【订购数量： ENA1606CPH6153三洋半导体数据表CPH6153应用PNP外延平面硅晶体管负载】,IC型号CPH6153,CPH6153 PDF资料,CPH6153经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1606

CPH6153

三洋半导体

数据表

CPH6153

应用

PNP外延平面硅晶体管

负载开关应用

负载开关，DC-DC转换器，电动机驱动器，充电器。

特点

通过MBIT过程。

高电流容量。

低集电极 - 发射极饱和电压。

高速开关。

要作出小巧玲珑（ 0.9毫米）超小尺寸的封装允许应用集。

高允许功耗。

IECO被保证用于防止反向溢流从集电极到发射极。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

TSTG

当安装在陶瓷基体（ 600毫米

×0.8mm)

条件

评级

-20

-5

-3

-5

-600

1.3

150

-55到+150

单位

°C

标记： TC

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得

被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用

我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序

应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前

使用目的，我们的客户须自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

www.semiconductor-sanyo.com/network

11310EA TK IM TC- 00002230号A1606-1 / 4

CPH6153

电气特性

在TA = 25℃

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基极 - 发射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

开启时间

贮存时间

下降时间

符号

ICBO

IEBO

IECO

的hFE

COB

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

吨

TSTG

条件

VCB = -20V ， IE = 0A

VEB = -4V ， IC = 0A

VEC = -4.5V ， IB = 0A

VCE = -2V ， IC = -100mA

VCE = -10V ， IC = -300mA

VCB = -10V ， F = 1MHz的

IC = -1.5A ， IB = -75mA

IC = -10μA ， IE = 0A

IC = -1mA ， RBE = ∞

IE = -10μA ， IC = 0A

请参阅特定网络版测试电路。

-20

-5

200

400

-130

-0.93

-195

-1.2

评级

民

典型值

最大

-0.1

-1

560

兆赫

单位

μA

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7018A-002

2.9

0.6

0.2

0.15

开关时间测试电路

PW=20μs

特区

≤

输入

50Ω

IB1

IB2

100μF

470μF

VCC = --10V

产量

5Ω

2.8

1.6

0.05

0.6

0.95

0.4

1 ：收藏家

2 ：收藏家

3 ：基本

4 ：发射器

5 ：收藏家

6 ：收藏家

三洋： CPH6

VBE=5V

IC=--20IB1=20IB2=--2A

0.9

0.2

--3.0

IC - VCE

--0.20

--0.18

IC - VCE

--70

--1m

--2.5

--6

--7

--40

--600

--500

--400

集电极电流， IC - 一个

--2.0

集电极电流， IC - 一个

--10

0mA

--20mA

--0.16

--0.14

--0.12

--0.10

--0.08

--0.06

--0.04

--0.02

--300

--200

--1.5

--10mA

--6mA

--1.0

--4mA

--2mA

IB=0mA

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7 --0.8

--0.9 --1.0

IT15191

--100

μA

--0.5

IB=0μA

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

集电极 - 发射极电压VCE - V

IT15192

第A1606-2 / 4

CPH6153

--3.0

IC - VBE

VCE = --2V

的hFE - IC

VCE = --2V

--2.5

集电极电流， IC - 一个

直流电流增益， hFE参数

--2.0

Ta=7

--1.5

--25

--1.0

Ta=7

--25

100

--0.01

--0.5

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

IT15201

7 --0.1

7 --1.0

基极发射极电压VBE - V

1000

F T - IC

集电极电流， IC - 一个

100

COB - VCB

IT15202

VCE = --10V

输出电容，科夫 - pF的

f=1MHz

增益带宽积， F T - 兆赫

100

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

--0.1

7 --1.0

7 --10

集电极电流， IC - 一个

VCE （SAT） - IC

IT15195

集电极 - 基极电压VCB - V

VBE （星期六） - IC

IT15196

IC / IB = 20

基极 - 发射极

饱和电压VBE （星期六） - V

IC / IB = 20

集电极 - 发射极

饱和电压VCE （SAT） - 毫伏

--0.1

--2

--1.0

TA = --25

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

集电极电流， IC - 一个

--10

--1.0

--0.1

ASO

IT5203

1.4

集电极电流， IC - 一个

PC - TA

IT15204

集电极耗散，电脑 - 含

ICP = --5A

IC = --3A

<10μs

1.3

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

集电极电流， IC - 一个

1ms

ATI

)

当安装在陶瓷基板

(600mm

0.8mm)

--0.01

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基体（ 600毫米

×0.8mm)

5 7 --0.1

5 7 --1.0

5 7 --10

2 3

集电极 - 发射极电压VCE - V

IT15205

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT15206

第A1606-3 / 4

CPH6153

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）

有限公司。本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障

或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给

上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，

采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但

不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及

结构设计。

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PS第A1606-4 / 4