订购数量: ENA1803A
CPH3456
三洋半导体
数据表
CPH3456
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
导通电阻RDS ( ON) 1 = 54米
Ω
(典型值)。
1.8V驱动
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
20
±12
3.5
14
1.0
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ,所以请搬运时要小心。
*
机器型号
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7015A-004
CPH3456-TL-H
2.9
0.6
0.15
产品&包装信息
包
: CPH3
JEITA , JEDEC
: SC - 59 , TO- 236 , SOT -23
最小包装数量: 3000个/卷。
包装类型: TL
记号
LOT号
3
2.8
1.6
0.05
TL
0.6
1
0.95
2
0.4
1 :门
2 :源
3 :排水
三洋: CPH3
电气连接
3
0.9
0.2
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
61312 TKIM / 90110PE TKIM TC- 00002459号A1803-1 / 7
LN
0.2
CPH3456
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 20V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 1.5A
ID = 1.5A , VGS = 4.5V
ID = 1A , VGS = 2.5V
ID = 0.5A , VGS = 1.8V
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 10V , VGS = 4.5V , ID = 3.5A
VDS = 10V , VGS = 4.5V , ID = 3.5A
VDS = 10V , VGS = 4.5V , ID = 3.5A
IS = 3.5A , VGS = 0V
评级
民
20
1
±10
0.4
2.8
54
73
104
260
65
50
6.2
19
30
28
2.8
0.6
0.9
0.85
1.2
71
103
156
1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD=10V
4.5V
0V
VIN
ID=1.5A
RL=6.67Ω
VIN
G
D
VOUT
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
S
CPH3456
订购信息
设备
CPH3456-TL-H
包
CPH3
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1803-2 / 7