订购数量： ENN7750
CPH5824
CPH5824
特点
MOSFET ： N沟道MOSFET硅
SBD ：肖特基二极管
通用
开关设备应用
直流/直流转换器的应用程序。
复合型与N型沟道MOSFET的酸化镍（ MCH3405 ）和肖特基势垒二极管（ SB07-03C ）
包含在一个包促进高密度安装。
[ MOSFET ]
低导通电阻。
超高速开关。
1.8V驱动器。
[ SBD ]
短的反向恢复时间。
低正向电压。
低反向电流。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
[ SBD ]
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压浪涌
平均输出电流
正向电流浪涌
结温
储存温度
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
TSTG
50Hz正弦波， 1个周期
30
35
700
2
--55到125
--55到125
V
V
mA
A
°C
°C
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
1unit
20
±10
1.1
4.4
0.8
150
--55到125
V
V
A
A
W
°C
°C
符号
条件
评级
单位
标记： XA
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
61504 TS IM TA- 101045 No.7750-1 / 6
CPH5824
电气特性
在TA = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
[ SBD ]
反向电压
正向电压
反向电流
端间电容
反向恢复时间
VR
VF
IR
C
TRR
IR=300A
IF=700mA
VR=15V
VR = 10V ， F = 1MHz时， 1周期
IF = IR = 100mA时，请参阅特定网络版测试电路。
30
0.55
80
25
10
V
V
A
pF
ns
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 20V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ， ID = 1A
ID = 1A ， VGS = 4V
ID = 0.5A ， VGS = 2.5V
ID = 0.1A ， VGS = 1.8V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 1.1A
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 1.1A
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 1.1A
IS = 1.1A ， VGS = 0
0.4
1.4
2.3
175
215
295
100
22
15
6.5
28
19
13
1.8
0.4
0.4
0.87
1.2
230
300
410
20
1
±10
1.3
V
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
符号
条件
评级
民
典型值
最大
单位
包装尺寸
单位：mm
2171
2.9
电气连接
5
0.2
0.15
4
3
5
4
3
0.6
0.6
1.6
2.8
0.05
1 ：阴极
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：阳极
1
2
顶视图
1
0.95
2
0.4
1 ：阴极
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：阳极
三洋： CPH5
0.2
0.4
0.7
0.9
No.7750-2/6
CPH5824
10
7
5
3
y
fs - ID
[ MOSFET ]
VDS=10V
正向转移导纳，
y
fs - S
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
IF - 室间隔缺损
[ MOSFET ]
VGS=0
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0.001 2 3
5 7 0.01
Ta
°
C
75
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5
0.01
0.4
0.5
0.6
Ta
=7
5
--2
=
5
°
C
25
°
C
--2
5
°
C
0.7
0.8
0.9
1.0
7
5
°
C
25
°
C
正向电流IF - 一个
2
1.0
1.1
1.2
漏极电流ID -
100
7
IT07167
SW时间 - ID
VDD=10V
VGS=4V
[ MOSFET ]
3
2
二极管的正向电压， VSD - V
IT02988
西塞，科斯，的Crss - VDS
[ MOSFET ]
f=1MHz
切换时间， SW时间 - NS
5
tr
西塞，科斯，的Crss - pF的
3
2
TD （关闭）
100
7
5
西塞
tf
10
7
5
3
2
0.1
TD （上）
3
2
科斯
CRSS
10
2
3
5
7
1.0
2
3
5
IT07168
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
漏极电流ID -
10
9
VGS - 的Qg
[ MOSFET ]
10
7
5
3
2
漏极至源极电压VDS - V
IT02990
[ MOSFET ]
ASO
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS=10V
ID=1.1A
漏极电流ID -
IDP=4.4A
≤10s
1m
s
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
IT02991
ID=1.1A
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
10
10
m
s
n
s
io
0m
ERAT
op
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
0.01
0.01
Ta=25
°
C
单脉冲
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
1unit
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
总栅极电荷QG - 数控
1.0
漏极至源极电压VDS - V
D
C
IT07169
PD - TA
[ MOSFET ]
允许功耗， PD - 含
0.8
M
ou
nt
ed
on
0.6
ac
er
am
ic
bo
0.4
ar
d
(9
00
m
m
2
!
0
0.2
.8m
m
)1
un
it
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
Amibient Tamperature ，钽 -
°
C
IT07170
No.7750-4/6
QQ：2881677436 复制
