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我们所有的客户
关于文件中提到的名字,如三菱的变化
电气和三菱XX ,瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM (闪速存储器,静态存储器等)等
因此,虽然三菱电机,三菱电机株式会社,三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中,这些名称
已在事实上,所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标,标识和公司声明,没有改变任何已经
到文档中的内容作出,而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注:三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR08AS
低功耗的
非绝缘型,玻璃钝化类型
CR08AS
外形绘图
尺寸
单位:mm
4.4±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
2.5±0.1
0.8分钟
0.5±0.07
0.4±0.07
1.5±0.1 1.5±0.1
(背面)
0.4
+0.03
–0.05
阴极
阳极
I
T( AV )
........................................................................ 0.8A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
GT
......................................................................... 100A
应用
固态继电器,频闪闪光器,点火器,混合IC
SOT-89
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R( DC)的
V
DRM
V
D( DC)的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
DC断态电压
V1
V1
电压等级
8 (标记为“ AD ” )
400
500
320
400
320
12 (标记为“ AF” )
600
720
480
600
480
3.9±0.3
单位
V
V
V
V
V
符号
I
T( RMS )
I
T( AV )
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G( AV )
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率,正弦半波, 180度通电,
T
a
=51°C
V2
评级
1.26
0.8
10
0.42
0.5
0.1
6
6
0.3
–40 ~ +125
–40 ~ +125
48
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
mg
60Hz的正弦半波1完整周期,峰值,非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值,浪涌通态
当前
V1.
随着门 - 阴极电阻R
GK
=1k
Jan.2000
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR08AS
低功耗的
非绝缘型,玻璃钝化类型
电气特性
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
I
H
R
号(j -a)的
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
保持电流
热阻
测试条件
T
j
= 125°C ,V
RRM
应用,R
GK
=1k
T
j
= 125°C ,V
DRM
应用,R
GK
=1k
T
a
= 25 ° C,I
TM
= 2.5A ,瞬时值
T
a
= 25 ° C,V
D
= 6V ,我
T
=0.1A
V4
T
j
= 125°C ,V
D
=1/2V
DRM
, R
GK
=1k
T
j
= 25 ° C,V
D
= 6V ,我
T
=0.1A
结到
环境
V2
V4
范围
分钟。
0.2
1
典型值。
1.5
马克斯。
0.5
0.5
1.5
0.8
100
V3
3
65
单位
mA
mA
V
V
V
A
mA
° C / W
T
j
= 25 ° C,V
D
= 12V ,R
GK
=1k
V2.
焊接用陶瓷板(25毫米
×
25mm
×
t0.7).
V3.
如果我的特殊值
GT
是必需的,选择至少两个项目的那些在下表中列出。 (例如: AB , BC)
I
GT
(A)
A
1 ~ 30
B
20 ~ 50
C
40 ~ 100
上述值不包括流经栅极和阴极之间的1kΩ的电阻的电流。
V4.
I
GT
, V
GT
测量电路。
A1
60
I
GS
3V
DC
A3
I
GT
A2
TUT
6V
DC
V1
R
GK
1 2
V
GT
1k
开关
开关1 :我
GT
测量
开关2 : V
GT
测量
(电压表内电阻约1kΩ的)
性能曲线
最大通态特性
10
2
7 T
a
= 25°C
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0
1
2
3
4
5
额定浪涌通态电流
10
浪涌通态电流(A)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流(A )
通态电压(V )
导通时间
(周期为60Hz )
Jan.2000
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR08AS
低功耗的
非绝缘型,玻璃钝化类型
GATE特性
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
门极触发电流(T
j
= T ° C)
门极触发电流(T
j
= 25°C)
V
FGM
= 6V
P
G( AV )
= 0.1W
V
GT
= 0.8V
I
GT
= 100A
(T
j
= 25°C)
V
GD
= 0.2V
P
GM
= 0.5W
I
FGM
= 0.3A
栅极电流(毫安)
栅极电压( V)
10
1
10
3
7典型的例子
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温( ° C)
最大瞬态热
阻抗特性
(结到环境)
10
0
10
–1
10
–2
10
–2
2 3 57
10
–1
2 3 57
10
0
2 3 57
10
1
2 3 57
10
2
2 3
门极触发电压Vs
结温
1.0
门极触发电压( V)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
分配
典型的例子
0
20
40
60
80 100 120
结温( ° C)
瞬态热阻抗( ℃/ W)
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
3
7 25 25 t0.7
5铝基板
3带焊接
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
时间(s)
0
–40 –20
平均功耗( W)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
θ
360°
阻性,感性负荷
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
环境温度( ℃)
最大平均功耗
(单相半波)
1.6
θ
= 30° 60° 90° 120°
1.4
180°
允许环境温度VS.
平均通态电流
(单相半波)
160
25 25 t0.7
140铝基板
θ
带焊接
360°
120
100
80
60
40
20
0
0
θ
= 30°
90° 180°
60° 120°
电阻式,
电感
负载
自然科学
对流
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流(A)
通态平均电流(A)
Jan.2000
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR08AS
低功耗的
非绝缘型,玻璃钝化类型
平均功耗( W)
环境温度( ℃)
允许环境温度VS.
平均通态电流
(单相半波)
160
电阻式,
电感
140
θ
负载
360°
120
自然科学
对流
100
θ
= 180°
80
60
90°C/W
40
20
R
日(J - 一)
= 200 ° C / W
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
65°C/W
最大平均功耗
(单相全波)
1.6
θ
= 30° 60° 90° 120°
1.4
180°
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
θ
θ
360°
阻性负载
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流(A)
通态平均电流(A)
平均功耗( W)
环境温度( ℃)
允许环境温度VS.
平均通态电流
(单相全波)
160
25 25 t0.7
140铝基板
θ θ
带焊接
360°
120
100
80
60
40
20
0
0
60°
120°
θ
= 30°
90°
180°
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
阻性负载
自然科学
对流
最大平均功耗
(矩形波)
1.6
90° 180°
θ
= 30° 60° 120° 270°
1.4
DC
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
θ
360°
电阻式,
电感
负载
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
通态平均电流(A)
通态平均电流(A)
环境温度( ℃)
100
80
60
40
20
0
0
电阻式,
电感
负载
自然科学
对流
击穿电压(T
j
= T ° C)
击穿电压(T
j
= 25°C )
允许环境温度VS.
平均通态电流
(矩形波)
160
25 25 t0.7
140铝基板
θ
带焊接
360°
120
转折电压VS.
结温
100 (%)
160
140
120
100
80
60
40
20
典型的例子
R
GK
= 1k
θ
= 30° 60° 120° 270°
90°
180°
DC
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温( ° C)
通态平均电流(A)
Jan.2000
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CR08AS-8
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
CR08AS-8
MITSUBISHI
2019
79600
SOT89
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
CR08AS-8
CCSEMI/芯能圆
2024
18000
SOT-89
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
CR08AS-8
CCSEMI/芯能圆
2024
18000
SOT-89
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
CR08AS-8
MITSUBIS
2443+
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一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:刘先生
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
CR08AS-8
MITSUBISHI
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绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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联系人:夏先生
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
CR08AS-8
MITSUBISHI主营品牌
22+
33000
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电话:13528893675/15710790696/0755-36335768
联系人:张
地址:广东省深圳市福田区华强北振兴路广东省深圳市福田区振兴路曼哈大厦4楼B801室。
CR08AS-8
CCSEMI
22+
6920
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公司现货,原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
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MITSUBISHI
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