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订购数量: EN6419
MOSFET : P通道MOSFET硅
SBD :肖特基二极管
CPH6801
DC / DC转换器应用
特点
·在CPH6801由一个P沟道MOSFET,
具有低导通电阻,超高速开关
荷兰国际集团,以及低电压驱动,以及肖特基势垒
二极管,具有短的反向恢复时间和
低正向电压,因此可实现高密度
安装。
·在CPH6801纳入每个设备是等价
借出与2SJ560与SBS004分别。
包装尺寸
单位:mm
2172
[CPH6801]
6
5
4
0.6
0.05
1.6
2.8
0.2
2.9
0.15
1
2
3
0.95
0.2
0.6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
[ SBD ]
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压浪涌
平均输出电流
浪涌电流
结温
储存温度
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
TSTG
50Hz正弦波, 1个周期
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW
为10μs ,占空比
1%
符号
条件
0.4
1 :门
2 :源
3 :阳极
4 :漏(阴极公用)
5 :排水(阴极公用)
6 :排水(阴极公用)
三洋: CPH6
0.7
0.9
评级
–20
±10
–1
–4
0.9
150
-55到+125
15
15
1
10
-55到+125
-55到+125
单位
V
V
A
A
W
C
C
安装在陶瓷板( 600毫米
2
×0.8mm)
V
V
A
A
C
C
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
31000TS ( KOTO ) TA- 2492 No.6419-1 / 5
CPH6801
电气特性
在Ta = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷"Miller"
二极管的正向电压
[ SBD ]
反向电压
正向电压
反向电流
端间电容
反向恢复时间
热阻
VR
VF1
VF2
IR
C
TRR
Rthj -A
IR=1mA
IF=0.5A
IF=1A
VR=6V
VR = 10V , F = 1MHz的周期
IF = IR = 100mA时,请参阅特定网络版测试电路。
安装在陶瓷板( 600毫米
×0.8mm)
2
符号
条件
评级
–20
–10
±10
–0.4
1.0
1.4
420
630
100
60
25
10
25
27
32
5
1
1
–0.9
15
0.30
0.35
42
15
110
0.35
0.40
500
–1.5
550
890
–1.4
典型值
最大
单位
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
ID = -1mA , VGS = 0
VDS = -20V , VGS = 0
VGS = ± 8V , VDS = 0
VDS = -10V ,ID = -1mA
VDS = -10V ,ID = -500mA
ID = -500mA , VGS = -4V
ID = -300mA , VGS = -2.5V
VDS = -10V , F = 1MHz的
VDS = -10V , F = 1MHz的
VDS = -10V , F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
VDS = -10V , VGS = -10V , ID = 1.0A
VDS = -10V , VGS = -10V , ID = 1.0A
VDS = -10V , VGS = -10V , ID = 1.0A
IS = -1.0A , VGS = 0
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
V
V
V
A
pF
ns
° C / W
标记: QB
电气连接
( TOP VIEW )
常见的正极
D
D
D
G
S
A
开关时间测试电路
[ MOSFET ]
VDD=--10V
VIN
0V
--4V
VIN
PW=10s
D.C.≤1%
ID=--500mA
RL=20
t
rr
测试电路
[ SBD ]
Duty≤10%
10s
P.G
50
CPH6801
S
--5V
100mA
G
50
100
10
TRR
10mA
D
VOUT
100mA
No.6419–2/5
CPH6801
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
ID - VDS
--6
.0V
--4
.0V
--8.0V
[ MOSFET ]
--3
.0V
--3.0
ID - VGS
VDS=--10V
[ MOSFET ]
.0V
--2.5
--1
0
25
°
C
--2.0
--1.0
--0.5
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
漏电流,我
D
– A
漏电流,我
D
– A
--2.0V
VGS=--1.5V
0
--0.1
--0.2 --0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--3.0
--3.5
--4.0
漏极至源极电压,V
DS
– V
1000
900
IT00780
1000
900
栅极 - 源极电压,V
GS
– V
75
--1.5
°
C
TA
--
V
--2.5
2 5
°
C
IT00781
RDS ( ON) - VGS
[ MOSFET ]
Ta=25°C
RDS ( ON) - TA
.5V
=--2
, VGS
0mA
--30
I D =
V
--4.0
S=
VG
毫安,
--500
I D =
[ MOSFET ]
静态漏 - 源
通态电阻,R
DS ( ON)
– m
静态漏 - 源
通态电阻,R
DS ( ON)
– m
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
800
700
600
500
400
300
200
100
0
--60
--40
--20
0
ID=--300mA
--500mA
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压,V
GS
– V
10
y
fs - ID
IT00782
环境温度TA - C
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
IT00783
[ MOSFET ]
VDS=--10V
IF - 室间隔缺损
正向转移导纳, | YFS | - S
7
5
3
2
[ MOSFET ]
VGS = 0
1.0
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
漏电流,我
D
– A
5
3
7 --10
IT00784
1000
7
5
5
0
--0.2
--0.4
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
--0.6
--0.8
°
C
-25
=-
Ta
°
C
75
°
C
25
正向电流I
F
– A
--1.0
--1.2
--1.4
SW时间 - ID
[ MOSFET ]
VDD=--10V
VGS=--4V
西塞,科斯,的Crss - pF的
二极管的正向电压, VSD - V
IT00785
西塞,科斯,的Crss - VDS
[ MOSFET ]
f=1MHz
切换时间, SW时间 - NS
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
tr
tf
3
2
100
7
5
3
西塞
科斯
TD (上)
CRSS
TD (关闭)
7 --1.0
2
3
5
2
10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
漏电流,我
D
– A
IT00786
漏极至源极电压,V
DS
– V
IT00787
No.6419–3/5
CPH6801
--10
--9
VGS - 的Qg
VDS=--10V
ID=--1A
[ MOSFET ]
--10
7
5
3
2
ASO
IDP=--4.0A
[ MOSFET ]
100s
1m
s
10
ms
栅极 - 源极电压,V
GS
– V
--8
漏电流,我
D
– A
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ID=--1.0A
DC
10
0
ms
操作
这个区域是
受限于RDS ( ON) 。
op
ERA
TIO
n
总栅极电荷QG - 数控
1.2
--0.01
--0.1
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板( 600毫米
2
×0.8mm)
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
IT00788
漏极至源极电压,V
DS
– V
5
3
IT00790
PD - TA
[ MOSFET ]
IF - VF
[ SBD ]
允许功耗,P
D
– W
1.0
0.9
0.8
2
M
正向电流IF - 一个
ou
1.0
7
5
3
NTE
do
na
C
5
°
12
=
Ta
°
25
C
10
0.4
(6
0.1
2
×
0
0.2
.8m
m)
140
160
3
2
0.01
0
0
20
40
60
80
100
120
0
0.1
0.2
75
°
C
00
mm
7
5
50
°
0.3
C
ic
bo
ARD
0
°
2
C
0.6
ce
内存
0.4
0.5
IT00622
环境温度TA - C
100
7
5
3
2
IT00789
正向电压VF - V
平均远期功耗, PF ( AV ) - 含
0.8
IR - VR
Ta=125
°
C
100
°C
[ SBD ]
PF ( AV ) - IO
/Rectangular
WAVE
θ=60°
[ SBD ]
0.7
/Rectangular
WAVE
θ=120°
/Rectangular
WAVE
θ=180°
0.6
\u003e正弦
WAVE
θ=180°
0.5
0.4
0.3
0.2
正弦波
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
180°
360°
1.0
矩形波
θ
360°
¤
反向电流, IR - 毫安
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0
5
75
°C
50
°C
25
°C
0.01
10
15
IT00623
1.2
1.4
IT00624
反向电压VR - V
1000
7
5
平均正向电流, IO - 一个
12
- VR
[ SBD ]
f=1MHz
正向电流浪涌, IS (峰) - 一个
[ SBD ]
电流波形50Hz正弦波
Is
20ms
t
IS - 吨
端间电容,C - pF的
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
1.0
2
3
5
7
10
2
3
IT00625
10
8
6
4
2
0
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
反向电压VR - V
时间t - S
7 1.0
2
3
IT00626
No.6419–4/5
CPH6801
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
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第三方或其他权利。
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PS No.6419-5 / 5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CPH6801
    -
    -
    -
    -
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CPH6801
√ 欧美㊣品
▲10/11+
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8170
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