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中央

过程

半导体公司

快速恢复整流

CPD25

3安培玻璃钝化整流芯片

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

阳极接合焊盘面积

顶面金属化

背面金属化

玻璃钝化MESA

87× 87 MILS

10.6 MILS

69.5 X 69.5 MILS

金 - 5000埃

金 - 2000埃

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

1,490

主体装置类型

1N5185 1N5188直通

1N5415 1N5420直通

典型的电气特性数据

该芯片目前正在修订。

有关最新更新的数据

该芯片工艺，

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R1 （2002年1月）

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