【以前的数据表指数下一页数据表PD - 5.032CPV362MKIGBT模块SIP特点短路额定 - 】,IC型号CPV362MK,CPV362MK PDF资料,CPV362MK经销商,ic,电子元器件-51电子网

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指数

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PD - 5.032

CPV362MK

IGBT模块SIP

特点

短路额定 - 为10μs @ 125°C ，V

= 15V

完全隔离的印刷电路板贴装封装

开关损耗额定值包括所有"tail"损失

HEXFRED软超快二极管

优化高工作频率（超过5kHz时）

参见图。 1电流 - 频率曲线

短路额定IGBT超快

产品概述

输出电流在一个典型的20 kHz的电机驱动

3.5 A

RMS

每相（ 1.1千瓦计）和T

= 90℃ ，T

= 125°C ，电源电压360Vdc ，

功率因数0.8 ，调制深度80 ％（见图1 ）

描述

该IGBT技术的关键是国际整流器公司的先进的IMS线

（绝缘金属基板）电源模块。这些模块是更有效

比可比双极晶体管模块，而在同一时间具有

熟悉的功率MOSFET的简单栅极驱动要求。这间高级

技术已经被结合到本领域的材料系统的状态下

获得最大的功率通量低热阻。这个包是非常

适用于电力应用和空间非常宝贵。

这些新的短路额定器件尤其适合于电机控制和

其他图腾柱的应用程序需要的短路耐受能力。

IMS-2

绝对最大额定值

参数

CES

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

@ T

= 100°C

ISOL

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

英镑

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流，每个IGBT

集电极电流脉冲

钳位感性负载电流

二极管连续正向电流

二极管的最大正向电流

短路承受时间

门极 - 发射极电压

隔离电压，任何终端到外壳，1分钟。

最大功率耗散，每个IGBT

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒。

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

600

5.7

3.0

3.4

± 20

2500

9.1

-40到+150

300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）

在5-7磅（ 0.55 - 0.8牛顿米）

单位

RMS

°C

热阻

参数

（IGBT）

（二极管）

（模块）

结到外壳，每个IGBT ，将IGBT的导通

结到外壳，每个二极管，一个在二极管导通

案件到水槽，平面，脂表面

模块的重量

典型值。

—

0.1

20 (0.7)

马克斯。

5.5

9.0

—

单位

° C / W

克（盎司）

修订版2

C-963

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指数

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CPV362MK

电气特性@ T = 25°C （除非另有说明）

（ BR ） CES

CE （ON）的

参数

集电极 - 发射极击穿电压

温度。 COEFF 。击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

GE （日）

CES

GES

栅极阈值电压

温度COEFF 。阈值电压

正向跨导

零栅极电压集电极电流

二极管的正向压降

门极 - 发射极漏电流

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

600

—

= 0V时，我

= 250A

— 0.37 —

V /°C， V

= 0V时，我

= 1.0毫安

—

2.3 3.5

= 3.0A

= 15V

—

2.7

—

= 5.7A

参见图。 2,5

—

2.2

—

= 3.0A ，T

= 150°C

3.0

—

5.5

= V

, I

= 250A

—

-11

- 毫伏/°C， V

= V

, I

= 250A

1.9

3.3

—

= 100V ，我

= 6.0A

—

250

= 0V, V

= 600V

—

— 1700

= 0V, V

= 600V ，T

= 150°C

—

1.4 1.7

= 8.0A

参见图。 13

—

1.3 1.6

= 8.0A ，T

= 150°C

—

— ±500

= ±20V

开关特性@ T = 25°C （除非另有说明）

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

IES

OES

水库

（ REC ）M

/ DT

参数

总栅极电荷（导通）

门 - 发射极电荷（导通）

门 - 收集电荷（导通）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

短路承受时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总开关损耗

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的反向恢复时间

二极管的峰值反向恢复电流

二极管的反向恢复电荷

回收秋季二极管峰值速率

在t

分钟。

—

典型值。

4.3

6.4

110

0.10

0.20

—

230

130

0.29

350

4.7

3.5

4.5

124

240

210

MAX 。单位

条件

= 6.0A

6.8

= 400V

参见图。 8

—

= 25°C

—

= 3.0A ，V

= 480V

220

= 15V ，R

= 50

110

能量损失包括"tail"和

—

二极管的反向恢复。

—

参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18

0.27

—

= 360V ，T

= 125°C

= 15V ，R

= 50, V

CPK

< 500V

—

= 150°C,

参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18

—

= 3.0A ，V

= 480V

—

= 15V ，R

= 50

—

能量损失包括"tail"和

—

二极管的反向恢复。

—

= 0V

—

= 30V

参见图。 7

—

= 1.0MHz的

= 25°C见图

= 125°C

= 8.0A

5.0

= 25°C见图

8.0

= 125°C

= 200V

138

= 25°C见图

360

= 125°C

的di / dt = 200A / μs的

—

A / μs的牛逼

= 25°C见图

—

= 125°C

脉冲宽度5.0μs ，

单发射击。

注意事项：

重复评价; V

= 20V ，脉冲宽度的限制

由Max 。结温。（参见图20）

=80%(V

CES

), V

= 20V ， L = 10μH ，

= 50Ω ，（参见图19）

脉冲宽度

≤

为80μs ;占空比

≤

0.1%.

C-964

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指数

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CPV362MK

5.0

1.6

3.0

0.9

2.0

0.6

1.0

= 90°C

= 125°C

功率因数= 0.8

调制深度= 0.8

=额定电压的60 ％

100

0.3

0.0

男，频率（KHz ）

图。 1

- RMS电流和输出功率，合成正弦波

100

，C ollector到-E米特R C urren T（A ）

= 2 5 °C

= 1 50 °C

，C ollector到-E米伊特尔电流（A ）

= 1 50 °C

= 2 5°C

0.1

摹ê

= 15V

2 0μ S·P ü LS东西TH ID

C C

= 1 00 V

5微秒P UL南东西TH ID

权证

，C llector到EM伊特尔V oltage （ V）

摹ê

，G吃了对-E米伊特尔V olta克E（ V）

图。 2

- 典型的输出特性

图。 3

- 典型的传输特性

C-965

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总输出功率（kW ）

4.0

1.2

负载电流（A ）

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指数

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CPV362MK

权证

，C ollector到-E米特诉oltage （ V）

最大直流电集电极电流（ A）

= 15V

5.0

摹ê

= 15 V

80微秒P UL南东西TH ID

4.0

= 1 2A

3.0

= 6.0A

2.0

= 3.0 A

100

125

150

1.0

-60

-40

-2 0

100 120 140 160

，外壳温度（ ° C）

，C ASE tem温度（ ° C）

图。 4

- 最大集电极电流 -

外壳温度

图。五

- 集电极 - 发射极电压 -

外壳温度

牛逼马币一l研究é SP 0：N发E （Z

thJC

)

D = 0 .5 0

0 .2 0

0 .1 0

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

D M

0.1

S IN摹L E P ü L性S E

（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）

N 2 O TE S：

1 。 ü TY前言与r D =吨

0.01

0.000 01

2 。 P·E A K牛逼

= P

D M

X Z

THJ

+ T C

0.0001

0.001

0.01

0.1

，R EC TA NGU拉尔P ü LS E D ü RA TIO N （秒）

图。 6

- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳

C-966

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指数

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CPV362MK

700

600

摹ê

，G吃了对-E米伊特尔V olta GE （ V）

1 00

= 0V,

F = 1MHz的

IES

= C

+ C

, C

短

水库

= C

OES

= C

+ C

权证

= 4 80 V

= 6.0 A

C，电容（pF ）

500

IES

OES

400

300

200

水库

100

权证

，C llector到EM伊特尔V oltage （ V）

，共有摹吃哈耶（ NC）

图。 7 -

典型的电容比。

集电极 - 发射极电压

图。 8

- 典型栅极电荷主场迎战

门极 - 发射极电压

0.21

总的开关损耗（兆焦耳）

0.20

总的开关损耗（兆焦耳）

= 480V

= 15V

= 25°C

= 3.0A

= 50

= 15V

= 480V

= 6.0A

0.19

= 3.0A

= 1.5A

0.18

0.17

0.1

-60

-40

-20

100 120 140 160

，栅极电阻（ Ω ）

，外壳温度（ ° C）

图。 9

- 典型的开关损耗与门

阻力

图。 10

- 典型的开关损耗与

外壳温度

C-967

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