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订购数量: ENN8165
CPH3144 / CPH3244
CPH3144 / CPH3244
应用
PNP / NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器,灯驱动器,电机驱动器,闪存。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
超小型封装有利于小型化终产物(安装高度: 0.9毫米) 。
高允许功耗。
特定网络阳离子
(): CPH3144
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷基板
(600mm
2
0.8mm)
条件
评级
(--30)40
(--)30
(--)5
(--)2
(--)5
(--)400
0.9
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = ( - ) 30V , IE = 0
VEB = ( -
- ) 4V , IC = 0
VCE = ( - ) 2V , IC = ( -
-)100mA
VCE = ( - ) 10V , IC = ( -
-)300mA
VCB = ( - ) 10V , F = 1MHz的
200
(440)400
(17)12
评级
典型值
最大
(--)0.1
(--)0.1
560
兆赫
pF
单位
μA
μA
标记: CPH3144 : BD , CPH3244 : DP
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
D2004EA TS IM TB- 00000973 No.8165-1 / 4
CPH3144 / CPH3244
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
TSTG
tf
条件
IC = ( - ) 1.5A , IB = ( - ) 75毫安
IC = ( - ) 1.5A , IB = ( - ) 75毫安
IC = ( - ) 10μA , IE = 0
IC = ( - ) 1mA时, RBE = ∞
IE = ( -
- ) 10μA , IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
(--30)40
(--)30
(--)5
(45)40
(200)350
(23)30
评级
典型值
(--170)160
(--)0.94
最大
(--260)240
(-
-)1.2
单位
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位:mm
2150A
2.9
0.4
3
0.6
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
0.2
IB1
产量
IB2
VR
50Ω
+
100μF
+
470μF
VCC=12V
RB
0.15
输入
RL=24Ω
1
1.9
2
0.6
1.6
2.8
0.05
0.7
0.9
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
三洋: CPH3
VBE = --5V
0.2
IC = 20IB1 = --20IB2 = 500毫安
对于PNP ,极性是相反的。
--2.0
--1.8
IC - VCE
CPH3144
mA
--5
0
A
m
mA
40
--30
--
m
--20
A
2.0
IC - VCE
40mA
--15mA
--10mA
集电极电流, IC - 一个
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
15
mA
A
集电极电流, IC - 一个
--1.4
--8mA
--1.2
50mA
30m
--1.6
2
A
0m
10m
A
8mA
6mA
4mA
--6mA
--1.0
--0.8
--0.6
--4mA
--2mA
2mA
0.6
0.4
0.2
--0.4
--0.2
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
IB=0
--1.8
--2.0
0
0
CPH3244
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IB=0
1.8
2.0
IT08908
集电极 - 发射极电压VCE - V
--2.00
--1.75
IT08907
2.00
1.75
集电极 - 发射极电压VCE - V
IC - VBE
CPH3144
VCE = --2V
集电极电流, IC - 一个
IC - VBE
CPH3244
VCE=2V
集电极电流, IC - 一个
--1.50
--1.25
--1.00
1.50
1.25
1.00
Ta=75
°
C
Ta=75
°
C
25
°
C
--0.75
--0.50
--0.25
0
0
--0.2
--0.4
0.75
0.50
0.25
0
--0.6
--0.8
--1.0
IT08909
0
0.2
0.4
0.6
0.8
--25
°
C
--25
°
C
25
°
C
1.0
IT08910
基极发射极电压VBE - V
基极发射极电压VBE - V
No.8165-2/4
CPH3144 / CPH3244
1000
7
的hFE - IC
CPH3144
VCE = --2V
1000
7
的hFE - IC
CPH3244
VCE=2V
直流电流增益, hFE参数
直流电流增益, hFE参数
5
5
Ta=75
°
C
3
Ta=75°C
25
°
C
--25
°C
25
°C
3
--25
°C
2
2
100
7
--0.01
100
7
0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
1000
IT08911
1000
集电极电流, IC - 一个
IT08912
F T - IC
增益带宽积, F T - 兆赫
CPH3144
VCE = --10V
F T - IC
CPH3244
VCE=10V
增益带宽积, F T - 兆赫
7
5
7
5
3
3
2
2
100
7
5
--0.01
100
7
5
0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
7
IT08913
7
5
集电极电流, IC - 一个
IT08914
COB - VCB
COB - VCB
CPH3244
f=1MHz
CPH3144
f=1MHz
输出电容,科夫 - pF的
输出电容,科夫 - pF的
2
3
5 7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
5
3
3
2
2
10
7
10
--0.1
5
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
5
3
2
IT08915
5
VCE (SAT) - IC
集电极 - 基极电压VCB - V
IT08916
VCE (SAT) - IC
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
CPH3144
IC / IB = 20
3
2
CPH3244
IC / IB = 20
0.1
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
=
Ta
7
C
5
°
C
5
°
--2
°
C
25
Ta
5
=7
°
C
5
--2
°
C
°
C
25
0.01
7
--0.01
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
IT08917
集电极电流, IC - 一个
IT08918
No.8165-3/4
CPH3144 / CPH3244
3
VBE (星期六) - IC
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
CPH3144
IC / IB = 20
3
VBE (星期六) - IC
CPH3244
IC / IB = 20
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
2
2
--1.0
7
TA = --25 ℃,
1.0
7
TA = --25
°C
75
°
C
5
25
°C
75
°
C
5
25
°
C
3
3
2
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
10
7
5
IT08919
1.0
ASO
集电极电流, IC - 一个
IT08920
PC - TA
ICP=5A
<10μs
0.9
CPH3144 / CPH3244
μ
100
集电极耗散,电脑 - 含
集电极电流, IC - 一个
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
IC=2A
M
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10
0m
1m
s
m
s
10
ou
nt
s
s
500
μ
ed
s
on
0.01
0.01
CPH3144 / CPH3244
Ta=25
°
C
单脉冲
对于PNP省略减号
安装在陶瓷板( 600毫米
2
0.8mm)
2 3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
集电极 - 发射极电压VCE - V
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月, 2004年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.8165-4 / 4
C
D
op
ac
er
am
io
at
er
n
ic
bo
ar
d
(6
00
m
m
2
0.
8m
m
)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT08921
环境温度,钽 -
°C
IT08922
订购数量: ENN8165
CPH3144 / CPH3244
CPH3144 / CPH3244
应用
PNP / NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器,灯驱动器,电机驱动器,闪存。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
超小型封装有利于小型化终产物(安装高度: 0.9毫米) 。
高允许功耗。
特定网络阳离子
(): CPH3144
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷基板
(600mm
2
0.8mm)
条件
评级
(--30)40
(--)30
(--)5
(--)2
(--)5
(--)400
0.9
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = ( - ) 30V , IE = 0
VEB = ( -
- ) 4V , IC = 0
VCE = ( - ) 2V , IC = ( -
-)100mA
VCE = ( - ) 10V , IC = ( -
-)300mA
VCB = ( - ) 10V , F = 1MHz的
200
(440)400
(17)12
评级
典型值
最大
(--)0.1
(--)0.1
560
兆赫
pF
单位
μA
μA
标记: CPH3144 : BD , CPH3244 : DP
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
D2004EA TS IM TB- 00000973 No.8165-1 / 4
CPH3144 / CPH3244
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
TSTG
tf
条件
IC = ( - ) 1.5A , IB = ( - ) 75毫安
IC = ( - ) 1.5A , IB = ( - ) 75毫安
IC = ( - ) 10μA , IE = 0
IC = ( - ) 1mA时, RBE = ∞
IE = ( -
- ) 10μA , IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
(--30)40
(--)30
(--)5
(45)40
(200)350
(23)30
评级
典型值
(--170)160
(--)0.94
最大
(--260)240
(-
-)1.2
单位
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位:mm
2150A
2.9
0.4
3
0.6
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
0.2
IB1
产量
IB2
VR
50Ω
+
100μF
+
470μF
VCC=12V
RB
0.15
输入
RL=24Ω
1
1.9
2
0.6
1.6
2.8
0.05
0.7
0.9
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
三洋: CPH3
VBE = --5V
0.2
IC = 20IB1 = --20IB2 = 500毫安
对于PNP ,极性是相反的。
--2.0
--1.8
IC - VCE
CPH3144
mA
--5
0
A
m
mA
40
--30
--
m
--20
A
2.0
IC - VCE
40mA
--15mA
--10mA
集电极电流, IC - 一个
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
15
mA
A
集电极电流, IC - 一个
--1.4
--8mA
--1.2
50mA
30m
--1.6
2
A
0m
10m
A
8mA
6mA
4mA
--6mA
--1.0
--0.8
--0.6
--4mA
--2mA
2mA
0.6
0.4
0.2
--0.4
--0.2
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
IB=0
--1.8
--2.0
0
0
CPH3244
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IB=0
1.8
2.0
IT08908
集电极 - 发射极电压VCE - V
--2.00
--1.75
IT08907
2.00
1.75
集电极 - 发射极电压VCE - V
IC - VBE
CPH3144
VCE = --2V
集电极电流, IC - 一个
IC - VBE
CPH3244
VCE=2V
集电极电流, IC - 一个
--1.50
--1.25
--1.00
1.50
1.25
1.00
Ta=75
°
C
Ta=75
°
C
25
°
C
--0.75
--0.50
--0.25
0
0
--0.2
--0.4
0.75
0.50
0.25
0
--0.6
--0.8
--1.0
IT08909
0
0.2
0.4
0.6
0.8
--25
°
C
--25
°
C
25
°
C
1.0
IT08910
基极发射极电压VBE - V
基极发射极电压VBE - V
No.8165-2/4
CPH3144 / CPH3244
1000
7
的hFE - IC
CPH3144
VCE = --2V
1000
7
的hFE - IC
CPH3244
VCE=2V
直流电流增益, hFE参数
直流电流增益, hFE参数
5
5
Ta=75
°
C
3
Ta=75°C
25
°
C
--25
°C
25
°C
3
--25
°C
2
2
100
7
--0.01
100
7
0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
1000
IT08911
1000
集电极电流, IC - 一个
IT08912
F T - IC
增益带宽积, F T - 兆赫
CPH3144
VCE = --10V
F T - IC
CPH3244
VCE=10V
增益带宽积, F T - 兆赫
7
5
7
5
3
3
2
2
100
7
5
--0.01
100
7
5
0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
7
IT08913
7
5
集电极电流, IC - 一个
IT08914
COB - VCB
COB - VCB
CPH3244
f=1MHz
CPH3144
f=1MHz
输出电容,科夫 - pF的
输出电容,科夫 - pF的
2
3
5 7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
5
3
3
2
2
10
7
10
--0.1
5
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
5
3
2
IT08915
5
VCE (SAT) - IC
集电极 - 基极电压VCB - V
IT08916
VCE (SAT) - IC
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
CPH3144
IC / IB = 20
3
2
CPH3244
IC / IB = 20
0.1
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
=
Ta
7
C
5
°
C
5
°
--2
°
C
25
Ta
5
=7
°
C
5
--2
°
C
°
C
25
0.01
7
--0.01
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
IT08917
集电极电流, IC - 一个
IT08918
No.8165-3/4
CPH3144 / CPH3244
3
VBE (星期六) - IC
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
CPH3144
IC / IB = 20
3
VBE (星期六) - IC
CPH3244
IC / IB = 20
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
2
2
--1.0
7
TA = --25 ℃,
1.0
7
TA = --25
°C
75
°
C
5
25
°C
75
°
C
5
25
°
C
3
3
2
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
10
7
5
IT08919
1.0
ASO
集电极电流, IC - 一个
IT08920
PC - TA
ICP=5A
<10μs
0.9
CPH3144 / CPH3244
μ
100
集电极耗散,电脑 - 含
集电极电流, IC - 一个
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
IC=2A
M
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10
0m
1m
s
m
s
10
ou
nt
s
s
500
μ
ed
s
on
0.01
0.01
CPH3144 / CPH3244
Ta=25
°
C
单脉冲
对于PNP省略减号
安装在陶瓷板( 600毫米
2
0.8mm)
2 3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
集电极 - 发射极电压VCE - V
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月, 2004年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.8165-4 / 4
C
D
op
ac
er
am
io
at
er
n
ic
bo
ar
d
(6
00
m
m
2
0.
8m
m
)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT08921
环境温度,钽 -
°C
IT08922
订购数量: ENN8165
CPH3144 / CPH3244
CPH3144 / CPH3244
应用
PNP / NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器,灯驱动器,电机驱动器,闪存。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
超小型封装有利于小型化终产物(安装高度: 0.9毫米) 。
高允许功耗。
特定网络阳离子
(): CPH3144
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷基板
(600mm
2
!0.8mm)
条件
评级
(--30)40
(--)30
(--)5
(--)2
(--)5
(--)400
0.9
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = ( - ) 30V , IE = 0
VEB = ( - ) 4V, IC = 0
VCE = ( - ) 2V , IC = ( -
-)100mA
VCE = ( - ) 10V , IC = ( - ) 300毫安
VCB = ( - ) 10V , F = 1MHz的
200
(440)400
(17)12
评级
典型值
最大
(--)0.1
(--)0.1
560
兆赫
pF
单位
A
A
标记: CPH3144 : BD , CPH3244 : DP
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
D2004EA TS IM TB- 00000973 No.8165-1 / 4
CPH3144 / CPH3244
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
TSTG
tf
条件
IC = ( - ) 1.5A , IB = ( - ) 75毫安
IC = ( - ) 1.5A , IB = ( - ) 75毫安
IC = ( - ) 10μA , IE = 0
IC = ( - ) 1mA时, RBE = ∞
IE = ( -
- ) 10μA , IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
(--30)40
(--)30
(--)5
(45)40
(200)350
(23)30
评级
典型值
(-
-170)160
(--)0.94
最大
(--260)240
(--)1.2
单位
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位:mm
2150A
2.9
0.4
3
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
0.2
0.15
IB1
产量
IB2
VR
50
+
100F
+
470F
VCC=12V
RB
0.6
输入
0.05
RL=24
1
1.9
2
0.6
1.6
2.8
0.7
0.9
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
三洋: CPH3
VBE = --5V
0.2
IC = 20IB1 = --20IB2 = 500毫安
对于PNP ,极性是相反的。
--2.0
--1.8
IC - VCE
CPH3144
--5
0m
A
mA
--20
40mA
A
m
mA
40
--30
--
2.0
IC - VCE
mA
15
mA
20
10m
A
--15mA
--10mA
1.8
8mA
A
集电极电流, IC - 一个
集电极电流, IC - 一个
--1.4
1.4
1.2
1.0
0.8
--8mA
--1.2
50mA
30m
--1.6
1.6
6mA
4mA
--6mA
--1.0
--0.8
--0.6
--4mA
--2mA
2mA
0.6
0.4
0.2
--0.4
--0.2
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
IB=0
--1.8
--2.0
0
0
CPH3244
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IB=0
1.8
2.0
IT08908
集电极 - 发射极电压VCE - V
--2.00
--1.75
IT08907
2.00
1.75
集电极 - 发射极电压VCE - V
IC - VBE
CPH3144
VCE = --2V
集电极电流, IC - 一个
IC - VBE
CPH3244
VCE=2V
集电极电流, IC - 一个
--1.50
--1.25
--1.00
1.50
1.25
1.00
C
25
°
C
C
--0.75
--0.50
--0.25
0
0
--0.2
--0.4
0.75
0.50
0.25
0
--0.6
--0.8
--1.0
IT08909
0
0.2
0.4
0.6
Ta=75
°
Ta=75
°
0.8
--25
°
C
--25
°
C
25
°
C
1.0
IT08910
基极发射极电压VBE - V
基极发射极电压VBE - V
No.8165-2/4
CPH3144 / CPH3244
1000
7
的hFE - IC
CPH3144
VCE = --2V
直流电流增益, hFE参数
1000
7
的hFE - IC
CPH3244
VCE=2V
直流电流增益, hFE参数
5
5
Ta=75
°
C
3
Ta=75°C
25
°
C
--25
°C
25
°C
3
--25
°C
2
2
100
7
--0.01
100
7
0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
1000
IT08911
1000
集电极电流, IC - 一个
IT08912
F T - IC
增益带宽积, F T - 兆赫
CPH3144
VCE = --10V
F T - IC
CPH3244
VCE=10V
增益带宽积, F T - 兆赫
7
5
7
5
3
3
2
2
100
7
5
--0.01
100
7
5
0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
7
IT08913
7
5
集电极电流, IC - 一个
IT08914
COB - VCB
COB - VCB
CPH3244
f=1MHz
CPH3144
f=1MHz
输出电容,科夫 - pF的
2
3
5 7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
输出电容,科夫 - pF的
5
3
3
2
2
10
7
10
--0.1
5
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
5
3
2
IT08915
5
VCE (SAT) - IC
集电极 - 基极电压VCB - V
IT08916
VCE (SAT) - IC
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
CPH3144
IC / IB = 20
3
2
CPH3244
IC / IB = 20
0.1
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
=
Ta
7
C
5
°
C
5
°
--2
°
25
C
Ta
5
=7
°
C
°
C
25
5
°
C
--2
0.01
7
--0.01
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
IT08917
集电极电流, IC - 一个
IT08918
No.8165-3/4
CPH3144 / CPH3244
3
VBE (星期六) - IC
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
CPH3144
IC / IB = 20
3
VBE (星期六) - IC
CPH3244
IC / IB = 20
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
2
2
--1.0
7
5
TA = --25 ℃,
1.0
7
5
TA = --25 ℃,
75
°
C
25
°C
75
°
C
25
°
C
3
3
2
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
10
7
5
IT08919
1.0
ASO
集电极电流, IC - 一个
IT08920
PC - TA
ICP=5A
<10s
0.9
CPH3144 / CPH3244
0
s
s
50
10 0
集电极耗散,电脑 - 含
集电极电流, IC - 一个
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
IC=2A
M
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1m
s
m
s
10
10
0m
ou
nt
ed
s
on
0.01
0.01
CPH3144 / CPH3244
Ta=25
°
C
单脉冲
对于PNP省略减号
安装在陶瓷板( 600毫米
2
!0.8mm)
2 3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
集电极 - 发射极电压VCE - V
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月, 2004年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.8165-4 / 4
C
D
ac
n
io
at
er
op
er
a
m
ic
bo
ar
d
(6
00
m
m
2
!
0.
8m
m
)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT08921
环境温度,钽 -
°C
IT08922
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CPH3144
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CPH3144
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8889
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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