【订购数量： ENA0336CPH5852三洋半导体数据表CPH5852特点MOSFET ： P通道M】,IC型号CPH5852,CPH5852 PDF资料,CPH5852经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA0336

CPH5852

三洋半导体

数据表

CPH5852

特点

MOSFET ： P通道MOSFET硅

SBD ：肖特基二极管

通用开关设备

应用

含P沟道MOSFET （ MCH3312 ）和肖特基势垒二极管（ SB1003M3 ）复合型，

促进高密度安装。

[马鞍山]

低导通电阻

超高速开关

4V DRIVE

[ SBD ]

反向恢复时间短

低正向电压

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

[ SBD ]

反向重复峰值电压

非重复性峰值反向电压浪涌

平均输出电流

正向电流浪涌

结温

储存温度

VRRM

VRSM

IFSM

TSTG

50Hz正弦波，回循环

--55到125

°C

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板（ 600毫米

!0.8mm)

1unit

--30

±20

--2

--8

0.9

150

--55到125

°C

符号

条件

评级

单位

标记： YE

描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品

能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，

该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致

严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表

最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，

应用程序。

三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任

AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）

本文描述或包含的产品。

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

号

82306 / 60506PE MS IM TB- 00002326

A0336-1/6

CPH5852

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ SBD ]

反向电压

正向电压

反向电流

端间电容

反向恢复时间

VF 1

VF 2

TRR

IR=0.5mA

IF=0.7A

IF=1.0A

VR=16V

VR = 10V ， F = 1MHz的周期

IF = IR = 100mA时，请参阅特定网络版测试电路。

0.45

0.48

0.5

0.53

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGSS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = -

-1mA

VDS = - 10V ，ID = -

-1A

ID = - 1A ， VGS = - 10V

ID = - 500毫安， VGS = -

-4V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 2A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 2A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 2A

IS = - 2A ， VGS = 0V

--1.2

1.2

2.0

110

205

200

7.2

2.9

8.7

5.5

0.98

0.82

--0.85

--1.2

145

290

--30

--1

±10

--2.6

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

包装尺寸

单位： MMM

7017A-005

2.9

0.15

电气连接

0.6

0.2

2.8

1.6

0.05

1 ：阴极

2 ：排水

3 ：门

4 ：源

5 ：阳极

顶视图

0.6

0.95

0.4

1 ：阴极

2 ：排水

3 ：门

4 ：源

5 ：阳极

三洋： CPH5

0.9

0.2

第A0336-2 / 6

CPH5852

开关时间测试电路

[ MOSFET ]

VIN

--10V

VIN

ID = --1A

RL=15

VOUT

10s

--5V

100

TRR测试电路

[ SBD ]

Duty≤10%

VDD = --15V

100mA

PW=10s

D.C.≤1%

100mA

TRR

CPH5852

P.G

--6.0

--4.

--2.0

ID - VDS

--10.

[ MOSFET ]

--5.0

ID - VGS

VDS =

--10V

--4.5

--4.0

--1.6

漏极电流ID -

--3

--1.2

漏极电流ID -

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--0.8

VGS = --3.0V

--0.4

--1.0

--0.5

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--25

--3.0

--3.5

--1.5

10mA

[ MOSFET ]

--4.0

--4.5

400

漏极至源极电压VDS - V

IT03212

RDS （ ON） - VGS

[ MOSFET ]

Ta=25°C

400

栅极 - 源极电压VGS - V

IT03213

RDS （ ON） - TA

[ MOSFET ]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

350

300

250

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

350

300

250

200

150

100

--60

--1.0A

200

--0.5

I D =

--4V

， VG

ID = --0.5A

150

100

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--18

--20

= --10

0A ，V GS

I D = -

--40

--20

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

IT03214

环境温度，钽 -

°C

IT03215

第A0336-3 / 6

CPH5852

fs - ID

正向转移导纳，

fs - S

[ MOSFET ]

VDS =

--10V

--10

--1.0

--0.1

IS - VSD

[ MOSFET ]

VGS=0V

1.0

--2

源出电流，是 - 个

Ta=7

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

0.1

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

漏极电流ID -

100

5 7 --10

IT03216

--0.01

--0.2

--0.7

--25

--0.8

--0.9

--1.0

--1.1

--1.2

SW时间 - ID

[ MOSFET ]

IT03217

二极管的正向电压， VSD - V

西塞，科斯，的Crss - VDS

[ MOSFET ]

VDD “

--15V

VGS =

--10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

f=1MHz

西塞

切换时间， SW时间 - NS

1.0

--0.1

--1.0

IT03218

--5

--10

--15

--20

--25

--30

100

TD （关闭）

TD （上）

科斯

CRSS

漏极电流ID -

--10

--9

VGS - 的Qg

[ MOSFET ]

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --10V

ID = --2A

漏极电流ID -

--10

--1.0

--0.1

漏极至源极电压VDS - V

IT03219

ASO

[ MOSFET ]

≤10s

IDP = --8A

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

IT03220

ID = --2A

ATI

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 600毫米

!0.8mm)

1unit

5 7--0.1

2 3

5 7--1.0 2 3

5 7 --10

2 3

--0.01

--0.01 2 3

总栅极电荷QG - 数控

1.0

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

5 7--100

IT03221

[ MOSFET ]

允许功耗， PD - 含

0.9

0.8

0.6

0.4

0.2

160

100

120

140

环境温度，钽 -

°C

IT03222

第A0336-4 / 6

CPH5852

1.0

IF - VF

10000

1000

IR - VR

Ta=125°C

100

反向电流， IR -

正向电流IF - 一个

0.1

0.01

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

IT09553

100

1.0

0.1

0.01

125

100

--25

0.001

0.0001

IT09554

正向电压VF - V

平均远期功耗， PF （ AV ） - 含

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

PF （ AV ） - IO

反向电压VR - V

- VR

矩形

WAVE

360°

(1)

(2) (4)(3)

端间电容，C - pF的

100

正弦

WAVE

180°

360°

（ 1 ）矩形波

=60

（2）的矩形波

=120

（3）矩形波

=180

（ 4 ）正弦波

=180

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

IT09555

0.1

7 1.0

7 10

平均输出电流， IO - 一个

IFSM - 吨

反向电压VR - V

IT09556

正向电流浪涌， IFSM （峰值） - 一个

电流波形50Hz正弦波

20ms

7 0.01

7 0.1

7 1.0

时间t - S

ID00435

第A0336-5 / 6