注文コード第N 7 1 4 5
CPH6602
号
N7145
11502
新
CPH6602
特長
½オン抵抗。
超高速スイッチング。
2.5V 駆動。
N チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
MOS ½電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可½である。
絶対最大定格
绝对最大额定值/ TA = 25 ℃
ドレイン½ース電圧
VDSS
ゲート½ース電圧
ドレイン电流（ DC ）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW ≦为10μs ，占空比≦ 1 ％
セラミック基板(900mm
2
× 0.8毫米）装着时1台
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
最大
1
0.4
2.4
3.5
100
130
± 10
1.3
130
单位
V
A
A
V
S
m
20
± 10
2.0
8.0
0.9
150
55 ＋ 150
民
典型值
電気的特性
电气特性/ TA = 25 ℃
ドレイン½ース降伏電圧
ドレイン½ースしゃ断電流
ゲート½ースもれ電流
ゲート½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン½ース間オン抵抗
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
単½品名表示：FM
電気的接続図
6
5
4
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 20V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ， ID = 1A
ID = 1A ， VGS = 4V
ID = 0.5A ， VGS = 2.5V
20
180 m
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外½図2202
（单位：毫米）
6
5
4
1
2
3
0.4
0.7
0.9
0.2
顶视图
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ： Drain2
4 ：源2
5 ： GATE2
6 ： Drain1
0.6
0.05
1
2
3
0.95
0.6
1.6
2.8
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ： Drain2
4 ：源2
5 ： GATE2
6 ： Drain1
三洋： CPH6
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途
（生½維持装½、
航空機のコントロールシステム等、
多大な人的物的損害を及ぼす恐れのある用途）
に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
11502 TS IM ◎½藤 TA-3452 No.7145-1/4
0.2
2.9
0.15
CPH6602
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民
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート½ース電荷量
ゲートドレイン電荷量
ダイオード順電圧
スイッチングタイム測定回路図
VIN
4V
0V
VIN
ID=1A
RL=10
VOUT
VDD=10V
典型值
190
40
25
9
25
25
18
2.7
0.6
0.6
0.87
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
指定回路において
〃
〃
〃
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 2A
IS = 2A ， VGS = 0
1.2
V
D
PW=10s
D.C.≦1%
G
CPH6602
P.G
50
S
2.0
ID - VDS
4.0V
3.0V
2.0
V
3.0
ID - VGS
VDS=10V
1.8
1.6
VGS=1.5V
ドレイン电流， ID -
2.5
ドレイン电流， ID -
1.4
1.2
2.5V
2.0
6.0V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.5
1.0
Ta
=75
°
C
0
0.4
0.8
1.2
0.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
--2
5
1.6
°
C
25
°
C
2.0
IT02688
ドレイン½ース電圧, VDS -- V
ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m
300
IT02687
ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m
RDS （ ON） - VGS
ゲート½ース電圧, VGS -- V
250
RDS （ ON） - TA
Ta=25°C
250
200
200
1.0A
150
150
ID=0.5A
100
100
V
=2.5
，V GS
.5A
I D = 0
=4.0V
A，V GS
.0
I D = 1
50
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ゲート½ース電圧, VGS -- V
IT02689
周囲温度，钽 -
°C
IT02690
No.7145-2/4
CPH6602
本書記載の½品は、定められた条件下において、記載部品単½の性½特性機½などを規定するものであ
り、お客様の½品（機器）での性½特性機½などを保証するものではありません。部品単½の評価では
予測できない症状事態を確認するためにも、お客様の½品で必要とされる評価試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質高信頼性の½品を供給することに努めております。しかし、半導½½品はある確率で故障
が生てしまいます。この故障が原因となり、人½にかかわる事故、発煙発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可½性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路誤動½防止回路等の安全設計、冗長設計機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の½品が、外½為替及び外½貿易法に定める規制貨物（½務を含む）に該½する場合、輸出する
際に同法に基づく輸出許可が必要です。
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複½することを禁止します。
本書に記載された内容は、½品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
がって、ご½用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その½用
にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実½に対する保証を行うものではありません。
PS No.7145-4 / 4
QQ：2881677436 复制
