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CPH5516
三洋半导体
数据表
CPH5516
应用
PNP / NPN外延平面硅晶体管
大电流开关应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器， IGBT栅极驱动器。
特点
复合类型与一个PNP晶体管和包含在一个包一个NPN晶体管，有利于高密度
安装。
超小型封装有利于小型化的终端产品。 （ 0.9毫米安装高度）
特定网络阳离子
（）： PNP型
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
PW≤1s
安装在陶瓷板（ 600毫米
!
0.8mm)
2
2
条件
评级
(-
-30) 40
(- 30
-)
(--) 5
(--) 2
(--) 6
(--) 400
0.9
1.2
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
安装在陶瓷板（ 600毫米
!0.8mm)
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益Bandwideth产品
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = （ - ） 30V ， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 300毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
200
(440) 400
(17) 12
评级
民
典型值
最大
(--) 0.1
(--) 0.1
560
兆赫
pF
单位
A
A
标记： EK
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
71206 / 33106EA MS IM TB- 00002176号A0196-1 / 5
CPH5516
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
IC = （ - ） 1.5A ， IB = （ - 75毫安
-)
IC = （ - ） 1.5A ， IB = （ - 75毫安
-)
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - 10μA ， IC = 0A
-)
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
(-
-30) 40
(- 30
-)
(--) 5
(45) 40
(200) 350
(23) 30
评级
民
典型值
(- 0.94
-)
最大
(- 1.2
-)
(--170) 160 (--260) 240
单位
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm
7017-009
0.4
0.15
电气连接
5
4
3
5
4
3
0.6
0.05
1
2
1.6
2.8
1 ：集电极（ NPN TR ）
2 ：收藏家（ PNP TR ）
3 ：基地（ PNP TR ）
4 ：发射极常见
5 ：基地（ NPN TR ）
顶视图
1
0.95
2.9
2
0.6
1 ：集电极（ NPN TR ）
2 ：收藏家（ PNP TR ）
3 ：基地（ PNP TR ）
4 ：发射极常见
5 ：基地（ NPN TR ）
三洋： CPH5
0.2
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
IB1
产量
IB2
VR
50
+
100F
VBE = --5V
+
470F
VCC=12V
RB
0.7
0.9
0.2
RL=24
IC = 20IB1 = --20IB2 = 500毫安
对于PNP ，极性是相反的。
--2.0
--1.8
IC - VCE
--5
0
[ PNP ]
--15mA
--10mA
集电极电流， IC - 一个
mA
mA
--20
40mA
A
m
mA
40
--30
--
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
IC - VCE
mA
15
mA
20
10m
A
[ NPN ]
8mA
A
集电极电流， IC - 一个
--1.4
--8mA
--1.2
50mA
30m
--1.6
6mA
4mA
--6mA
--1.0
--0.8
--0.6
--4mA
--2mA
2mA
0.6
0.4
0.2
--0.4
--0.2
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
IB=0mA
--1.6
--1.8
--2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IB=0mA
1.8
2.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT08907
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT08908
第A0196-2 / 5
CPH5516
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
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或机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
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PS第A0196-5 / 5
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