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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1170页 > CPH5506
订购数量: ENN6590
CPH5506
PNP / NPN外延平面硅晶体管
CPH5506
DC / DC转换器应用
应用
包装尺寸
单位:mm
2186
[CPH5506]
2.9
0.2
0.05
0.15
继电器驱动器,灯驱动器,电机驱动器。
特点
复合类型与一个PNP晶体管和一个
包含在一个包中的NPN晶体管,
促进高密度安装。
该CPH5506由两个芯片封装
在一个包,它是等效于CPH3115
和CPH3215分别。
超小型封装便于小型化
高端产品。 ( 0.9毫米安装高度)
5
4
3
0.6
1
0.95
2
0.4
0.6
1.6
2.8
0.4
1 :集电极( NPN TR )
2 :收藏家( PNP TR )
3 :基地( PNP TR )
4 :共发射极
5 :基地( NPN TR )
三洋: CPH5
0.2
特定网络阳离子
(): PNP型
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
安装在陶瓷基板
(600mm
2
!0.8mm)
条件
0.7
0.9
评级
(--30)40
(--)30
(--)5
(--)1.5
(--)5
(--)300
0.9
1.2
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
71400 TS IM TA- 2880 No.6590-1 / 5
CPH5506
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
TSTG
tf
条件
VCB = ( - ) 30V , IE = 0
VEB = ( - ) 4V, IC = 0
VCE = ( - ) 2V , IC = ( -
-)100mA
VCE = ( - ) 10V , IC = ( - ) 300毫安
VCB = ( - ) 10V , F = 1MHz的
IC = ( - ) 750毫安, IB = ( -
-)15mA
IC = ( - ) 750毫安, IB = ( -
-)15mA
IC = ( - ) 10μA , IE = 0
IC = ( - ) 1mA时, RBE = ∞
IE = ( -
- ) 10μA , IC = 0
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
(-
-30)40
(-
-)30
(--)5
35
(115)205
30
200
(450)500
(9)8
(--250)150 (--375)225
(--)0.85
(--)1.2
Rathings
典型值
最大
(--)0.1
(--)0.1
560
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
A
A
标记: EF
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR
50
IB1
IB2
RB
+
470F
VCC=12V
产量
电气连接
B1
EC
B2
RL
16
+
100F
VBE = --5V
20IB1 = --20IB2 = IC = 750毫安
对于PNP ,极性是相反的。
C1
C2
--2.0
--1.8
IC - VCE
[ PNP ]
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
IC - VCE
40mA
50m
A
[ NPN ]
集电极电流, IC - 一个
集电极电流, IC - 一个
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6 --0.7
--0.8
--50mA
--40mA
--30mA
--20mA
30m
A
20mA
8mA
10mA
--8mA
--10mA
--6mA
--4mA
--2mA
6mA
4mA
2mA
IB=0
--0.9 --1.0
IT01673
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
IB=0
0.9
1.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
--1.6
--1.4
集电极 - 发射极电压VCE - V
1.6
1.4
IT01674
IC - VBE
[ PNP ]
VCE = --2V
IC - VBE
[ NPN ]
VCE=2V
集电极电流, IC - 一个
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
集电极电流, IC - 一个
1.2
1.0
0.8
0.6
Ta=75
°
C
0
0.2
0.4
0.6
°
C
25
°
C
--25
°
C
--0.2
0
0
--0.2
--0.4
Ta=7
5
--0.4
0.4
0.2
0
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT01675
25
°
C
--25
°
C
0.8
1.0
1.2
IT01676
基极发射极电压VBE - V
基极发射极电压VBE - V
No.6590-2/5
CPH5506
1000
7
5
的hFE - IC
Ta=75°C
25°C
--25°C
[ PNP ]
VCE = --2V
1000
7
5
的hFE - IC
Ta=75°C
25°C
--25°C
[ NPN ]
VCE=2V
直流电流增益, hFE参数
直流电流增益, hFE参数
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
3
2
3
2
100
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
--0.01
2
10
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
3
2
IT01677
F T - IC
集电极电流, IC - 一个
3
IT01678
[ PNP ]
VCE = --10V
2
F T - IC
[ NPN ]
VCE=10V
增益带宽积, F T - 兆赫
1000
7
5
3
2
增益带宽积, F T - 兆赫
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
IT01679
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
--0.01
100
7
5
3
2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
2
1.0
IT01680
集电极电流, IC - 一个
100
7
COB - VCB
集电极电流, IC - 一个
100
7
[ PNP ]
f=1MHz
COB - VCB
[ NPN ]
f=1MHz
输出电容,科夫 - pF的
输出电容,科夫 - pF的
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5
5
3
2
5
3
2
10
7
5
3
2
--0.1
10
7
5
3
2
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
--1.0
7
IT01681
集电极 - 基极电压VCB - V
1.0
7
IT01682
VCE (SAT) - IC
[ PNP ]
IC / IB = 20
VCE (SAT) - IC
[ NPN ]
IC / IB = 20
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
3
2
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
5
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
7
TA
5
°
C
°
C
--25
5
7 --0.1
°
25
C
C
75
°
TA
°
C
--25
2
3
5
7 0.1
25
°
C
--0.01
--0.01
2
3
2
3
5
7 --1.0
2
3
0.01
0.01
2
3
5
7 1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
IT01683
集电极电流, IC - 一个
IT01684
No.6590-3/5
CPH5506
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
VCE (SAT) - IC
[ PNP ]
IC / IB = 50
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
1.0
7
5
3
2
VCE (SAT) - IC
[ NPN ]
IC / IB = 50
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
0.1
7
5
3
2
75
°
C
°
C
TA = --25
C
25
°
75
°
C
-25
°
C
TA = -
°
25
C
--0.01
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
0.01
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
--10
7
IT01685
VBE (星期六) - IC
集电极电流, IC - 一个
10
7
IT01686
[ PNP ]
IC / IB = 50
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
VBE (星期六) - IC
[ NPN ]
IC / IB = 50
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
5
3
2
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
TA = --25
°C
1.0
7
5
3
2
TA = --25 ℃,
75
°C
25°C
75
°C
25°C
--0.1
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
0.1
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
IT01687
ASO
集电极电流, IC - 一个
1.4
IT01688
[ PNP / NPN ]
10s
10
7
5
3
PC - TA
[ PNP / NPN ]
ICP=5A
1m
s
1.2
集电极电流, IC - 一个
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
IC=1.5A
10
集电极耗散,电脑 - 含
10
s
0
50
s
0
DC
1
op
00m
er
s
ATI
on
ms
1.0
0.9
0.8
To
t
0.6
1u
al
D
NIT
国际空间站
ip
ATI
o
n
0.4
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
为PNP型,省略了负号
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7 100
0.2
0
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.1
1.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT02363
PC ( TR2 ) - PC( TR1 )
[ PNP / NPN ]
环境温度,钽 -
°C
IT02364
集电极耗散, PC ( TR2 ) - 含
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
集电极耗散, PC ( TR1 ) - 含
IT02365
No.6590-4/5
CPH5506
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的7月, 2000年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.6590-5 / 5
订购数量: ENN6590
CPH5506
PNP / NPN外延平面硅晶体管
CPH5506
DC / DC转换器应用
应用
包装尺寸
单位:mm
2186
[CPH5506]
2.9
0.2
0.05
0.15
继电器驱动器,灯驱动器,电机驱动器。
特点
复合类型与一个PNP晶体管和一个
包含在一个包中的NPN晶体管,
促进高密度安装。
该CPH5506由两个芯片封装
在一个包,它是等效于CPH3115
和CPH3215分别。
超小型封装便于小型化
高端产品。 ( 0.9毫米安装高度)
5
4
3
0.6
1
0.95
2
0.4
0.6
1.6
2.8
0.4
1 :集电极( NPN TR )
2 :收藏家( PNP TR )
3 :基地( PNP TR )
4 :共发射极
5 :基地( NPN TR )
三洋: CPH5
0.2
特定网络阳离子
(): PNP型
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
安装在陶瓷基板
(600mm
2
!0.8mm)
条件
0.7
0.9
评级
(--30)40
(--)30
(--)5
(--)1.5
(--)5
(--)300
0.9
1.2
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
71400 TS IM TA- 2880 No.6590-1 / 5
CPH5506
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
TSTG
tf
条件
VCB = ( - ) 30V , IE = 0
VEB = ( - ) 4V, IC = 0
VCE = ( - ) 2V , IC = ( -
-)100mA
VCE = ( - ) 10V , IC = ( - ) 300毫安
VCB = ( - ) 10V , F = 1MHz的
IC = ( - ) 750毫安, IB = ( -
-)15mA
IC = ( - ) 750毫安, IB = ( -
-)15mA
IC = ( - ) 10μA , IE = 0
IC = ( - ) 1mA时, RBE = ∞
IE = ( -
- ) 10μA , IC = 0
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
(-
-30)40
(-
-)30
(--)5
35
(115)205
30
200
(450)500
(9)8
(--250)150 (--375)225
(--)0.85
(--)1.2
Rathings
典型值
最大
(--)0.1
(--)0.1
560
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
A
A
标记: EF
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR
50
IB1
IB2
RB
+
470F
VCC=12V
产量
电气连接
B1
EC
B2
RL
16
+
100F
VBE = --5V
20IB1 = --20IB2 = IC = 750毫安
对于PNP ,极性是相反的。
C1
C2
--2.0
--1.8
IC - VCE
[ PNP ]
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
IC - VCE
40mA
50m
A
[ NPN ]
集电极电流, IC - 一个
集电极电流, IC - 一个
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6 --0.7
--0.8
--50mA
--40mA
--30mA
--20mA
30m
A
20mA
8mA
10mA
--8mA
--10mA
--6mA
--4mA
--2mA
6mA
4mA
2mA
IB=0
--0.9 --1.0
IT01673
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
IB=0
0.9
1.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
--1.6
--1.4
集电极 - 发射极电压VCE - V
1.6
1.4
IT01674
IC - VBE
[ PNP ]
VCE = --2V
IC - VBE
[ NPN ]
VCE=2V
集电极电流, IC - 一个
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
集电极电流, IC - 一个
1.2
1.0
0.8
0.6
Ta=75
°
C
0
0.2
0.4
0.6
°
C
25
°
C
--25
°
C
--0.2
0
0
--0.2
--0.4
Ta=7
5
--0.4
0.4
0.2
0
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT01675
25
°
C
--25
°
C
0.8
1.0
1.2
IT01676
基极发射极电压VBE - V
基极发射极电压VBE - V
No.6590-2/5
CPH5506
1000
7
5
的hFE - IC
Ta=75°C
25°C
--25°C
[ PNP ]
VCE = --2V
1000
7
5
的hFE - IC
Ta=75°C
25°C
--25°C
[ NPN ]
VCE=2V
直流电流增益, hFE参数
直流电流增益, hFE参数
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
3
2
3
2
100
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
--0.01
2
10
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
3
2
IT01677
F T - IC
集电极电流, IC - 一个
3
IT01678
[ PNP ]
VCE = --10V
2
F T - IC
[ NPN ]
VCE=10V
增益带宽积, F T - 兆赫
1000
7
5
3
2
增益带宽积, F T - 兆赫
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
IT01679
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
--0.01
100
7
5
3
2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
2
1.0
IT01680
集电极电流, IC - 一个
100
7
COB - VCB
集电极电流, IC - 一个
100
7
[ PNP ]
f=1MHz
COB - VCB
[ NPN ]
f=1MHz
输出电容,科夫 - pF的
输出电容,科夫 - pF的
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5
5
3
2
5
3
2
10
7
5
3
2
--0.1
10
7
5
3
2
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
--1.0
7
IT01681
集电极 - 基极电压VCB - V
1.0
7
IT01682
VCE (SAT) - IC
[ PNP ]
IC / IB = 20
VCE (SAT) - IC
[ NPN ]
IC / IB = 20
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
3
2
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
5
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
7
TA
5
°
C
°
C
--25
5
7 --0.1
°
25
C
C
75
°
TA
°
C
--25
2
3
5
7 0.1
25
°
C
--0.01
--0.01
2
3
2
3
5
7 --1.0
2
3
0.01
0.01
2
3
5
7 1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
IT01683
集电极电流, IC - 一个
IT01684
No.6590-3/5
CPH5506
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
VCE (SAT) - IC
[ PNP ]
IC / IB = 50
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
1.0
7
5
3
2
VCE (SAT) - IC
[ NPN ]
IC / IB = 50
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
0.1
7
5
3
2
75
°
C
°
C
TA = --25
C
25
°
75
°
C
-25
°
C
TA = -
°
25
C
--0.01
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
0.01
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
--10
7
IT01685
VBE (星期六) - IC
集电极电流, IC - 一个
10
7
IT01686
[ PNP ]
IC / IB = 50
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
VBE (星期六) - IC
[ NPN ]
IC / IB = 50
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
5
3
2
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
TA = --25
°C
1.0
7
5
3
2
TA = --25 ℃,
75
°C
25°C
75
°C
25°C
--0.1
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
0.1
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
IT01687
ASO
集电极电流, IC - 一个
1.4
IT01688
[ PNP / NPN ]
10s
10
7
5
3
PC - TA
[ PNP / NPN ]
ICP=5A
1m
s
1.2
集电极电流, IC - 一个
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
IC=1.5A
10
集电极耗散,电脑 - 含
10
s
0
50
s
0
DC
1
op
00m
er
s
ATI
on
ms
1.0
0.9
0.8
To
t
0.6
1u
al
D
NIT
国际空间站
ip
ATI
o
n
0.4
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
为PNP型,省略了负号
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7 100
0.2
0
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.1
1.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT02363
PC ( TR2 ) - PC( TR1 )
[ PNP / NPN ]
环境温度,钽 -
°C
IT02364
集电极耗散, PC ( TR2 ) - 含
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
集电极耗散, PC ( TR1 ) - 含
IT02365
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