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指数
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PD - 5.025A
CPV364MU
IGBT模块SIP
特点
完全隔离的印刷电路板贴装封装
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
TM
HEXFRED软超快二极管
优化高工作频率（超过5kHz时）
参见图。 1电流 - 频率曲线
Q1
D1
9
4
6
Q2
D2
12
Q4
D4
18
Q3
1
超快速IGBT
D3
15
3
Q5
D5
16
D6
10
Q6
产品概述
7
13
19
输出电流在一个典型的20 kHz的电机驱动
5.4 A
RMS
每相（ 1.7千瓦计）和T
C
= 90℃ ，T
J
= 125°C ，电源电压360Vdc ，
功率因数0.8 ，调制深度80 ％ （见图1 ）
描述
该IGBT技术的关键是国际整流器公司的先进的线
IMS （绝缘金属基板）电源模块。这些模块是更
效率比可比的双极型晶体管的模块，而在同一时间
具有熟悉的功率MOSFET的简单栅极驱动要求。
这种优越的技术目前已经联接到本领域的材料的状态下
系统，它最大的功率通量低热阻。这
包是非常适合于电机驱动应用和其中空间非常
溢价。
IMS-2
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
V
ISOL
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流，每个IGBT
连续集电极电流，每个IGBT
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
隔离电压，任何终端到外壳，1分钟。
最大功率耗散，每个IGBT
最大功率耗散，每个IGBT
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
20
10
60
60
9.3
60
±20
2500
63
25
-40到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在5-7磅 （ 0.55-0.8牛顿米）
单位
V
A
V
V
RMS
W
°C
热阻
参数
R
θ
JC
（IGBT）
R
θ
JC
（二极管）
R
θ
CS
（模块）
Wt
结到外壳，每个IGBT ，将IGBT的导通
结到外壳，每个二极管，一个在二极管导通
案件到水槽，平面，脂表面
模块的重量
典型值。
—
—
0.1
20 (0.7)
马克斯。
2.0
3.0
—
—
单位
° C / W
克（盎司）
C-757
修订版1
TO ORDER
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指数
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CPV364MU
16
5.0
12
3.7
为了塔尔本安输出P流器功率（kW ）
20
载入出厂 ú rren T（A ）
8
2.5
S
4
T
C
= 90°C
T
J
= 125°C
功率因数= 0.8
调制深度= 0.8
V
C C
=额定电压的60 ％
0.1
1
10
100
1.2
0
0
F，F重新quenc （馀Z）
图。 1
- RMS电流和输出功率，合成正弦波
1000
1000
I
C
，C LLE C到R-为-E米itte R C ④此T（A ）
I
C
，收集到-E米伊特尔光凭目前 （A ）
100
100
T
J
= 25 °C
T
J
= 15 0°C
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 1 50 °C
10
1
1
1
V
摹ê
= 1 5V
2 0μ S·P ü LS东西ID
10
0.1
5
10
V
C C
= 1 00 V
5 μ S·P UL南东西ID
15
V
权证
，C ollector到-E米伊特尔V oltage （ V）
V
摹ê
，G吃了对-E米伊特尔V olta GE （ V）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
C-759
TO ORDER
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指数
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CPV364MU
40
最大直流电集电极电流（ A）
V
GE
= 15V
3.5
V
摹ê
= 15 V
80微秒P UL南东西TH ID
I
C
= 40 A
30
V
权证
，C ollector到-E米伊特尔V oltage （ V）
3.0
20
2.5
I
C
= 20 A
10
2.0
I
C
= 1 0A
0
25
50
75
100
125
A
150
1.5
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 1 20 140 160
T
C
，外壳温度（ ° C）
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
10
千卡人 SP ONSE （Z
thJC
)
1
D = 0 .5 0
0.2 0
0.1 0
0 .05
P
D M
0.1
0.0 2
0.0 1
S ING L E PU LS ê
（ TH é MAL ES PO北南E）
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
t
1
t
2
1
/ t
2
0.01
0.00001
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日J·C
+ T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
中，R ectangular脉冲 uration （秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
C-760
TO ORDER
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指数
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CPV364MU
30 0 0
25 0 0
C，C apacitance （PF ）
C
IES
20 0 0
C
OES
15 0 0
V
摹ê
，G一德以诚-E米itte诉 LTA克E（ V）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
权证
= 40 0V
I
C
= 20 A
16
12
8
10 0 0
C
水库
500
4
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
V
权证
，C llector到EM伊特尔V oltage （ V）
Q
g
，T TAL G A TE建华一RG E（N C）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
1.9
1.8
以g洛杉矶SES牛逼otal S瓦特痒（ M·J ）
T O服务た升S W的克L- O 2 S发E S（ M·J ） ITC ^ h
V
C C
V
摹ê
T
C
I
C
= 48 0V
= 1 5V
= 25 °C
= 20 A
10
R
G
= 10
V
GE
= 1 5V
V
CC
= 48 0V
I
C
= 4 0A
I
C
= 2 0A
1.7
1
I
C
= 10 A
1.6
1.5
1.4
0
10
20
30
40
50
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
R
G
，G一德 （E S）是TA N c个E（
)
W
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
C-761
TO ORDER
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