我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR03AM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
CR03AM
外形绘图
φ5.0
最大
4.4
尺寸
单位：mm
2
电压
类
TYPE
名字
3
1
12.5 MIN
1
阴极
2
阳极
3
门
外接
CIRCLE
φ0.7
1.25 1.25
1.3
5.0最大
0.47
0.3
20
1.6
0.5
0.1
6
6
0.3
0.23
3 2 1
I
T（ AV ）
........................................................................ 0.3A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
GT
......................................................................... 100A
应用
漏电保护器，定时器，气体点火器
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
DRM
V
帝斯曼
V
D（ DC）的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
非重复峰值断态电压
DC断态电压
V1
V1
V1
JEDEC ： TO- 92
电压等级
8
400
500
320
400
500
320
12
600
800
480
600
800
480
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率，正弦半波， 180度通电，T
a
=47°C
60Hz的正弦半波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
–40 ~ +110
–40 ~ +125
V1.
随着门阴极电阻R
GK
=1k.
Sep.2000
3.9 MAX
单位
V
V
V
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
g
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR03AM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
电气特性
符号
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
I
H
R
号（j -a）的
参数
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
通态电压
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
保持电流
热阻
测试条件
T
j
= 110℃ ，V
RRM
应用的
T
j
= 110℃ ，V
DRM
应用，R
GK
=1k
T
a
= 25 ° C，I
TM
= 4A ，瞬时值
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.1A
V3
TJ = 110 ° C，V
D
=1/2V
DRM
, R
GK
=1k
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，我
T
=0.1A
结到环境
V3
范围
分钟。
—
—
—
—
0.2
1
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
1.5
—
马克斯。
0.1
0.1
1.8
0.8
—
100
V2
3
180
单位
mA
mA
V
V
V
A
mA
°C/
W
T
j
= 25 ° C，V
D
= 12V ，R
GK
=1k
V2.
如果我的特殊值
GT
是必需的，选择至少两个项目的那些在下表中列出。 （例如： AB ， BC）
项
I
GT
(A)
A
1 ~ 30
B
20 ~ 50
C
40 ~ 100
上述值不包括流经栅极和阴极之间的1kΩ的电阻的电流。
V3.
I
GT
, V
GT
测量电路。
A1
60
I
GS
3V
DC
A3
I
GT
A2
V1
TUT
6V
DC
R
GK
1 2
V
GT
1k
开关
开关1 ：我
GT
测量
开关2 ： V
GT
测量
（电压表内电阻约1kΩ的）
性能曲线
最大通态特性
10
1
7
T
a
= 25°C
5
3
2
额定浪涌通态电流
20
浪涌通态电流（A）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流（A ）
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压（V ）
导通时间
（周期为60Hz ）
Sep.2000
三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR03AM
低功耗的
非绝缘型，玻璃钝化类型
GATE特性
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
门极触发电流VS.
结温
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
–40 –20
0
20
40
60
80 100 120
100 (%)
典型的例子
10
2
P
GM
= 0.5W
V
FGM
= 6V
P
G（ AV ）
= 0.1W
V
GT
= 0.8V
(T
j
= 25°C)
I
GT
= 100A
(T
j
= 25°C)
V
GD
= 0.2V
I
FGM
= 0.3A
栅极电压（ V）
10
0
10
–1
10
–2
5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3 5
栅极电流（毫安）
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
=25°C)
10
1
结温（ ° C）
最大瞬态热
阻抗特性
（结到环境）
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
门极触发电压Vs
结温
1.0
门极触发电压（ V）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
典型的例子
I
GT
（ 25℃） = 35μA
分配
平均功耗（ W）
最大平均功耗
（单相半波）
0.5
环境温度（ ℃）
180°
120°
90°
60°
允许环境温度VS.
平均通态电流
（单相半波）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
θ
= 30° 90° 180°
60° 120°
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
θ
360°
电阻式，
电感
负载
自然科学
对流
0.4
θ
= 30°
0.3
0.2
θ
360°
电阻式，
电感
负载
0.4
0.5
0.3
0.1
0
0
0.1
0.2
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Sep.2000
QQ：2880707522 复制
