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过程

CPD91V

开关二极管

低漏电开关二极管芯片

中央

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

阳极接合焊盘面积

顶面金属化

背面金属化

外延平面

11 ×11 MILS

7.1 MILS

3.4× 3.4 MILS

艾尔 - 15,000

金 - 18,000

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

94,130

主体装置类型

CMPD6001系列

CMOD6001

CMLD6001

CMLD6001DO

CMDD6001

145亚当斯大街

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R0 （2006年10月）

中央

过程

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半导体公司

典型电气特性

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

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