
CR12BM
外形绘图
1.3
4
10.5分
尺寸
单位：mm
电压
类
1
3
1
2
0.8
0.5
2.5 2.5
2.6
1
2
3
4
阴极
阳极
门
阳极
4.5
I
T（ AV ）
......................................................................... 12A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
GT
..........................................................................30mA
应用
自动频闪闪光
10.5
测量
点的情况下，
温度
TO-220C
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
DRM
V
D（ DC）的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
DC断态电压
电压等级
8
400
500
320
400
320
12
600
720
480
600
480
单位
V
V
V
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率，正弦半波， 180度通电，T
c
=91°C
60Hz的正弦半波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
18.8
12.0
360
544
5
0.5
6
10
2
–40 ~ +125
–40 ~ +125
1.5
12.5 MIN
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
g
3.8最大
8.6
Feb.1999
TYPE
名字
1.5 MAX
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR12BM
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
电气特性
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
I
H
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
保持电流
热阻
测试条件
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用的
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C，I
TM
=40A
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=1A
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=1A
T
j
= 25 ° C，V
D
=12V
结到外壳
结到环境
范围
分钟。
—
—
—
—
0.2
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
15
—
—
马克斯。
2.0
2.0
1.6
1.5
—
30
—
1.2
70
单位
mA
mA
V
V
V
mA
mA
° C / W
性能曲线
最大通态特性
10
3
7 T
c
= 25°C
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压（V ）
额定浪涌通态电流
400
浪涌通态电流（A）
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流（A ）
导通时间
（周期为60Hz ）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR12BM
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
GATE特性
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
典型的例子
栅极电压（ V）
V
GT
= 1.5V
I
GT
= 30毫安
P
G（ AV ）
= 0.5W
10
0
7
5
3
2
I
FGM
= 2A
10
–1
V
GD
= 0.2V
7
5
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
栅极电流（毫安）
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
=25°C)
10
1
7
5
3
2
V
FGM
= 6V
P
GM
= 5W
10
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
门极触发电压Vs
结温
1.6
最大瞬态热
阻抗特性
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
分配
典型
例子
0
–40 –20
0
20
40
60
80 100 120
结温（ ° C）
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
门极触发电压（ V）
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
2
结到环境
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
结到外壳
10
–1
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
平均功耗（ W）
最大平均功耗
（单相半波）
64
48
40
32
24
16
8
0
0
360°
120°
电阻式，
90°
电感
60°
负载
θ
= 30°
180°
外壳温度（ ° C）
56
θ
允许外壳温度与
平均通态电流
（单相半波）
160
电阻式，
电感
140
θ
负载
360°
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
θ
= 30°
60°
90°
180°
120°
4
8
12
16
20
24
28
32
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR12BM
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
140
120
100
80
60
40
20
0
0
θ
= 30°
60°
180°
平均功耗（ W）
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相半波）
160
环境温度（ ℃）
θ
360°
电阻式，
120 ° INDUCTIVE
负载
90°
最大平均功耗
（单相全波）
64
56
48
40
32
24
16
8
0
0
4
8
12
θ
θ
θ
= 30°
60°
180°
120°
90°
360°
阻性负载
16 20 24 28 32
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
允许外壳温度与
平均通态电流
（单相全波）
160
外壳温度（ ° C）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
θ
= 30°
90°
60° 120°
180°
环境温度（ ℃）
θ
θ
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相全波）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
θ
= 30°
60°
180°
θ
θ
360°
电阻
负载
360°
电阻
负载
120°
90°
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
平均功耗（ W）
最大平均功耗
（矩形波）
64
外壳温度（ ° C）
56
48
40
32
24
16
8
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
θ
360°
电阻式，
电感
负载
θ
= 30°
允许外壳温度与
平均通态电流
（矩形波）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
θ
= 30° 90° 180°
60° 120° 270°
DC
θ
360°
电阻式，
电感
负载
180° 270°
120°
DC
90°
60°
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR12BM
中功率使用
非绝缘型，玻璃钝化类型
100 (%)
允许环境温度VS.
平均通态电流
（矩形波）
160
转折电压VS.
结温
200
180
160
典型的例子
环境温度（ ℃）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
θ
= 30°
60°
90°
120°
DC
电阻式，
电感
负载
θ
360°
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
270°
180°
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流（A）
击穿电压（ dv / dt的= VV /微秒）
击穿电压（ dv / dt的= 1V /μs的）
保持电流（毫安）
转折电压VS.
上升速率断态电压
160
T
j
= 125°C
典型
140
例子
120
I
GT
(25°C)
# I
GT
= 10.1毫安
100
80
60
40
20
0
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
增长速度OFF态电压（V /μs的）
#
100 (%)
保持电流VS.
结温
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
#2
#1
典型的例子
I
GT
(25°C)
＃ 1 10.6毫安
＃ 2 11.6毫安
10
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
TURN -ON TIME VS.栅极电流
10.0
9.0
T
a
= 25°C
V
D
= 100V
R
L
= 12
典型
例子
I
GT
(25°C)
# I
GT
= 11.2毫安
开启时间（μs ）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
#
重复峰值反向电压（T
j
= T ° C）
重复峰值反向电压（T
j
=25°C)
重复峰值反向电压VS.
结温
200
典型的例子
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
栅极电流（毫安）
100 (%)
Feb.1999
QQ：2881677436 复制
