订购数量： ENA0884A
CPH3152
三洋半导体
数据表
CPH3152
应用
PNP外延平面硅晶体管
高压开关的应用
DC / DC转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器。
特点
采用FBET的， MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
超小型封装允许应用设置要小巧玲珑（安装高度： 0.9毫米） 。
高允许功耗。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 600毫米
2
0.8mm)
条件
评级
--150
--150
--150
--7
--1.5
--2.5
--300
0.9
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
标记： BS
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
21308 TI IM / D2607EA TI IM TC- 00001118号A0884-1 / 4
CPH3152
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = -
-80V ， IE浏览器= 0A
VEB = -
-4V ， IC = 0A
VCE = -
-5V ， IC = - 100毫安
VCE = -
-10V ， IC = - 百毫安
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
IC = -
-0.75A ， IB = - 75毫安
IC = -
-0.5A ， IB = - 50毫安
IC = -
-0.75A ， IB = - 75毫安
IC = -
-10μA ， IE = 0A
IC = -
-100μA ， RBE = 0Ω
IC = -
-1mA ， RBE = ∞
IE = - 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
200
70
20
--140
--100
-
-0.85
--150
--150
--150
--7
55
840
40
--280
--200
--1.2
评级
民
典型值
最大
--1
--1
560
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
μA
μA
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7015A-003
2.9
0.15
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
VR
IB1
产量
IB2
RB
0.6
3
0.2
RL
+
470μF
VCC = --75V
1.6
2.8
0.05
50Ω
+
220μF
0.6
1
0.95
2
0.4
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
三洋： CPH3
VBE=5V
0.2
IC = --10IB1 = 10IB2 = --0.7A
0.9
--1.5
IC - VCE
A
--80m
90mA
mA
--
--60
A
--70m
50mA
--1.5
IC - VCE
mA
--70
--100mA
集电极电流， IC - 一个
--1.2
m
--40
A
集电极电流， IC - 一个
--1.2
A
--30m
A
--20m
A
--10m
--6mA
--
--0.9
--40mA
--30mA
--0.9
--20mA
--0.6
mA
A
--50
m
--60
--4mA
--0.6
--10mA
--5mA
--0.3
--2mA
--0.3
0
0
IB=0mA
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
IT12761
0
0
IB=0mA
--1
--2
--3
--4
--5
IT12762
集电极 - 发射极电压VCE - V
集电极 - 发射极电压VCE - V
第A0884-2 / 4
CPH3152
--3.0
IC - VBE
VCE = --5V
1000
7
5
的hFE - IC
VCE =
--5V
--2.5
Ta=75
°
C
25
°
C
集电极电流， IC - 一个
3
--25
°
C
直流电流增益， hFE参数
--2.0
2
100
7
5
3
2
10
7
5
--0.01
--1.5
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT12763
TA
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
--1.0
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
基极发射极电压VBE - V
7
5
VCE （SAT） - IC
IC / IB = 10
集电极电流， IC - 一个
2
IT12764
VBE （星期六） - IC
IC / IB = 10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - V
3
2
基极 - 发射极
饱和电压VBE （星期六） - V
--1.0
--0.1
7
5
3
2
TA
--25
°
C
7
25
°
C
=
Ta
°
C
75
75
°
C
°
C
--25
25
°
C
5
--0.01
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
3
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
集电极电流， IC - 一个
2
IT12765
2
FT - IC
集电极电流， IC - 一个
IT12766
COB - VCB
VCE = --10V
f=1MHz
增益带宽积， FT - 兆赫
输出电容，科夫 - pF的
100
7
5
100
7
3
2
5
3
10
7
2
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
5
集电极电流， IC - 一个
5
3
2
--1.0
IT12767
7
5
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
ASO
ICP = --2.5A
IC = --1.5A
D
C
op
10
集电极 - 基极电压VCB - V
1.0
0.9
5 7 --100
IT12768
PC - TA
<10
μ
s
当安装在陶瓷基板
(600mm
2
0.8mm)
μ
s
100
集电极电流， IC - 一个
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
s
s
集电极耗散，电脑 - 含
1m
10
0m
s
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
μ
s
500
m
er
at
io
n
(T
a=
2
5
°
C)
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.01 2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基体（ 600毫米
2
0.8mm)
集电极 - 发射极电压，
2 3 5 7--100 2 3
VCE - V
IT12769
环境温度，钽 -
°C
IT12770
第A0884-3 / 4
CPH3152
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PS第A0884-4 / 4
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