订购数量： EN6793B
CPH5504
三洋半导体
数据表
CPH5504
应用
NPN外延平面硅晶体管
大电流开关应用
的DC-DC转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，佛罗里达州灰
特点
复合型与2 NPN晶体管在一个封装促进高密度安装
在CPH5504由2片每equivaient到CPH3205
超小型封装有助于终端产品的小型化。 （安装高度： 0.9毫米）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 600毫米
×0.8mm)
安装在陶瓷板（ 600毫米
×0.8mm)
2
2
条件
评级
100
100
50
6
3
6
600
0.9
1.2
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7017A-009
CPH5504-TL-E
产品&包装信息
包
： CPH5
JEITA ， JEDEC
： SC - 74A ， SOT- 25
最小包装数量： 3000个/卷。
0.6
2.9
5
4
3
0.15
包装类型： TL
记号
0.2
TL
0.6
1
0.95
2
0.4
1 ：收藏家
2 ：收藏家
3 ：基本
4 ：发射极常见
5 ：基本
三洋： CPH5
0.2
电气连接
5
4
3
0.9
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM / 62005EA MSIM TB- 00001409 / 21401 TSIM TA- 2946号6793-1 / 7
LOT号
2.8
1.6
0.05
ED
CPH5504
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
VCB = 40V ， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC =百毫安
VCE = 2V ， IC = 3A
VCE = 10V ， IC = 500毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 1A ， IB = 50毫安
IC = 2A ， IB =百毫安
IC = 2A ， IB =百毫安
IC = 10μA ， IE = 0A
IC=100μA,RBE=0Ω
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
100
100
50
6
35
300
22
200
70
380
13
80
140
0.88
120
210
1.2
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
条件
评级
民
典型值
最大
1
1
560
单位
μA
μA
开关时间测试电路
IB1
IB2
产量
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
RB
VR
50Ω
+
100μF
+
470μF
RL
VBE = --5V
VCC=25V
10IB1 = --10IB2 = IC = 1A
订购信息
设备
CPH5504-TL-E
包
CPH5
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
第6793-2 / 7
QQ：2880707522 复制
