订购数量： ENN8205
CPH5517
CPH5517
应用
PNP / NPN外延平面硅晶体管
大电流开关应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器。
特点
包含在包中的复合类型与一个PNP / NPN晶体管，有利于高密度安装。
在CPH5517由两个芯片这是相当于CPH3116和CPH3216分别。
超小型封装允许应用设置要小，煤泥（安装高度： 0.9毫米） 。
特定网络阳离子
（）： PNP型
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 600毫米
!
0.8毫米） 1台
2
条件
评级
(--50)60
(--)50
(--)5
(--)1.0
(--)3
(--)200
0.9
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益Bandwideth产品
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = （ - ） 40V， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ -
-)100mA
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 300毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
200
420
(9)6
评级
民
典型值
最大
(--)0.1
(--)0.1
560
兆赫
pF
单位
A
A
标记： EM
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
21505 TS IM TB- 00001151 No.8205-1 / 5
CPH5517
从接下页。
参数
符号
条件
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 10毫安
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （ SAT ）
IC = （ - ） 300毫安， IB = （ - ） 6毫安
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 10毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ -
- ） 10μA ， IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
典型值
(--280)
130
(--145)
90
(--)0.81
(--50)60
(--)50
(--)5
(36)38
(173)332
(28)40
最大
(--430)
190
(--220)
135
(--)1.2
单位
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm
2242
0.4
5
4
3
0.6
0.2
开关时间测试电路
0.15
PW=20s
DC≤1%
输入
IB1
IB2
产量
RB
+
100F
+
470F
24
1.6
2.8
0.05
50
VR
1
0.95
2.9
2
0.6
1 ： Collector1
2 ： Collector2
3 ： Emitter2
4 ：基本公共
5 ： Emitter1
三洋： CPH5
VCC=25V
20IB1 = --20IB2 = IC = 500毫安
对于PNP ，极性是相反的。
VBE = --5V
0.2
电气连接
5
4
3
0.7
1
2
0.9
1 ： Collector1
2 ： Collector2
3 ： Emitter2
4 ：基本公共
5 ： Emitter1
顶视图
--1000
IC - VCE
--5
0
mA
[ PNP ]
m
--20
A
集电极电流， IC - 毫安
0
--4
mA
--30
mA
1000
IC - VCE
40mA
30mA
20mA
[ NPN ]
10mA
8mA
集电极电流， IC - 毫安
--800
A
--10m
--8mA
--6mA
800
50mA
6mA
4mA
--600
--4mA
--2mA
600
--400
400
2mA
--200
200
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
IB=0
--1.0
IT01643
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
IB=0
1.0
IT01644
集电极 - 发射极电压VCE - V
集电极 - 发射极电压VCE - V
No.8205-2/5
CPH5517
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的2月， 2005年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.8205-5 / 5
订购数量： EN8205A
CPH5517
双极晶体管
（ - ） 50V ，（ - ） 3A，低VCE （饱和）互补双CPH5
应用
http://onsemi.com
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器
特点
包含在包与一个PNP / NPN晶体管的复合型，有利于高密度安装
在CPH5517分别由两个芯片这是相当于CPH3116和CPH3216 ，
超小型封装允许应用设置要小，煤泥（安装高度： 0.9毫米）
特定网络阳离子
（）： PNP型
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 600毫米
×0.8mm)
1unit
2
条件
评级
(--50)60
(-
-)50
(-
-)5
(-
-)1.0
(--)3
(-
-)200
0.9
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7017A-008
CPH5517-TL-E
产品&包装信息
包
： CPH5
JEITA ， JEDEC
： SC - 74A ， SOT- 25
最小包装数量： 3000个/卷。
0.6
2.9
5
4
3
0.15
包装类型： TL
记号
EM
TL
0.6
1
0.95
2
0.4
1 ： Collector1
2 ： Collector2
3 ： Emitter2
4 ：基本公共
5 ： Emitter1
CPH5
0.2
电气连接
5
4
3
0.9
1
2
半导体元件工业有限责任公司， 2013
九月， 2013
62012 TKIM / 21505 TSIM TB- 00001151 No.8205-1 / 8
LOT号
2.8
1.6
0.05
0.2
CPH5517
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = （ - ） 40V， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 300毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 10毫安
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （ SAT ）
IC = （ - ） 300毫安， IB = （ - ） 6毫安
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 10毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
(-
-50)60
(-
-)50
(--)5
(36)38
(173)332
(28)40
200
420
(9)6
(--280)
130
(--145)
90
(-
-)0.81
(--430)
190
(--220)
135
(-
-)1.2
评级
民
典型值
最大
(-
-)0.1
(--)0.1
560
兆赫
pF
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
μA
μA
开关时间测试电路
PW=20μs
DC≤1%
输入
VR
50Ω
RB
+
100μF
VBE = --5V
+
470μF
IB1
IB2
产量
24Ω
VCC=25V
20IB1 = --20IB2 = IC = 500毫安
对于PNP ，极性是相反的。
订购信息
设备
CPH5517-TL-E
包
CPH5
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
No.8987-2/7
QQ：2881677436 复制
