订购数量： ENN8257
CPH6901
N沟道硅结型场效应管
CPH6901
特点
低频通用放大器，
差分放大器，模拟开关应用
包含在CP包目前使用的有2个场效应管复合型，改进的安装
效率大大。
在CPH6901形成有两个芯片，等价于2SK303 ，放置在一个封装中。
由于优异的热平衡和对能力的最佳差分放大。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 漏极电压
栅极电压
漏电流
允许功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
VDSX
VGDS
IG
ID
PD
PT
Tj
TSTG
1个单位
条件
评级
30
--30
10
10
200
300
150
--55到150
单位
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
栅极 - 源极漏电流
截止电压
栅极 - 源极电压差
漏电流
漏电流比
正向转移导纳
正向转移导纳比
输入电容
反向传输电容
静态漏 - 源极导通电阻
西塞
CRSS
YFS
符号
V（ BR ） GDS
IGSS
VGS （关闭）
V
GS
IDSS
条件
IG = -
-10μA ， VDS = 0
VGS = - 20V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1μA
VGS大 - 小VGS
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，V GS = 0（ FET1 ）
IDSS小/大IDSS
VDS = 10V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
YFS
小/
YFS
/大
VDS = 10V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
1.2
0.9
3.0
0.9
5.0
0.9
250
pF
pF
4.5
mS
评级
民
--30
--1.0
--0.3
--0.8
--1.25
50
3.0
典型值
最大
单位
V
nA
V
mV
mA
RDS （ ON）
VDS = 10mV的， VGS = 0
上面显示的规格为每个单独的晶体管。
标记： 1G
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
32505GB TS IM TA- 100274 No.8257-1 / 4
CPH6901
12
11
10
NF - F
VDS=10V
ID=3.0mA
240
PD - TA
集电极耗散， PD - 毫瓦
200
噪声系数NF - 分贝
9
8
7
6
160
120
=
Rg
5
4
3
2
1
1k
10
k
100k
5 100 2
5
1k
2
5 10k 2
5 100k 2
5 1M
ITR10362
80
40
0
10 2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
频率f - 赫兹
环境温度，钽 -
°C
ITR10363
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
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PS No.8257-4 / 4
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