订购数量： ENN8129
CPH3439
N沟道MOSFET硅
CPH3439
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
超高速开关。
2.5V驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 900毫米
!0.8mm)
2
条件
评级
30
±10
4.5
18
1.0
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 30V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ， ID = 2.5A
ID = 2.5A ， VGS = 4.5V
ID = 2.5A ， VGS = 4V
ID = 1A ， VGS = 2.5V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
30
1
±10
0.4
4.2
7
32
33
44
748
95
82
15
52
90
65
45
46
61
1.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记： ZS
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D1004PE TS IM TB- 00000788 No.8129-1 / 4
CPH3439
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 4.5A
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 4.5A
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 4.5A
IS = 4.5A ， VGS = 0
评级
民
典型值
8.6
1.8
2.4
0.85
1.2
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm
2152A
0.2
开关时间测试电路
VIN
2.9
0.4
3
0.6
VDD=15V
ID=2.5A
RL=6
VOUT
0.15
4V
0V
VIN
D
0.05
2.8
1.6
PW=10s
D.C.≤1%
1
1.9
2
0.6
G
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： CPH3
0.2
CPH3439
P.G
50
S
0.7
0.9
4.5
ID - VDS
10V
8.0V
V
6.0
8
ID - VGS
VDS=10V
3.5
5.0
V
2.
4.0
0V
漏极电流ID -
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.05
漏极电流ID -
3.0V
4.0
V
6
1.5V
4
5
°
C
2
0
0
0.5
1.0
VGS=1.0V
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
1.5
--
25
°
C
25
°
C
2.0
TA
7
2.5
IT08416
漏极至源极电压VDS - V
100
IT08415
RDS （ ON） - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
80
RDS （ ON） - TA
Ta=25
°
C
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
90
80
70
70
60
ID=2.5A
60
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1A
50
1.0
I D =
A
=2.
V GS
,
5V
40
2.5A
I D =
4.0V
S=
， VG
30
20
10
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
IT08417
环境温度，钽 -
°C
IT08418
No.8129-2/4
CPH3439
注意使用情况：由于CPH3439是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月， 2004年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.8129-4 / 4
订购数量： ENN8129
CPH3439
N沟道MOSFET硅
CPH3439
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
超高速开关。
2.5V驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 900毫米
!0.8mm)
2
条件
评级
30
±10
4.5
18
1.0
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 30V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ， ID = 2.5A
ID = 2.5A ， VGS = 4.5V
ID = 2.5A ， VGS = 4V
ID = 1A ， VGS = 2.5V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
30
1
±10
0.4
4.2
7
32
33
44
748
95
82
15
52
90
65
45
46
61
1.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记： ZS
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D1004PE TS IM TB- 00000788 No.8129-1 / 4
CPH3439
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 4.5A
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 4.5A
VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 4.5A
IS = 4.5A ， VGS = 0
评级
民
典型值
8.6
1.8
2.4
0.85
1.2
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm
2152A
0.2
开关时间测试电路
VIN
2.9
0.4
3
0.6
VDD=15V
ID=2.5A
RL=6
VOUT
0.15
4V
0V
VIN
D
0.05
2.8
1.6
PW=10s
D.C.≤1%
1
1.9
2
0.6
G
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： CPH3
0.2
CPH3439
P.G
50
S
0.7
0.9
4.5
ID - VDS
10V
8.0V
V
6.0
8
ID - VGS
VDS=10V
3.5
5.0
V
2.
4.0
0V
漏极电流ID -
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.05
漏极电流ID -
3.0V
4.0
V
6
1.5V
4
5
°
C
2
0
0
0.5
1.0
VGS=1.0V
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
1.5
--
25
°
C
25
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C
2.0
TA
7
2.5
IT08416
漏极至源极电压VDS - V
100
IT08415
RDS （ ON） - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
80
RDS （ ON） - TA
Ta=25
°
C
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
90
80
70
70
60
ID=2.5A
60
50
40
30
20
10
0
1
2
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4
5
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7
8
9
10
1A
50
1.0
I D =
A
=2.
V GS
,
5V
40
2.5A
I D =
4.0V
S=
， VG
30
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10
--60
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--20
0
20
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80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
IT08417
环境温度，钽 -
°C
IT08418
No.8129-2/4
CPH3439
注意使用情况：由于CPH3439是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月， 2004年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.8129-4 / 4
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