【订购数量： ENN6591CPH5705TR ： PNP外延平面硅晶体管SBD ： Sohottky】,IC型号CPH5705,CPH5705 PDF资料,CPH5705经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN6591

CPH5705

TR ： PNP外延平面硅晶体管

SBD ： Sohottky垒二极管

CPH5705

DC / DC转换器应用

特点

包装尺寸

单位：mm

2156

[CPH5705]

2.9

0.95

0.4

0.6

1.6

2.8

复合类型与一个PNP晶体管和一个肖特基

垒二极管包含在一个包中的促进

高密度安装。

该CPH5705由两个芯片是哪个

相当于CPH3109与SBS004 ， respec-

tively 。

超小型封装有利于小型化到底

产品。

0.6

0.05

0.2

0.15

1 ：阴极

2 ：收藏家

3 ：基本

4 ：发射器

5 ：阳极

三洋： CPH5

评级

-30

--5

--3

--5

--600

单位

°C

0.2

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

[ TR ]

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散

结温

储存温度

[ SBD ]

反向重复峰值电压

非重复性峰值反向电压浪涌

平均输出电流

正向电流浪涌

结温

储存温度

标记： PE

VRRM

VRSM

IFSM

TSTG

50Hz正弦波，回循环

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

TSTG

安装在陶瓷基板

符号

条件

0.4

(600mm

!0.8mm)

0.7

0.9

150

--55到125

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

61500 TS IM TA- 2903 No.6591-1 / 5

CPH5705

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ TR ]

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基极 - 发射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

开启时间

贮存时间

下降时间

[ SBD ]

反向电压

正向电压

反向电流

端间电容

反向恢复时间

热阻

VF 1

VF 2

TRR

RTH J-一

IR=1mA

IF=0.5A

IF=1A

VR=6V

VR = 10V ， F = 1MHz的

IF = IR = 100mA时，请参阅指定的测试电路

安装在陶瓷板（ 600毫米

!0.8mm)

0.30

0.35

110

0.35

0.40

500

° C / W

ICBO

IEBO

的hFE

COB

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

吨

TSTG

VCB = - 12V ， IE = 0

VEB = - 4V ， IC = 0

VCE = - 2V ， IC = - 0.5A

VCB = - 10V ， F = 1MHz的

IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安

IC = - 10μA ， IE = 0

IC = - 1mA时， RBE = ∞

IE = - 10μA ， IC = 0

请参阅特定网络版测试电路

--30

--5

270

200

380

--155

--0.83

--230

--1.2

--0.1

560

兆赫

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

电气连接

（ TOP VIEW ）

开关时间测试电路

[ TR ]

PW=20s

D.C.≤1%

输入

220F

470F

IB2

IB1

产量

TRR测试电路

[ SBD ]

100mA

Duty≤10%

100

100mA

10s

–5V

VCC = -5V

-20IB1 = 20IB2 = IC = -1.5A

VBE=5V

TRR

No.6591-2/5

10mA

CPH5705

--2.0

IC - VCE

--30mA

--40mA

--50m

[ TR ]

--4.0

IC - VBE

[ TR ]

VCE = --2V

--2

--10mA

--3.5

集电极电流， IC - 一个

--1.6

--8mA

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

--6mA

--4mA

--1.2

--0.8

--2mA

--0.4

--200

--400

--600

--800

IB=0

--1000

IT02116

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

IT02117

集电极 - 发射极电压VCE - 毫伏

1000

的hFE - IC

基极发射极电压VBE - V

1000

[ TR ]

VCE = --2V

F T - IC

Ta=75

--25

[ TR ]

VCE = --10V

Ta=75°C

增益带宽积， F T - 兆赫

直流电流增益， hFE参数

°C

--25°C

100

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

集电极电流， IC - 一个

5 7 --10

IT02118

--10

7 --100

7 --1000

集电极电流， IC - 毫安

--1.0

IT02119

COB - VCB

[ TR ]

f=1MHz

VCE （SAT） - IC

[ TR ]

IC / IB = 20

收藏家-to -发射

饱和电压VCE （SAT） - V

输出电容，科夫 - pF的

100

--0.1

a=7

--2

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

5 7 --10

IT02121

--1.0

--10

IT02120

--0.001

--0.01

集电极 - 基极电压VCB - V

--10

VCE （SAT） - IC

集电极电流， IC - 一个

--10

[ TR ]

IC / IB = 50

VBE （星期六） - IC

[ TR ]

IC / IB = 50

集电极 - 发射极

饱和电压VCE （SAT） - V

基极 - 发射极

饱和电压VBE （星期六） - V

--1.0

--0.1

5 7 --0.1

--1.0

TA = --25 ℃，

--25

°C

--0.01

5 7 --1.0

集电极电流， IC - 一个

5 7 --10

IT02122

--0.1

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

集电极电流， IC - 一个

7 --10

IT02123

No.6591-3/5

CPH5705

--10

ASO

ICP = --5A

IC = --3A

[ TR ]

1.0

0.9

PC - TA

[ TR ]

集电极耗散，电脑 - 含

集电极电流， IC - 一个

--1.0

--0.1

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

ERA

TIO

--0.01

--0.1

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板上（ 600毫米

!0.8mm)

5 7 --1.0

5 7 --10

)

集电极 - 发射极电压VCE - V

1.0

5 7 --100

IT02124

100

120

140

160

环境Tamperature ，钽 -

°C

100

IT02125

IF - VF

[ SBD ]

Ta=125

IR - VR

[ SBD ]

反向电流， IR - 毫安

正向电流IF - 一个

1.0

0.1

0.01

100

0.01

0.1

0.2

0.1

0.3

0.4

0.5

IT02126

IT02127

正向电压VF - V

平均远期功耗， PF （ AV ） - 含

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

PF （ AV ） - IO

反向电压VR - V

[ SBD ]

qRectangular

WAVE

θ=60°

wRectangular

WAVE

θ=120°

eRectangular

WAVE

θ=180°

rSine

WAVE

θ=180°

宽E

矩形

WAVE

360°

正弦波

180°

360°

1.2

1.4

IT02128

平均整流电流， IO - 一个

No.6591-4/5

CPH5705

任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，

特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证

的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的

产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，

客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。

三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有

半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能

事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，

或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，

确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性

电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。

在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述

此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，

这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照

有关在按照上述规律。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，

或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"

为SANYO产品，你打算使用。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是

为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但

无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的

第三方或其他权利。

该目录规定的6月， 2000年规范和信息此处如有

更改，恕不另行通知。

PS No.6591-5 / 5

订购数量： ENN6591

CPH5705

TR ： PNP外延平面硅晶体管

SBD ： Sohottky垒二极管

CPH5705

DC / DC转换器应用

特点

包装尺寸

单位：mm

2156

[CPH5705]

2.9

0.95

0.4

0.6

1.6

2.8

复合类型与一个PNP晶体管和一个肖特基

垒二极管包含在一个包中的促进

高密度安装。

该CPH5705由两个芯片是哪个

相当于CPH3109与SBS004 ， respec-

tively 。

超小型封装有利于小型化到底

产品。

0.6

0.05

0.2

0.15

1 ：阴极

2 ：收藏家

3 ：基本

4 ：发射器

5 ：阳极

三洋： CPH5

评级

-30

--5

--3

--5

--600

单位

°C

0.2

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

[ TR ]

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散

结温

储存温度

[ SBD ]

反向重复峰值电压

非重复性峰值反向电压浪涌

平均输出电流

正向电流浪涌

结温

储存温度

标记： PE

VRRM

VRSM

IFSM

TSTG

50Hz正弦波，回循环

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

TSTG

安装在陶瓷基板

符号

条件

0.4

(600mm

!0.8mm)

0.7

0.9

150

--55到125

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

61500 TS IM TA- 2903 No.6591-1 / 5

CPH5705

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ TR ]

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基极 - 发射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

开启时间

贮存时间

下降时间

[ SBD ]

反向电压

正向电压

反向电流

端间电容

反向恢复时间

热阻

VF 1

VF 2

TRR

RTH J-一

IR=1mA

IF=0.5A

IF=1A

VR=6V

VR = 10V ， F = 1MHz的

IF = IR = 100mA时，请参阅指定的测试电路

安装在陶瓷板（ 600毫米

!0.8mm)

0.30

0.35

110

0.35

0.40

500

° C / W

ICBO

IEBO

的hFE

COB

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

吨

TSTG

VCB = - 12V ， IE = 0

VEB = - 4V ， IC = 0

VCE = - 2V ， IC = - 0.5A

VCB = - 10V ， F = 1MHz的

IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安

IC = - 10μA ， IE = 0

IC = - 1mA时， RBE = ∞

IE = - 10μA ， IC = 0

请参阅特定网络版测试电路

--30

--5

270

200

380

--155

--0.83

--230

--1.2

--0.1

560

兆赫

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

电气连接

（ TOP VIEW ）

开关时间测试电路

[ TR ]

PW=20s

D.C.≤1%

输入

220F

470F

IB2

IB1

产量

TRR测试电路

[ SBD ]

100mA

Duty≤10%

100

100mA

10s

–5V

VCC = -5V

-20IB1 = 20IB2 = IC = -1.5A

VBE=5V

TRR

No.6591-2/5

10mA

CPH5705

--2.0

IC - VCE

--30mA

--40mA

--50m

[ TR ]

--4.0

IC - VBE

[ TR ]

VCE = --2V

--2

--10mA

--3.5

集电极电流， IC - 一个

--1.6

--8mA

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

--6mA

--4mA

--1.2

--0.8

--2mA

--0.4

--200

--400

--600

--800

IB=0

--1000

IT02116

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

IT02117

集电极 - 发射极电压VCE - 毫伏

1000

的hFE - IC

基极发射极电压VBE - V

1000

[ TR ]

VCE = --2V

F T - IC

Ta=75

--25

[ TR ]

VCE = --10V

Ta=75°C

增益带宽积， F T - 兆赫

直流电流增益， hFE参数

°C

--25°C

100

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

集电极电流， IC - 一个

5 7 --10

IT02118

--10

7 --100

7 --1000

集电极电流， IC - 毫安

--1.0

IT02119

COB - VCB

[ TR ]

f=1MHz

VCE （SAT） - IC

[ TR ]

IC / IB = 20

收藏家-to -发射

饱和电压VCE （SAT） - V

输出电容，科夫 - pF的

100

--0.1

a=7

--2

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

5 7 --10

IT02121

--1.0

--10

IT02120

--0.001

--0.01

集电极 - 基极电压VCB - V

--10

VCE （SAT） - IC

集电极电流， IC - 一个

--10

[ TR ]

IC / IB = 50

VBE （星期六） - IC

[ TR ]

IC / IB = 50

集电极 - 发射极

饱和电压VCE （SAT） - V

基极 - 发射极

饱和电压VBE （星期六） - V

--1.0

--0.1

5 7 --0.1

--1.0

TA = --25 ℃，

--25

°C

--0.01

5 7 --1.0

集电极电流， IC - 一个

5 7 --10

IT02122

--0.1

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

集电极电流， IC - 一个

7 --10

IT02123

No.6591-3/5

CPH5705

--10

ASO

ICP = --5A

IC = --3A

[ TR ]

1.0

0.9

PC - TA

[ TR ]

集电极耗散，电脑 - 含

集电极电流， IC - 一个

--1.0

--0.1

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

ERA

TIO

--0.01

--0.1

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板上（ 600毫米

!0.8mm)

5 7 --1.0

5 7 --10

)

集电极 - 发射极电压VCE - V

1.0

5 7 --100

IT02124

100

120

140

160

环境Tamperature ，钽 -

°C

100

IT02125

IF - VF

[ SBD ]

Ta=125

IR - VR

[ SBD ]

反向电流， IR - 毫安

正向电流IF - 一个

1.0

0.1

0.01

100

0.01

0.1

0.2

0.1

0.3

0.4

0.5

IT02126

IT02127

正向电压VF - V

平均远期功耗， PF （ AV ） - 含

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

PF （ AV ） - IO

反向电压VR - V

[ SBD ]

qRectangular

WAVE

θ=60°

wRectangular

WAVE

θ=120°

eRectangular

WAVE

θ=180°

rSine

WAVE

θ=180°

宽E

矩形

WAVE

360°

正弦波

180°

360°

1.2

1.4

IT02128

平均整流电流， IO - 一个

No.6591-4/5

CPH5705

任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，

特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证

的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的

产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，

客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。

三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有

半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能

事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，

或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，

确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性

电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。

在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述

此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，

这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照

有关在按照上述规律。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，

或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"

为SANYO产品，你打算使用。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是

为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但

无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的

第三方或其他权利。

该目录规定的6月， 2000年规范和信息此处如有

更改，恕不另行通知。

PS No.6591-5 / 5