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指数
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PD - 5.027
CPV362MU
IGBT模块SIP
特点
完全隔离的印刷电路板贴装封装
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
TM
HEXFRED软超快二极管
优化高工作频率（超过5kHz时）
参见图。 1电流 - 频率曲线
Q1
D1
9
4
6
Q2
D2
12
Q4
D4
18
Q3
1
超快速IGBT
D3
15
3
Q5
D5
16
D6
10
Q6
产品概述
7
13
19
输出电流在一个典型的20 kHz的电机驱动
3.5 A
RMS
每相（ 1.1千瓦计）和T
C
= 90℃ ，T
J
= 125°C ，电源电压360Vdc ，
功率因数0.8 ，调制深度80 ％ （见图1 ）
描述
该IGBT技术的关键是国际整流器公司的先进的线
IMS （绝缘金属基板）电源模块。这些模块是更
效率比可比的双极型晶体管的模块，而在同一时间
具有熟悉的功率MOSFET的简单栅极驱动要求。
这种优越的技术目前已经联接到本领域的材料的状态下
系统，它最大的功率通量低热阻。这
包是非常适合于电机驱动应用和其中空间非常
溢价。
IMS-2
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
V
ISOL
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流，每个IGBT
连续集电极电流，每个IGBT
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
隔离电压，任何终端到外壳，1分钟。
最大功率耗散，每个IGBT
最大功率耗散，每个IGBT
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
7.2
3.9
22
22
3.4
22
±20
2500
23
9.1
-40到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在5-7磅 （ 0.55-0.8牛顿米）
单位
V
A
V
V
RMS
W
°C
热阻
参数
R
θ
JC
（IGBT）
R
θ
JC
（二极管）
R
θ
CS
（模块）
Wt
结到外壳，每个IGBT ，将IGBT的导通
结到外壳，每个二极管，一个在二极管导通
案件到水槽，平面，脂表面
模块的重量
典型值。
—
—
0.1
20 (0.7)
马克斯。
5.5
9.0
—
—
单位
° C / W
克（盎司）
修订版1
C-741
TO ORDER
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指数
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CPV362MU
6
1.9
4
1.2
为了塔尔本安输出P流器功率（kW ）
载入出厂 ú rren T（A ）
S
2
0.6
T
C
= 90°C
T
J
= 125°C
功率因数= 0.8
调制深度= 0.8
V
C C
=额定电压的60 ％
0
0.1
1
10
100
0
F，F重新昆西（馀Z）
图。 1
- RMS电流和输出功率，合成正弦波
100
100
I
C
，收集到-E米伊特尔光凭目前 （A ）
T
J
= 2 5°C
I
C
，收集到EM伊特尔光凭目前 （A ）
10
T
J
= 1 50 °C
T
J
= 1 50 °C
10
T
J
= 2 5°C
1
1
1
V
摹ê
= 15 V
20微秒P UL南东西TH ID
10
0.1
5
10
V
C C
= 1 00 V
5微秒P ü L南东西TH ID
15
20
V
权证
，C llector到EM伊特尔V oltage （ V）
V
摹ê
，G吃了对-E米伊特尔V olta克E（ V）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
C-743
TO ORDER
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指数
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CPV362MU
14
V
摹ê
= 15 V
4.0
V
摹ê
= 15 V
80 μ S·P UL南东西ID
M aximum D C集电极电流（A ）
12
V
权证
，C ollector到-E米伊特尔V oltage （ V）
3.5
10
I
C
= 1 3A
3.0
8
2.5
I
C
= 6.5A
6
2.0
4
I
C
= 3.3 A
2
1.5
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
10
牛逼 马币一l研究é SP 0：N发E （Z
thJC
)
D = 0 .5 0
1
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
P
D M
0.1
S IN摹L E P ü L性S E
（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
t
1
t2
1
/t
2
0.01
0.000 01
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
THJ
+ T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，R EC TA NGU拉尔P ü LS E D ü RA TIO N （秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
C-744
TO ORDER
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指数
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CPV362MU
700
C，电容（pF ）
500
400
C
IES
C
OES
300
V
摹ê
，G吃-to -E米伊特尔V oltage （ V）
600
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
权证
= 4 00 V
I
C
= 6.5 A
16
12
8
200
100
C
水库
4
0
1
10
100
0
0
4
8
12
16
20
V
权证
，C llector到EM伊特尔V oltage （ V）
Q
g
，为TA L G TE的建华ARG E（ NC ）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0 .35
0 .34
T O服务TAL S瓦特ITC兴洛SE S（ M·J ）
全S魔力损耗（ M·J ）
V
C C
V
摹ê
T
C
I
C
= 48 0V
= 15V
= 25 °C
= 6.5A
10
R
G
= 50
V
GE
= 1 5V
V
CC
= 4 8 0V
1
I
C
= 13A
I
C
= 6.5A
0 .33
I
C
= 3.3 A
0 .32
20
25
30
35
40
45
50
55
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 14 0 160
R
G
，G吃 esistance （
)
W
T
C
，C ASE TEM peratu重（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
C-745
TO ORDER
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