CQ89D
CQ89M
CQ89N
2.0 AMP TRIAC
400通800伏
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体CQ89D
系列类型有环氧树脂成型硅双向可控硅
设计为全波AC控制应用
设有栅极触发在所有四个（4）
象限。
SOT-89
SOT- 89 CASE
最大额定值
(TC=25
o
C)
符号
VDRM
IT （ RMS ）
ITSM
IGM
PG （AV）
TSTG
TJ
Θ
J-
CQ89D
400
CQ89M
600
2.0
10
1.0
0.1
-45至+150
-45到+125
10
CQ89N
800
单位
V
A
A
A
W
o
C
o
C
o
C / W
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 80
o
C)
峰值一个周期浪涌（ 10毫秒）
栅极峰值电流
平均门功耗
StorageTemperature
结温
热阻
电气特性
(TC=25
o
C除非另有说明）
符号
IDRM
IDRM
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
测试条件
VD =额定VDRM
VD =额定VDRM ， TC = 125
o
C
VD = 12V ，四I ， II ， III ， IV
VD=12V
VD=12V
IT=3.0A
VD =
2
VDRM ， TC = 125
o
C
3
民
典型值
最大
5.00
200
25
25
2.00
1.75
单位
A
A
mA
mA
V
V
V / μs的
100
252
PR
E
Y
AR
IN
CQ89D
IM
CQ89M
L
CQ89N
1.0 AMP TRIAC
400通800伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CQ89D
系列类型有环氧树脂成型硅双向可控硅
设计为全波AC控制应用
设有栅极触发在所有四（4）个象限。
标识代码：全型号
SOT- 89 CASE
最大额定值：
(TC=25°C)
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 80 ° C）
峰值一个周期浪涌（ TP = 10毫秒）
栅极峰值电流
平均门功耗
储存温度
结温
热Reistance
VDRM
IT （ RMS ）
ITSM
IGM
PG （AV）
TSTG
TJ
Θ
JC
CQ89D
400
CQ89M
600
1.0
10
1.0
CQ89N
800
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM
IDRM
IGT
IH
VGT
VGT
VTM
dv / dt的
VD =额定VDRM
VD =额定VDRM ， TC = 125°C
VD = 12V ，四I ， II ， III ， IV
VD=12V
VD = 12V ， RL = 10Ω ，四I ， II ， III
VD = 12V ， RL = 10Ω ， QUAD四
IT=1.0A
VD =三分之二VDRM ， TC = 125°C
5.0
P
E
R
I
L
IN
M
Y
R
A
0.1
-40到+150
-40到+125
10
典型值
最大
10
200
10
10
2.0
2.5
2.0
单位
A
A
mA
mA
V
V
V
V / μs的
R4 （ 2004年10月）
QQ：2880707522 复制
