CQ223-2M
CQ223-2N
表面贴装
2 AMP硅TRIAC
600 THRU 800伏
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CQ223-2M系列
类型是环氧模塑硅双向可控硅设计用于充分
波交流控制应用具有触发门
在所有的四（4）个象限。
标记：全部型号
SOT- 223案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
VDRM
RMS通态电流（ TC = 80 ° C）
IT （ RMS ）
峰值单周期浪涌， T = 10毫秒
I
2
t
对于熔断值， T = 10毫秒
峰值功率门控， TP = 10微秒
平均门功耗
栅极峰值电流， TP = 10微秒
工作结温
储存温度
热阻
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IGM
TJ
TSTG
Θ
JA
CQ223-2M
600
CQ223-2N
800
2.0
10
0.5
3.0
0.2
1.2
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
°C
°C
° C / W
-40到+125
-40到+150
62.5
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VTM
VTM
dv / dt的
额定VDRM ， RGK = 1KΩ
额定VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
VD = 12V ，四I ， II ， III
VD = 12V ， QUAD四
RGK=1KΩ
VD = 12V ，四I ， II ， III ， IV
ITM = 2.0A ， TP = 380μs
ITM = 3.0A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， TC = 125°C
2.5
典型值
最大
5.0
200
单位
μA
μA
mA
mA
mA
V
V
V
V / μs的
1.35
3.75
1.2
1.1
1.50
1.7
5.00
8.00
5.0
1.8
1.75
2.0
R1 （ 2010年24月）
CQ223-2M
CQ223-2N
表面贴装
2 AMP硅TRIAC
600 THRU 800伏
SOT- 223案例 - 机械外形
前导码：
1 ） MT1
2 ） MT2
3 ）门
4 ） MT2
标记：
全部型号
R1 （ 2010年24月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CQ223-2M
CQ223-2N
2.0 AMP TRIAC
600 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CQ223-2M
串联式是环氧模塑硅双向可控硅
设计为全波AC控制应用
设有栅极触发在所有四（4）个象限。
标识代码：全型号
SOT- 223案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 80 ° C）
峰值一个周期浪涌（ T = 10毫秒）
I
2
为融合吨值（T = 10毫秒）
峰值功率门控（ TP = 10微秒）
平均门功耗
栅极峰值电流（ TP = 10微秒）
储存温度
结温
热阻
VDRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IGM
TSTG
TJ
Θ
JA
CQ223
-2M
600
2.0
20
2.0
3.0
0.2
1.2
-40到+150
-40到+125
62.5
CQ223
-2N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
°C
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VTM
VTM
dv / dt的
额定VDRM ， RGK = 1KΩ
额定VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
VD = 12V ，四I ， II ， III
VD = 12V ， QUAD四
RGK=1K
VD = 12V ，四I ， II ， III ， IV
ITM = 2.0A ， TP = 380μs
ITM = 3.0A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， TC = 125°C
2.5
典型值
最大
5.0
200
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V / μs的
1.35
3.75
1.2
1.1
1.50
1.7
5.00
8.00
5.0
1.8
1.75
2.0
R0 （ 2004年5月11日）
CQ223-2M
CQ223-2N
2.0 AMP TRIAC
600 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CQ223-2M
串联式是环氧模塑硅双向可控硅
设计为全波AC控制应用
设有栅极触发在所有四（4）个象限。
标识代码：全型号
SOT- 223案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 80 ° C）
峰值一个周期浪涌（ T = 10毫秒）
I
2
为融合吨值（T = 10毫秒）
峰值功率门控（ TP = 10微秒）
平均门功耗
栅极峰值电流（ TP = 10微秒）
储存温度
结温
热阻
VDRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IGM
TSTG
TJ
Θ
JA
CQ223
-2M
600
2.0
20
2.0
3.0
0.2
1.2
-40到+150
-40到+125
62.5
CQ223
-2N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
°C
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VTM
VTM
dv / dt的
额定VDRM ， RGK = 1KΩ
额定VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
VD = 12V ，四I ， II ， III
VD = 12V ， QUAD四
RGK=1K
VD = 12V ，四I ， II ， III ， IV
ITM = 2.0A ， TP = 380μs
ITM = 3.0A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， TC = 125°C
2.5
典型值
最大
5.0
200
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V / μs的
1.35
3.75
1.2
1.1
1.50
1.7
5.00
8.00
5.0
1.8
1.75
2.0
R0 （ 2004年5月11日）
QQ：2880707522 复制
