注文コード第N 7 7 0 1
CPH5821
CPH5821
特長
· DC / DCコンバータ用。
MOSFET : P チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ
SBD ：ショットキバリアダイオード
汎用スイッチングデバイス
P チャネル MOS ½電界効果トランジスタ
（MCH3312)とショットキバリアダイオード
（ SBS004 ） 1パッケージに
を
内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可½である。
［MOS½
4V駆動。
［SBD½
逆回復時間が短い。
½順電圧。
絶対最大定格
绝对最大额定值/ TA = 25 ℃
項目
記号
［MOSFET 部½
ドレイン½ース電圧
ゲート½ース電圧
ドレイン电流（ DC ）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
［SBD 部½
繰り返しピーク逆電圧
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW ≦为10μs ，占空比≦ 1 ％
セラミック基板(600mm
2
× 0.8毫米）装着时1台
条件
定格値
30
± 20
2
8
0.9
150
55 ＋ 125
15
15
1
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
V
V
A
A
℃
℃
VRRM
非缲り返しピーク逆サージ电圧VRSM
平均整流電流
IO
サージ電流
接合部温度
保存周囲温度
IFSM
Tj
TSTG
50Hz的正弦波1サイクル
10
55 ＋ 125
55 ＋ 125
単½品名表示：QX
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途
（生½維持装½、
航空機のコントロールシステム等、
多大な人的物的損害を及ぼす恐れのある用途）
に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越え½用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
61504 TS IM ◎川浦TA- 100874 No.7701-1 / 5
CPH5821
電気的特性
电气特性/ TA = 25 ℃
項目
[ MOSFET部]
ドレイン½ース降伏電圧
ドレイン½ースしゃ断電流
ゲート½ースもれ電流
ゲート½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート½ース電荷量
ゲートドレイン電荷量
ダイオード順電圧
[ SBD部]
逆電圧
順電圧
逆電流
端子間容量
逆回復時間
外½図
单位：mm
2171
5
2.9
記号
条件
定格値
民
30
1
± 10
1.2
1.2
2.6
2.0
110
205
200
47
32
7.2
2.9
21
8.7
5.5
0.98
0.82
0.85
15
0.30
0.35
42
15
0.35
0.40
500
1.5
145
290
典型值
最大
单位
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
VR
VF1
VF2
IR
C
TRR
ID = - 1mA时， VGS = 0
VDS = - 30V ， VGS = 0
VGSS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = - 10V ，ID = - 1毫安
VDS = - 10V ，ID = - 1A
ID = - 1A ， VGS = - 10V
ID = - 500毫安， VGS = - 4V
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
VDS = - 10V ， VGS = - 10V ， ID = - 2A
VDS = - 10V ， VGS = - 10V ， ID = - 2A
VDS = - 10V ， VGS = - 10V ， ID = - 2A
IS = - 2A ， VGS = 0
IR=1mA
IF=0.5A
IF=1A
VR=6V
VR = 10V ， F = 1MHz的サイクル
IF = IR = 100mA时指定回路において
電気的接続図
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
V
V
V
A
pF
ns
4
3
5
4
3
0.6
0.6
1.6
2.8
0.05
0.2
0.15
1 ：阴极
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：阳极
1
2
1
0.95
2
0.4
顶视图
1 ：阴极
2 ：排水
3 ：门
4 ：源
5 ：阳极
三洋： CPH5
0.2
0.4
0.7
0.9
No.7701-2/5
CPH5821
スイッチングタイム測定回路図
VIN
（ MOSFET部）
0V
--10V
VDD = --15V
TRR指定回路図
（ SBD部）
Duty≦10%
10mA
VIN
D
PW=10s
D.C.≦1%
ID = --1A
RL=15
VOUT
50
10s
100
10
100mA
G
--5V
P.G
50
100mA
S
CPH5821
（ MOSFET部）
TRR
--2.0
ID - VDS
V
--6.0
V
--10.0
--4.
0
V
[ MOSFET部]
--5.0
--4.5
--4.0
ID - VGS
VDS=10V
[ MOSFET部]
--1.6
ドレイン电流， ID -
--3.
--1.2
5V
ドレイン电流， ID -
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--0.8
VGS = --3.0V
--0.5
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
Ta
--0.4
--1.0
°
C
25
°
C
--25
°
C
--3.0
--3.5
--1.5
=75
--4.0
--4.5
ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m
400
350
300
250
ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m
ドレイン½ース電圧, VDS -- V
IT03212
RDS （ ON） - VGS
[ MOSFET部]
Ta=25°C
400
350
300
250
200
150
100
50
0
--60
ゲート½ース電圧, VGS -- V
IT03213
RDS （ ON） - TA
[ MOSFET部]
--1.0A
200
= --4
， VGS
A
--0.5
I D =
V
ID = --0.5A
150
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
= --10V
0A ，V GS
.
I D = --1
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
7
ゲート½ース電圧, VGS -- V
IT03214
y
fs - ID
[ MOSFET部]
VDS=10V
周囲温度，钽 -
°C
--10
7
5
3
2
IT03215
IF - 室间隔缺损
[ MOSFET部]
VGS=0
順伝達アドミタンス,
y
fs - S
5
3
2
1.0
7
5
3
2
Ta
°
C
--25
=
°
C
75
顺电流， IF - 一个
°
C
25
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
5
°
C
--0.3
--0.4
--0.5
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
ドレイン电流， ID -
5 7 --10
IT03216
--0.01
--0.2
Ta=7
--0.6
--0.7
--25
°
C
--0.8
--0.9
25
°
C
--1.0
--1.1
--1.2
ダイオード顺电圧， VSD - V
IT03217
No.7701-3/5
CPH5821
0.7
PF （ AV ） - IO
(1)方½波
θ=60°
(2)方½波
θ=120°
(3)方½波
θ=180°
(4)正弦波
θ=180°
[ SBD部]
5
3
- VR
[ SBD部]
f=1MHz
平均顺电力损失， PF （ AV ） - 含
0.6
0.5
端子间容量，C - pF的
1.4
IT00624
(1)
(2) (4)
(3)
2
0.4
100
7
5
3
2
0.3
方½波
0.2
θ
360°
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正弦波
180°
360°
1.0
1.2
10
1.0
2
3
5
7
10
2
IT00625
平均顺电流， IO - 一个
12
IFSM - 吨
Is
逆电圧， VR - V
[ SBD部]
サージ顺电流， IFSM （ピーク値） - 一个
電流波½50Hz正弦波
10
8
20ms
t
6
4
2
0
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
时间，T - S
IT00626
本書記載の½品は、定められた条件下において、記載部品単½の性½特性機½などを規定するものであ
り、お客様の½品（機器）での性½特性機½などを保証するものではありません。部品単½の評価では
予測できない症状事態を確認するためにも、お客様の½品で必要とされる評価試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質高信頼性の½品を供給することに努めております。しかし、半導½½品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人½にかかわる事故、発煙発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可½性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路誤動½防止回路等の安全設計、冗長設計機構設計等の安全対策を行って下さい。
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がって、ご½用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
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PS No.7701-5 / 5
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