三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR05AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
CR05AS
外形绘图
尺寸
单位：mm
4.4±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
2.5±0.1
1
2
3
0.8分钟
0.5±0.07
0.4±0.07
1.5±0.1 1.5±0.1
（背面）
2
1
T
1
终奌站
2
T
2
终奌站
3
栅极端子
0.4
+0.03
–0.05
3
I
T（ AV ）
........................................................................ 0.5A
V
DRM
..............................................................200V/400V
I
GT
......................................................................... 100A
应用
固态继电器，频闪闪光器，点火器，混合IC
1
SOT-89
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
DRM
V
D（ DC）的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
DC断态电压
V1
V1
电压等级
图4（标记为“ CB” ）
200
300
160
200
160
8 （标有“ CD” ）
400
500
320
400
320
3.9±0.3
单位
V
V
V
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率，正弦半波， 180度通电，
T
a
=57°C
V2
评级
0.79
0.5
10
0.4
0.1
0.01
6
6
0.1
–40 ~ +125
–40 ~ +125
48
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
mg
60Hz的正弦半波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
V1.
随着门 - 阴极电阻R
GK
=1k
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR05AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
电气特性
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
I
H
R
号（j -a）的
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
保持电流
热阻
测试条件
T
j
= 125°C ，V
RRM
应用的
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用，R
GK
=1k
T
a
= 25 ° C，I
TM
= 1.5A ，瞬时值
T
a
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.1A
V4
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
, R
GK
=1k
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.1A
结到
环境
V2
V4
范围
分钟。
—
—
—
—
0.2
1
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.1
0.1
1.9
0.8
—
100
V3
3
70
单位
mA
mA
V
V
V
A
mA
° C / W
T
j
= 25 ° C，V
D
= 12V ，R
GK
=1k
V2.
焊接用陶瓷板（25毫米
×
25mm
×
t0.7).
V3.
如果我的特殊值
GT
是必需的，选择至少两个项目的那些在下表中列出。 （例如： AB ， BC）
项
I
GT
(A)
A
1 ~ 30
B
20 ~ 50
C
40 ~ 100
上述值不包括流经栅极和阴极之间的1kΩ的电阻的电流。
V4.
I
GT
, V
GT
测量电路。
A1
I
GS
3V
DC
A3
I
GT
A2
TUT
6V
DC
60
V1
R
GK
1 2
V
GT
1k
开关
开关1 ：我
GT
测量
开关2 ： V
GT
测量
（电压表内电阻约1kΩ的）
性能曲线
最大通态特性
10
2
7 T
a
= 25°C
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0
1
2
3
4
5
额定浪涌通态电流
10
浪涌通态电流（A）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流（A ）
通态电压（V ）
导通时间
（周期为60Hz ）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR05AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
GATE特性
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
栅极电压（ V）
10
1
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
V
FGM
= 6V
P
G（ AV ）
= 0.01W
V
GT
= 0.8V
P
GM
= 0.1W
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
典型的例子
10
0
I
GT
= 100A
(T
j
= 25°C)
V
GD
= 0.2V
I
FGM
= 0.1A
10
–1
10
–2
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
栅极电流（毫安）
10
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
栅极电流VS.
结温
门极触发电压Vs
结温
1.0
100 (%)
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
#1
#2
门极触发电压（ V）
栅极电流（T
j
= T ° C）
栅极电流（T
j
= 25°C)
典型的例子
I
GT
(25°C)
# 1 32A
# 2 9A
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
SEE
3
0.1
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
分配
典型的例子
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
最大瞬态热
阻抗特性
（结到环境）
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
平均功耗（ W）
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
3
7 25 25 t0.7
5铝基板
3带焊接
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
最大平均功耗
（单相半波）
1.5
θ
= 30° 60° 90° 120°
180°
1.0
0.5
θ
360°
0
0
阻性，感性负荷
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR05AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
平均功耗（ W）
环境温度（ ℃）
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相半波）
160
25 25 t0.7
140铝基板
θ
带焊接
360°
120
电阻式，
100
电感
负载
80
自然科学
对流
60
θ
= 30°
90°
180°
40
60° 120°
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
最大平均功耗
（单相全波）
1.5
90°
θ
= 30° 60° 120°
180°
1.0
0.5
θ
θ
360°
0
0
阻性负载
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
平均功耗（ W）
环境温度（ ℃）
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相全波）
160
25 25 t0.7
140铝基板
θ θ
带焊接
360°
120
100
80
60
40
20
0
0
θ
= 30°
0.2
0.4
60°
90°
0.6
120°
180°
0.8
电阻
负载
自然科学
对流
最大平均功耗
（矩形波）
1.5
90° 180°
θ
= 30° 60° 120° 270°
DC
1.0
0.5
θ
360°
电阻式，
电感
负载
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
0
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
环境温度（ ℃）
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
允许环境温度VS.
平均通态电流
（矩形波）
160
25 25 ± t0.7
140铝基板
θ
带焊接
360°
120
自然科学
对流阻性，
100
电感
负载
80
60
DC
40
20
0
0
0.2
θ
= 30° 60°
120°
90° 180°
0.4
0.6
0.8
270°
转折电压VS.
结温
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
R
GK
= 1k
通态平均电流（A）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR05AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
100 (%)
120
100
典型的例子
T
j
= 125°C
100 (%)
击穿电压（ dv / dt的= VV /微秒）
击穿电压（ dv / dt的= 1V /μs的）
转折电压VS.
门阴极电阻
转折电压VS.
上升速率断态电压
120
100
80
60
40典型的例子
# 1 I
GT
（ 25℃） = 10μA
20 # 2 I
GT
（ 25℃） = 66μA
T
j
= 125 ° C，R
GK
= 1k
#2
#1
击穿电压（R
GK
= rkΩ ）
击穿电压（R
GK
= 1k)
80
60
40
20
0
10
–1
2 3 5 710
0
2 3 5 710
1
2 3 5 7 10
2
门阴极电阻值（kΩ ）
0
10
0
2 3 5 710
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
增长速度OFF态电压（V /μs的）
保持电流VS.
结温
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
保持电流VS.
门阴极电阻
100 (%)
500
保持电流（毫安）
维持电流（R
GK
= rkΩ ）
维持电流（R
GK
= 1k)
T
j
= 25°C
I
H
（ 25℃） = 1毫安
I
GT
（ 25 ° C） = 25μA
400
#1
300
#2
200
典型的例子
I
GT
（ 25℃ ）I
H
(1k)
# 1 13A
1.6mA
# 2 59A
1.8mA
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
结温（ ° C）
典型分布
例子
100
T
j
= 25°C
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 710
1
2 3 5 710
2
门阴极电阻值（kΩ ）
10
–1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
100 (%)
重复峰值反向电压（T
j
= T ° C）
重复峰值反向电压（T
j
= 25°C)
重复峰值反向电压VS.
结温
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
100 (%)
门极触发电流VS.
栅电流脉冲宽度
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
T
j
= 25°C
10
1
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
#1
典型的例子
I
GT
(25°C)
# 1 10A
#2
# 2 66A
门极触发电流（ TW ）
门极触发电流（ DC ）
栅电流脉冲宽度（微秒）
Feb.1999
MCR100系列
i
CR05AS系列
SCR
0.8
RMS安培
300通800
伏
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为高容量，线路供电的消费PNPN设备
应用，如继电器和灯驱动器，小型电动机的控制，栅极
驱动较大的晶闸管，以及传感和检测电路。
提供以廉价的塑料
SOT-89
包是
容易适应于自动插入设备中使用。
敏感栅允许由微控制器和其他触发
逻辑电路
阻断电压为
800
V
通态电流额定值的0.8安培RMS在80℃
高浪涌电流能力 - 10 A
IGT ， VGT和IH指定的最小值和最大值
易于设计
免疫力的dV / dt - 20 V /毫秒最低在110℃
玻璃钝化表面的可靠性和一致性
G
A
K
2
3
1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态
(T
J
=
*40
至110℃ ，正弦波， 50
60赫兹;门打开）
CR05AS-3
CR05AS-4
CR05AS-6
CR05AS-8
开启状态RMS电流
(T
C
= 80 ℃）， 180 °导通角
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹，
T
J
= 25°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
(T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
v
1.0
m
s)
正向平均栅极电源
(T
A
= 25 ℃， t为8.3毫秒）
正向栅极峰值电流
(T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
v
1.0
m
s)
反向峰值电压门
(T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
v
1.0
m
s)
工作结温范围
@速度V
RRM
和V
DRM
存储温度范围
电压
（注1 ）
符号
V
DRM ，
V
RRM
300
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
0.8
10
A
A
价值
单位
V
SOT-89
引脚分配
1
2
3
门
阳极
阴极
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GRM
T
J
T
英镑
0.415
0.1
0.10
1.0
5.0
-40
110
-40
150
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
4(1)
VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得以使得该电压的恒定源测试
该器件的收视率超过了。
1
D
CR05AS系列
热特性
特征
热电阻 - 结到外壳
- 结到环境
无铅焊锡温度
（ T1 / 16 “的情况下， 10秒最大）
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
75
200
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
（注2 ）
T
C
= 25°C
(V
D
=额定V
DRM
和V
RRM
; R
GK
= 1 KW ）
T
C
= 110°C
I
DRM
, I
RRM
—
—
—
—
10
100
mA
基本特征
正向峰值通态电压
*
(I
TM
= 1.0 A峰值@ T
A
= 25°C)
门极触发电流（连续直流）
（注3）
(V
AK
= 7.0伏，R
L
= 100
W)
保持电流
(2)
(V
AK
= 7.0伏，启动电流= 20 mA）的
闩锁电流
(V
AK
= 7.0 V，免疫球蛋白= 200
毫安）
门极触发电压（连续直流）
（注3）
(V
AK
= 7.0伏，R
L
= 100
W)
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
0.5
—
0.6
—
0.62
—
1.7
200
5.0
10
10
15
0.8
1.2
V
mA
mA
mA
V
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
，指数波形，R
GK
= 1000
W，T
J
= 110°C)
通态电流临界上升率
(I
PK
= 20 A; PW = 10
毫秒;
DIG / DT = 1 /毫秒，糖耐量低减= 20 mA）的
*表示脉冲测试：脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%.
2. R
GK
= 1000
W
包括测量。
3.不包含R
GK
测量。
dv / dt的
的di / dt
20
—
35
—
—
50
V / ms的
A / MS
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
（关断状态）
2
CR05AS系列
100
门极触发电压（伏）
95
90
栅极触发电流（
m
A)
80
70
60
50
40
30
20
10
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
，结温（ ° C）
110
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
40 25 10
5
20 35 50
65 80
T
J
，结温（ ° C）
95
110
图1.典型栅极触发电流与
结温
图2.典型门极触发电压与
结温
1000
1000
100
擎住电流（
m
A)
95
110
保持电流（
m
A)
100
10
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
，结温（ ° C）
10
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
，结温（ ° C）
95
110
图3.典型的保持电流与
结温
图4.典型的闭锁电流对
结温
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
I T ，瞬时通态电流（ AMPS ）
120
110
100
90
DC
80
70
60
50
40
0
0.1
30°
60°
90°
120°
0.5
180°
10
最大@ T
J
= 25°C
最大@ T
J
= 110°C
1
0.2
0.3
0.4
I
T（ RMS ）
， RMS通态电流（ AMPS ）
0.1
0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 2.0 2.3 2.6 2.9 3.2 3.5
V
T
，瞬时导通电压（伏）
图5.典型RMS电流降额
图6.典型通态特性
3
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