CMP100
高速窗口比较器
ATE PIN接收机
特点
q
传播延迟:最大为5ns ,为100mV
OVERDRIVE
q
共模输入范围:
±
12V
q
输入阻抗: 120K
||为2pF
q
输出:可锁存, 10K ECL
兼容
q
完成:没有外部所需的零件
q
温度范围: -25
°
C至+ 85
°
C
q
封装: 16引脚塑料DIP , 16引脚
塑料SOIC
应用
q
ATE PIN接收机
q
窗口比较器
q
阈值检测器
描述
CMP100是一种高速双比较器设计
使用作为自动测试系统销接收器。它也是
在各种各样的模拟阈值检测器的有用
和窗口比较器的应用程序。
CMP100有两个参考输入和一个模拟
输入是共用的比较器。所有IN-
看跌期权是由一个分压器衰减,以提供
高共模电压的操作。模拟
输入衰减器RC调整以优化操作
与高速输入波形。参考输入
衰减器不是R-C调谐。每个衰减器网络
工作之后是超前的缓冲放大器
比较器电路。
V+
9
V
REF 1
11
1
类似物
In
LE
1
10
LE
1
8
Q
1
7
12
1
Q
1
6
1
V
REF 2
14
1
1
ACOM
13
16
5
4
DCOM
PWR
COM
V–
LE
2
15
LE
2
3
Q
2
2
Q
2
互补的ECL输出级能够
驱动50Ω端接传输线路为-2V
下拉电压。此外,锁存使能输入是
提供给每个比较器,允许操作作为
采样比较器。
CMP100可作为工业级温度范围
装置中, -25 ℃至+ 85 ℃,并封装在一个16针
塑料DIP封装和16引脚塑封SOIC 。
国际空港工业园邮寄地址:PO Box 11400
联系电话: ( 602 ) 746-1111 TWX : 910-952-1111 电缆: BBRCORP
1990年的Burr-Brown公司
图森,亚利桑那州85734 街道地址: 6730 S.图森大道。 图森,亚利桑那州85706
电传: 066-6491 传真: ( 602 ) 889-1510 即时产品信息: ( 800 ) 548-6132
PDS-1075A
美国印刷1992年3月
特定网络阳离子
电动
T
A
= 25°C ,并在额定电源: V + = + 5V ,V = -5.2V ,除非另有说明。
CMP100AP , AU
参数
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
共模电压范围
阻力
参考输入: V
REF 1
, V
REF 2
模拟量输入
电容,所有输入
传输特性
准确性
输入失调电压,V
OS(1)
共模误差
电压失调漂移
电源灵敏度的偏移量:
V
OS
/
V+
V
OS
/
V–
响应时间
传播延迟,T
PD( 2,3)
100mV的高速,锁存器禁用
数字信号
(4)
(在规格温度范围)
输入(锁存控制)
逻辑电平: V
IH
V
IL
I
IH
(V
I
= –1.1V)
I
IL
(V
I
= –1.5V)
输出(平衡)
逻辑电平: V
OL
( 50Ω负载至-2V )
V
OH
( 50Ω负载至-2V )
电源要求
电源电压
V+
V–
电源电流
(5)
V+
V–
功耗
(6)
温度范围
规范
存储
+4.75
–5.45
+5
–5.2
+30
–40
360
–25
–65
+5.25
–4.95
+40
–50
460
+85
+150
VDC
VDC
mA
mA
mW
°C
°C
–1.1
–1.5
50
5
–1.5
–1.1
V
V
A
A
V
V
10
100
20
10
250
±10
±10
mV
mV / V的
μV/°C
V/V
V/V
24
±12
45
90
60
120
2
75
150
V
V
k
k
pF
民
典型值
最大
单位
3.6
5
ns
注: ( 1 )定义为半低到高,高到低转换的输入电压之间的幅度。 ( 2 )请参见上一节“测量CMP100的性能。 ”
( 3)具体情况请参见“讨论规格” 。 (4) 10k的ECL兼容。 ( 5 )最大供电电流规定为典型的电源电压。 (6 )最大
功耗的计算与典型电源电压和最大电流。需要注意的是消耗在输出晶体管的驱动50Ω负载的ECL会
约50mW的增加总的功耗。
绝对最大额定值
V +数码通用和电源公共....................................... + 6V
V-数码通用和电源公共....................................... -6V
(V+) – (V–) ........................................................................................... 12V
数字输入到数字通用
差................................................. ........................................
±4V
共模................................................ ......................... V-至V +
差分模拟输入电压.............................................. .........
±25V
封装功耗............................................... ............ 750MW
存储温度................................................ ...... -60 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
应力超过上述所列可能导致永久性损坏
该设备。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
引脚德网络nitions
针
1, 15
2, 3
4
5
6, 7
8, 10
9
11
12
13
14
16
名字
LE2 , LE2
Q2, Q2
DCOM
PWRCOM
Q1, Q1
LE1 , LE1
V+
V
REF 1
ANALOG IN
ACOM
V
REF 2
V–
描述
锁定或解锁比较器1输出
比较器2的输出ECL
回报比较器电路
回报ECL输出晶体管的电流
比较器1的ECL输出
锁定或解锁比较器2输出
正电源电压, + 5V
参考电压比较器1
模拟信号输入
返回的模拟输入,V
REF 1
, V
REF 2
参考电压比较器2
负电源电压: ( ECL供应, -5.2V )
CMP100
2
机械
P封装 - 16引脚塑料DIP
A
A
1
B
1
B
P
销1
F
N
C
K
H
G
D
M
L
J
暗淡
A
A
1
B
B
1
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
P
英寸
民
最大
.740
.800
.725
.785
.230
.290
.200
.250
.120
.200
.015
.023
.030
.070
.100 BASIC
0.20
.050
.008
.015
.070
.150
.300 BASIC
0°
15°
.010
.030
.025
.050
MILLIMETERS
最小最大
18.80 20.32
18.42 19.94
5.85
7.38
5.09
6.36
3.05
5.09
0.38
0.59
0.76
1.78
2.54 BASIC
0.51
1.27
0.20
0.38
1.78
3.82
7.63 BASIC
0°
15°
0.25
0.76
0.64
1.27
注:信息的真实
内0.01"位置
( 0.25毫米)R在MMC
在座位平面。
ü包 - 16引脚SOIC
A
A
1
B
1
B
引脚1标识符
暗淡
A
A
1
B
B
1
C
D
G
H
J
L
M
N
英寸
民
最大
.400
.416
.388
.412
.286
.302
.268
.286
.093
.109
.015
.020
.050 BASIC
.022
.038
.008
.012
.391
.421
5Ω TYP
.000
.012
MILLIMETERS
最小最大
10.16 10.57
9.86 10.46
7.26
7.67
6.81
7.26
2.36
2.77
0.38
0.51
1.27 BASIC
0.56
0.97
0.20
0.30
9.93 10.69
5Ω TYP
0.00
0.30
注:信息的真实
内0.01"位置
( 0.25毫米)R在MMC
在座位平面。
H
C
G
D
N
M
J
L
订购信息
模型
CMP100AP
CMP100AU
包
16引脚DIP
16引脚SOIC
本文提供的信息被认为是可靠的;但是, BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息,所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
CMP100
典型性能曲线
T
A
= 25°C ,并在额定电源: V + = + 5V ,V = -5.2V ,除非另有说明。
传播延迟VS高速
21
18
0V
50ns
V
OD
5
传播延迟VS环境温度
传播延迟( NS )
15
12
9
6
3
0
0
100
200
150ns
V
REF 1
= V
REF 2
= 0V
传播延迟( NS )
V
4
3
2
0V
1
100mV
200mV
50ns
150ns
V
REF 1
= V
REF 2
= 0V
–1V
→
+V
OD
–200mV
→
+V
OD
0
300
400
500
–30
0
30
环境温度( ℃)
60
90
过载(MV )
注:传播延迟VS高速显示为两个振幅
输入脉冲:从-200mV
→
+V
OD
( 0.2nV / ns的压摆率)和-1V
→
+V
OD
( 1V / ns的压摆率) 。为逆输入波形:从+ 1V
→
–V
OD
和
从+ 200mV的
→
–V
OD
,传播延迟等同于上文是
产生的。
电源电流与环境温度
60
电源电流(mA )
40
–5.2V
+5V
20
0
–30
–10
10
30
50
70
90
环境温度( ℃)
响应为3ns模拟输入脉冲
数字输出(为200mV / DIV )
Q
Q
400
模拟输入(MV )
200
0
ANALOG IN
–200
–400
时间(纳秒/格)
2.76ns
CMP100
4
典型性能曲线
(续)
T
A
= 25°C ,并在额定电源: V + = + 5V ,V = -5.2V ,除非另有说明。
响应2ns的锁存使能脉冲
数字输出(为200mV / DIV )
Q
Q
t
DLOL
ANALOG IN
400
模拟输入(MV )
200
0
–200
–400
时间(为5ns /格)
LE
设置时间t
S
数字输出(为200mV / DIV )
Q
Q
400
模拟输入(MV )
200
ANALOG IN
0
–200
t
S
–400
时间(为2ns /格)
LE
捕捉一个狭窄的模拟脉冲
数字输出(为200mV / DIV )
3.5ns
Q
Q
400
模拟输入(MV )
200
0
ANALOG IN
–200
–400
时间(为2ns /格)
LE
5
CMP100