【订购数量： ENA1946ACPH6354三洋半导体数据表CPH6354特点P沟道MOSFET硅通用】,IC型号CPH6354-TL-H,CPH6354-TL-H PDF资料,CPH6354-TL-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1946A

CPH6354

三洋半导体

数据表

CPH6354

特点

P沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

导通电阻RDS （ ON） 1 = 77米

（典型值）。

4V DRIVE

无卤合规

在保护二极管

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 1500毫米

×0.8mm)

条件

评级

--60

±20

-4

--16

1.6

150

--55到150

单位

°C

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7018A-003

2.9

0.6

0.15

产品&包装信息

包

： CPH6

JEITA ， JEDEC

： SC - 74 ， SOT- 26 ， SOT- 457

最小包装数量： 3000个/卷。

CPH6354-TL-H

0.2

包装类型： TL

记号

LOT号

2.8

1.6

0.6

0.95

0.4

1 ：排水

2 ：排水

3 ：门

4 ：源

5 ：排水

6 ：排水

三洋： CPH6

电气连接

1, 2, 5, 6

0.9

0.2

http://semicon.sanyo.com/en/network

60612 TKIM / N0211PE TKIM TC- 00002651号A1946-1 / 7

0.05

CPH6354

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = - 4A ， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = - 4A

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = - 20V ， F = 1MHz的

条件

-1mA,

VGS=0V

ID = -

-60V,

VGS=0V

VDS = -

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

-10V,

ID = -

-1mA

VDS = -

-10V,

ID = -

-2A

VDS = -

-2A,

VGS = -

-10V

ID = -

-1A,

VGS = -

-4.5V

ID = -

-1A,

VGS = -

-4V

ID = -

评级

民

--60

-1

±10

--1.2

4.8

103

600

5.8

1.6

3.4

-0.84

-1.2

100

135

145

-2.6

典型值

最大

单位

μA

mΩ

开关时间测试电路

VIN

VDD = --30V

ID = --2A

RL=15Ω

VOUT

--10V

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

CPH6354

P.G

50Ω

订购信息

设备

CPH6354-TL-H

包

CPH6

航运

3,000pcs./reel

备忘录

无铅和无卤素

第A1946-2 / 7

CPH6354

--6.0

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

ID - VDS

--4

.0 V

--8

ID - VGS

VDS = --10V

--3

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

--16

.0V

-10.0V

漏极电流ID -

--4

VGS = --2.5V

漏极电流ID -

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--1

--2

Ta=7

--25

--3

--4

--5

--6

IT16615

漏极至源极电压VDS - V

220

RDS （ ON） - VGS

IT16614

300

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - TA

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

180

160

140

120

100

--2

ID = --1A

--2A

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

Ta=25

250

200

150

= --

， ID

4.5V

= --

V GS

100

VGS

= --1

， ID

--4.0

= --

VGS

--2

， I D =

0.0V

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--60 --40

--20

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT16616

--10

--1.0

环境温度，钽 -

IS - VSD

IT16617

正向转移导纳，

-- S

VDS = --10V

VGS=0V

1.0

0.1

--0.01

--2

源出电流，是 - 个

Ta=7

--0.2

--0.4

--0.6

--0.1

5 7 --0.1

5 7 --1.0

漏极电流ID -

100

5 7 --10

IT16618

--0.01

--25

--0.8

--1.0

--1.2

IT16619

SW时间 - ID

TD （关闭）

1000

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

二极管的正向电压， VSD - V

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

西塞，科斯，的Crss - pF的

1.0

--0.1

100

TD （上）

科斯

CRSS

VDD = --30V

VGS = --10V

--1.0

--10

--20

--30

--40

--50

--60

IT16621

漏极电流ID -

IT16620

漏极至源极电压VDS - V

第A1946-3 / 7

CPH6354

--10

--9

VGS - 的Qg

VDS = --30V

ID = --4A

栅极 - 源极电压VGS - V

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

--100

ASO

IDP = --16A （ PW≤10μs ）

漏极电流ID -

--10

--1.0

--0.1

ID = --4A

ATI

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

)

--0.01

--0.01 2 3

Ta=25

单脉冲

当安装在陶瓷基体（ 1500毫米

×0.8mm)

5 7--0.1

2 3

5 7--1.0 2 3

5 7--10

2 3

总栅极电荷QG - 数控

1.8

PD - TA

IT16622

漏极至源极电压VDS - V

5 7

--100

IT16623

允许功耗， PD - 含

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

当安装在陶瓷基板

(1500mm

×0.8mm)

100

125

150

175

IT16624

环境温度，钽 -

°C

第A1946-4 / 7

CPH6354

压纹带包装特定网络阳离子

CPH6354-TL-H

第A1946-5 / 7

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CPH6354-TL-H

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CPH-6

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