订购数量： EN8688
CPH5846
三洋半导体
数据表
CPH5846
特点
MOSFET ： P通道MOSFET硅
SBD ：肖特基二极管
通用开关设备
应用
复合型与P沟道MOSFET酸化镍（ MCH3309 ）和肖特基势垒二极管（ SS10015M ）
包含在一个包促进高密度安装。
[ MOSFET ]
低导通电阻。
超高速开关。
低电压驱动。
[ SBD ]
短的反向恢复时间。
低正向电压。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
[ SBD ]
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压浪涌
平均输出电流
正向电流浪涌
结温
储存温度
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
TSTG
50Hz正弦波， 1个周期
15
15
1
3
--55到125
--55到125
V
V
A
A
°C
°C
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷基板
(900mm
2
!0.8mm)
1unit
--20
±10
--1.5
--6.0
0.9
150
--55到125
V
V
A
A
W
°C
°C
符号
条件
评级
单位
标记： XY
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
N0106PE SY IM TC- 00000270 No.8688-1 / 6
CPH5846
电气特性
在TA = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
[ SBD ]
反向电压
正向电压
反向电流
端间电容
反向恢复时间
VR
VF 1
VF 2
IR
C
TRR
IR=0.5mA
IF=0.3A
IF=0.5A
VR=6V
VR = 10V ， F = 1MHz时， 1周期
IF = IR = 100mA时，请参阅特定网络版测试电路。
15
0.31
0.34
20
10
0.34
0.37
90
V
V
V
A
pF
ns
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = - 20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = - 10V ，ID = -
-1mA
VDS = - 10V ，ID = -
-800mA
ID = - 800毫安， VGS = -
-4V
ID = - 400毫安， VGS = -
-2.5V
ID = - 70毫安， VGS = - 1.8V
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = - 10V ， VGS = -
-4V ，ID = -
-1.5A
VDS = - 10V ， VGS = -
-4V ，ID = -
-1.5A
VDS = - 10V ， VGS = -
-4V ，ID = -
-1.5A
IS = - 1.5A ， VGS = 0V
--0.4
1.3
2.3
180
240
350
290
40
25
10
35
32
27
3.2
0.8
0.6
--0.87
--1.2
235
340
600
--20
--1
±10
--1.3
V
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
符号
条件
评级
民
典型值
最大
单位
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7017A-005
电气连接
5
0.6
4
3
2.9
0.15
5
4
3
0.2
2.8
1.6
0.05
1 ：阴极
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：阳极
1
2
0.6
1
0.95
2
0.4
顶视图
1 ：阴极
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：阳极
三洋： CPH5
0.9
0.2
No.8688-2/6
CPH5846
10
7
5
3
2
IF - VF
[ SBD ]
100000
IR - VR
Ta=125
°C
100°C
[ SBD ]
10000
反向电流， IR -
A
正向电流IF - 一个
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0
0.1
0.2
1000
75
°C
50
°C
100
25
°
C
Ta
=1
2
10
5
°
C
0
°
C
75
°
C
50
°
C
25
°
C
10
--2
5
°
C
1.0
--25
°
C
0.1
0.01
0.3
0.4
0.5
IT07150
0
5
10
15
IT07151
0.001
正向电压VF - V
平均远期功耗， PF （ AV ） - 含
0.7
PF （ AV ） - IO
反向电压VR - V
2
[ SBD ]
(2) (4)(3)
- VR
[ SBD ]
f=1MHz
(1)
端间电容，C - pF的
0.6
（ 1 ）矩形波
θ=60°
（2）的矩形波
θ=120°
（3）矩形波
θ=180°
（ 4 ）正弦波
θ=180°
100
7
5
0.5
0.4
0.3
矩形波
θ
360°
3
2
0.2
正弦波
0.1
0
0
180°
360°
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
平均输出电流， IO - 一个
3.5
IT07152
反向电压VR - V
IT07153
IFSM - 吨
I
S
[ SBD ]
正向电流浪涌， IFSM （峰值） - 一个
电流波形50Hz正弦波
3.0
2.5
20ms
t
2.0
1.5
1.0
0.5
0
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
时间t - S
ID00338
No.8688-5/6
QQ：2880707522 复制
