CPL-WB-01D3
宽带定向耦合器的ISO接口
特点
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50
Ω
额定输入/输出阻抗
宽工作频率范围
( 824兆赫至2170兆赫)
低插入损耗( < 0.2分贝)
26分贝耦合系数
高指向性
高ESD鲁棒性
( IEC 61000-4-2第4级)
倒装芯片封装
占用空间小
3
2
1
倒装芯片封装6颠簸
图1 。
引脚配置(顶视图)
好处
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非常低的廓
无铅封装
高射频性能
射频模块尺寸减小
RF
OUT
GND
RF
IN
A
B
ISO
GND
CPLD
应用
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四频段功率放大器模块
四频段前端模块
的GSM / WCDMA手机
描述
在CPL -WB- 01D3是一个宽带定向
耦合器设计用于测量RF天线输出
功率在GSM / WCDMA / TD-SCDMA的
应用程序。这CPL已经定制
宽带工作频率( EGSM和
CELL , PCS , DCS , TD- SCDMA , WCDMA频段I)
以在小于0.2 dB的插入损耗
发送带宽( 824 MHz至2170兆赫) 。
在CPL -WB - 01D3一直使用的设计
意法半导体IPD (集成无源
装置)上的非导电性的玻璃技术
衬底,以优化RF性能。该装置
在磁带和卷轴交付100 %测试。
2012年2月
文档编号019036版本3
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特征
CPL-WB-01D3
1
表1中。
符号
P
IN
特征
A
bsolute最大额定值(极限值)
价值
参数
分钟。
输入功率RF
IN
ESD额定值IEC 61000-4-2 ( C = 150 pF的, R = 330
Ω,
10张
与两种极性和每个条件,累积法)
RF
IN
中,Rf
OUT
空气放电
RF
IN
中,Rf
OUT
,接触放电
典型值。
马克斯。
35
DBM
单位
V
静电放电(IEC)的
±15
±8
2
100
500
-30
+85
kV
kV
kV
V
V
C
V
静电放电( HBM)的
人体模型, JESD22 - A114 -B ,所有的I / O
V
静电放电(MM)的
机器型号, JESD22 - A115 -A ,所有的I / O
V
静电放电(CDM)的
充电设备模型, JESD22 - C101 -C ,所有的I / O
T
OP
工作温度
表2中。
符号
Z
OUT
Z
IN
Z
CPLD
Z
ISO
电气特性(T
AMB
= 25 ° C) - 阻抗
价值
参数
分钟。
额定输出阻抗
标称输入阻抗
标称阻抗耦合
ISO标称阻抗
典型值。
50
50
50
50
马克斯。
Ω
Ω
Ω
Ω
单位
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文档编号019036版本3
CPL-WB-01D3
表3中。
符号
T
OP
f
I
L
R
L
CPLD
特征
电气特性(T
AMB
= 25 ° C) - 射频性能
价值
参数
工作温度
频带
(带宽)
在带宽插入损耗从824 MHz到2170 MHz的
回波损耗带宽
耦合系数
从1710 MHz至2025 MHz的
18
19
21
0.5
15
20
dB
dB
dB
( 824至849兆赫) - ( 880至915兆赫)
( 1710至1785年兆赫) - ( 1850年至1910年兆赫)
( 1880至2025年兆赫) - ( 1920至1980年兆赫)
从824 MHz到2025 MHz的
从824MHz到2170MHz的
从824MHz到915MHz的
15
24
26
27
测试条件
分钟。
-30
824
0.1
典型值。
马克斯。
+85
2170
0.2
°C
兆赫
dB
dB
dB
单位
纹波
DIR
在耦合纹波
单项
定向耦合器
文档编号019036版本3
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