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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第361页 > CPC5602CTR
CPC5602
N沟道耗尽型场效应管
参数
漏极至源极电压(V
DS
)
最大导通电阻(R
ON- MAX
)
最大功率
等级
350
14
2.5
单位
V
Ω
W
描述
该CPC5602是一个“N ”通道耗尽型场
效应晶体管(FET) ,其利用克莱尔的专有
第三代垂直DMOS工艺。第三
生成过程实现了世界一流的,高电压
在一个经济的硅栅极MOSFET的性能
流程。垂直DMOS工艺产生的高
可靠的设备,特别是在困难的应用
环境,如电信。
一为CPC5602的主要应用的是
作为线性调节器/叉簧开关的LITELINK
家庭数据访问安排( DAA )设备
CPC5610A , CPC5611A , CPC5620A , CPC5621A ,
和CPC5622A 。
该CPC5602具有导通电阻的8 ,一个典型的
漏 - 源350V的电压,并且可在
一个SOT- 223封装。如同所有的MOS器件,所述
FET结构防止热失控和热 -
诱发二次击穿。
特点
350V漏源电压
低导通阻抗: 8欧姆(典型值)
高输入阻抗
低输入和输出泄漏
小尺寸封装SOT- 223
PC卡( PCMCIA )兼容
印刷电路板空间和成本节约
应用
对于LITELINK 支持组件
数据存取装置( DAA )
电信
订购信息
产品型号
CPC5602C
CPC5602CTR
描述
N沟道耗尽型场效应管, SOT- 223
包装( 80 /管)
N沟道耗尽型场效应管, SOT- 223
包装卷带式(1000 /卷)
封装引脚
D
4
2
D
1
G
3
S
引脚数
名字
1
2
3
来源
4
Pb
RoHS指令
2002/95/EC
e
3
www.clare.com
1
DS-CPC5602-R05
CPC5602
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压(V
DS
)
总包耗散
工作温度
储存温度
350
-
-40
-40
最大
-
2.5
+85
+125
单位
V
W
o
C
o
C
绝对最大额定值的压力额定值。在讲
这些过剩的收视率可能会导致永久性的损坏
该设备。该装置的条件下的功能操作
超越那些在这个业务部门所标明
数据表是不是暗示。
电气绝对最大额定值是在25 ℃。
电气特性( @ 25
o
C除非另有说明)
参数
栅 - 源电压OFF
漏极至源极漏电流
漏电流
抗性
栅极漏电流
栅极电容
符号
V
GS ( OFF )
I
DS (关闭)
I
D
R
DS ( ON)
I
GSS
C
国际空间站
条件
I
D
= 2μA ,V
DS
=10V, V
DS
=100V
V
GS
= -5V, V
DS
=190V
V
GS
= -5V, V
DS
=350V
V
GS
= -2.7V, V
DS
=5V, V
DS
=50V
V
GS
= -0.57V, V
DS
=5V
V
GS
= -0.35V ,我
DS
=50mA
V
GS
=10V, V
GS
=-10V
V
DS
= V
GS
=0V
-2
-
-
-
130
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
8
-
-
最大
-3.6
20
1
5
-
14
0.1
300
单位
V
nA
μA
mA
mA
Ω
μA
pF
热特性
参数
热阻
符号
R
θJC
条件
-
-
典型值
-
最大
14
单位
摄氏度/ W
2
www.clare.com
R05
CPC5602
制造业信息化
焊接
为了正确组装,组件必须是
按照当前修订处理
的IPC / JEDEC的J- STD- 020 。如果不
遵循建议的准则可能会导致
以导致受损的设备造成永久性损坏
性能和/或减少的预期寿命。
洗涤
克莱尔不建议超声波清洗或
使用氯化溶剂。
Pb
RoHS指令
2002/95/EC
e
3
机械尺寸
SOT- 223封装
1.75 ± 0.10
(0.069 ± 0.004)
3.05 ± 0.10
(0.120 ± 0.004)
0.31 ± 0.07
(0.012 ± 0.003)
推荐的PCB焊盘布局
1.90
(0.075)
6.20
(0.244)
3.15
(0.124)
3.50 ± 0.20
(0.138 ± 0.008)
7.00 ± 0.38
(0.276 ± 0.015)
0.80 ± 0.127
(0.031 ± 0.005)
1.90
(0.075)
1.75喃
( 0.069 NOM)
0.75 ± 0.04
(0.029 ± 0.002)
6.50 ± 0.20
(0.256 ± 0.008)
1.60 ± 0.10
(0.063 ± 0.004)
0.051 +0.076/-0.051
(0.002 +0.003/-0.002)
1.85 MAX
( 0.073 MAX)
2.30 ± 0.10
(0.0905 ± 0.004)
尺寸
mm
(英寸)
2.30
(0.0905)
0.95
(0.0374)
7 “卷带式封装的SOT- 223封装
177.8迪亚
( 7.00 DIA)
顶盖
胶带厚度
0.102 MAX
( 0.004最大值)
W=16.0 ± 0.3
(0.630 ± 0.012)
B
O
=7.5 ± 0.1
(0.295 ± 0.004)
K
O
= 1.956 MAX 。
( 0.077 MAX 。 )
压花
支架
A
O
=7.0 ± 0.1
(0.276 ± 0.004)
P=8.0 ± 0.1
(0.315 ± 0.004)
尺寸
mm
(英寸)
浮雕
注意:
磁带尺寸未显示符合JEDEC标准EIA- 481-2
有关更多信息,请访问我们的网站: www.clare.com
克莱尔,公司不作任何陈述或保证,对于本出版物内容的准确性或完整性,同时保留随时更改规格的权利,
产品说明,恕不另行通知。无论其专利许可,也没有赔偿是明示或暗示的保证。除克莱尔的标准条款和条件规定,
克莱尔,公司不承担任何责任,并免除任何明示或暗示的担保,其产品包括但不限于适销性的默示担保,健身
特定目的,或不侵犯任何知识产权。
本文档中描述的产品不是设计,意,授权或担保,用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命的,或者在克莱尔的产品发生故障,可能会导致直接的物理伤害,伤害或死亡的人,或严重的财产或环境损害。克莱尔,
公司保留终止或更改其产品在任何时候,恕不另行通知。
规格型号: DS - CPC5602 - R05
2008,克莱尔公司
版权所有。美国印刷。
9/30/08
3
CPC5602
N沟道耗尽型场效应管
参数
漏极至源极电压 - V
DS
最大导通电阻 - R的
DS ( ON)
最大功率
等级
350
14
2.5
单位
V
W
描述
该CPC5602是一个N沟道耗尽型场
效应晶体管(FET) ,其利用克莱尔的专有
第三代垂直DMOS工艺。第三
生成过程实现了世界一流的,高电压
在一个经济的硅栅极MOSFET的性能
流程。垂直DMOS工艺产生的高
可靠的设备,特别是在困难的应用
环境,如电信,安全性,
和电源。
一为CPC5602的主要应用的是
作为线性调节器/叉簧开关的LITELINK
家庭数据访问安排( DAA )设备
CPC5620A , CPC5621A和CPC5622A 。
该CPC5602具有导通电阻的8 ,一个典型的
漏 - 源350V的电压,并且可在一个
SOT- 223封装。如同所有的MOS器件中,FET
结构防止热失控和
热引起的二次击穿。
特点
350V漏源电压
耗尽型器件提供低R
DS ( ON)
在低温下
低导通电阻: 8 (典型值) @ 25°C
低V
GS ( OFF )
电压: -2.0V至-3.6V
高输入阻抗
低输入和输出泄漏
小尺寸封装SOT- 223
PC卡( PCMCIA )兼容
印刷电路板空间和成本节约
应用
对于LITELINK 支持组件
数据存取装置( DAA )
电信
通常情况下在交换机上
点火模块
转换器
安全
电源
订购信息
产品型号
CPC5602C
描述
N沟道耗尽型场效应管, SOT- 223 PKG 。
切割胶带,可用在200 , 300量,
400 ,500,和600
N沟道耗尽型场效应管, SOT- 223 PKG 。
磁带和卷轴( 1000 /卷)
CPC5602CTR
封装引脚
D
4
2
D
1
G
3
S
引脚数
名字
1
2
3
来源
4
Pb
RoHS指令
2002/95/EC
e
3
www.clare.com
1
DS-CPC5602-R07
CPC5602
绝对最大额定值@ 25°C
参数
漏极至源极电压(V
DS
)
栅极 - 源极电压(V
GS
)
总包耗散
工作温度
储存温度
评级
350
±20
2.5
-40至+85
-40到+125
单位
V
V
W
o
C
o
C
绝对最大额定值的压力额定值。在讲
这些过剩的收视率可能会导致永久性的损坏
该设备。该装置的条件下的功能操作
超越那些在这个业务部门所标明
数据表是不是暗示。
电气特性@ 25
o
C(除非另有说明)
参数
栅 - 源电压OFF
漏极至源极漏电流
漏电流
导通电阻
栅极漏电流
栅极电容
符号
V
GS ( OFF )
I
DS (关闭)
I
D
R
DS ( ON)
I
GSS
C
国际空间站
条件
I
D
= 2μA ,V
DS
=10V, V
DS
=100V
V
GS
= -5V, V
DS
=190V
V
GS
= -5V, V
DS
=350V
V
GS
= -2.7V, V
DS
=5V, V
DS
=50V
V
GS
= -0.57V, V
DS
=5V
V
GS
= -0.35V ,我
DS
=50mA
V
GS
=10V, V
GS
=-10V
V
DS
= V
GS
=0V
-3.6
-
-
-
130
-
-
-
典型值
-2.62
-
-
-
-
8
-
-
最大
-2
20
1
5
-
14
0.1
300
单位
V
nA
A
mA
mA
A
pF
热特性
参数
热阻
符号
R
θJC
条件
-
-
典型值
-
最大
14
单位
摄氏度/ W
2
www.clare.com
R07
CPC5602
性能数据*
0.35
0.30
0.25
I
D
(A)
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
1
2
V
DS
(V)
3
4
5
V
GS
=-0.5
V
GS
=-1
V
GS
=-1.5
V
GS
=-2
输出特性
(T
A
=25C)
20
导通电阻( )
导通电阻与漏电流
(V
GS
=0V)
300
250
跨VS漏电流
(V
DS
=10V)
T
A
=-40C
T
A
=25C
T
A
=125C
15
G
FS
(m )
200
150
100
50
Ω
10
5
0
0.0
0.1
0.2
0.3
I
D
(A)
0.4
0.5
0.6
0
0
50
I
D
(MA )
100
150
250
200
I
D
(MA )
150
100
50
0
-3.0
传输特性
(V
DS
=10V)
-2.3
-2.4
V
GS ( OFF )
与温度的关系
(V
DS
= 10V ,我
D
=2μA)
导通电阻( Ω )
12
11
10
9
8
7
6
5
4
导通电阻与温度
(V
GS
= 0V时,我
D
=100mA)
V
GS ( OFF )
(V)
-1.5
-1.0
T
A
=125C
T
A
=25C
T
A
=-40C
-2.5
-2.6
-2.7
-2.8
-2.9
-3.0
-2.5
-2.0
V
GS
(V)
-40
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
-40
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
300
250
电容(pF)
200
150
100
50
0
电容与漏源电压
(V
GS
=-5V)
功耗( W)
功耗
- 环境温度
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.001
0
20
40
60 80 100 120
温度(℃ )
140
160
1
I
DS
(A)
0.1
1
正向安全工作偏置
(V
GS
= 0V ,直流负载,T
C
=25C)
设备通道
饱和
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
0.01
器械研发
DS ( ON)
0
5
10
15
V
DS
(V)
20
25
30
10
V
DS
(V)
100
1000
*上面的图表显示的性能数据是典型的器件性能。为了保证参数的特定书写科幻阳离子未注明者,请
联系我们的应用部门。
R07
www.clare.com
3
CPC5602
制造业信息化
湿气敏感度
所有塑料封装的半导体封装容易受到湿气的侵入。克莱尔所有分类
根据联合行业的最新版本,其塑料封装器件的潮湿敏感度
标准,
IPC / JEDEC J- STD- 020 ,
在产品评估时生效。我们测试我们所有的产品至
最大条件规定的标准,并在办理保证我们的设备正常运行
根据该标准,以及在此阐述的信息的任何限制的限制和信息或
下面的标准参考。
不遵守的上市规格为建立可能会导致警告或限制降低
产品的性能,减少可操作寿命,和/或减少总的可靠性。
该产品携带
潮湿敏感度等级( MSL )的评价
如下所示,并应根据被处理
以联合业界标准的最新版本的要求
IPC / JEDEC J- STD- 033 。
设备
CPC5602C
潮湿敏感度等级( MSL )的评价
MSL 1
ESD敏感度
本产品是
ESD敏感,
并应根据行业标准来处理
JESD-625.
再溢流廓
此产品的最大体的温度和时间的评价如下所示。所有其他准则
J-STD-020
必须遵守。
设备
CPC5602C
最高温度×时间
260℃ 30秒
冲洗电路板
克莱尔建议使用免清洗助焊剂配方。然而,董事会洗涤去除助焊剂残留物
可以接受的。因为克莱尔采用使用硅氧烷涂层的作为光波导在其许多光学隔离
的产品,使用很短的干燥烘烤的可能是必要的,如果焊料回流工艺后的洗涤时使用。
含氯或氟系溶剂或焊剂,不应使用。即采用超声波能量的清洁方法
不应使用。
Pb
RoHS指令
2002/95/EC
e
3
4
www.clare.com
R07
CPC5602
机械尺寸
CPC5602C
2.90 / 3.10
(0.114 / 0.122)
0.229 / 0.330
(0.009 / 0.013)
PCB焊盘布局
1.90
(0.075)
3.30 / 3.71
(0.130 / 0.146)
6.705 / 7.290
(0.264 / 0.287)
1.499 / 1.981
(0.059 / 0.078)
6.10
(0.24)
3.20
(0.126)
销1
0.610 / 0.787
(0.024 / 0.031)
6.30 / 6.71
(0.248 / 0.264)
0.020 / 0.102
(0.0008 / 0.004)
0.864 / 1.067
(0.034 / 0.042)
2.286
(0.090)
1.549 / 1.803
(0.061 / 0.071)
4.597
(0.181)
尺寸
毫米MIN / MAX毫米
(英寸MIN /英寸MAX)
0.914 MIN
( 0.036 MIN )
1.90
(0.075)
2.286
(0.090)
0.90
(0.035)
CPC5602C带&卷轴
177.8迪亚
( 7.00 DIA)
顶盖
胶带厚度
0.102 MAX
( 0.004最大值)
5.50 ± 0.05
(0.217 ± 0.002)
2.00 ± 0.05
(0.079 ± 0.002)
4.00 ± 0.1
(0.157 ± 0.004)
1.75 ± 0.1
(0.069 ± 0.004)
W=12.08 ± 0.2
(0.476 ± 0.008)
B
0
=7.42 ± 0.1
(0.292 ± 0.004)
K
0
=1.88 ± 0.1
(0.074 ± 0.004)
压花
支架
A
0
=6.83 ± 0.1
(0.269 ± 0.004)
P=8.03 ± 0.1
(0.316 ± 0.004)
尺寸
mm
(英寸)
浮雕
有关更多信息,请访问我们的网站: www.clare.com
克莱尔,公司不作任何陈述或保证,对于本出版物内容的准确性或完整性,同时保留随时更改规格的权利,
产品说明,恕不另行通知。无论其专利许可,也没有赔偿是明示或暗示的保证。除克莱尔的标准条款和条件规定,
克莱尔,公司不承担任何责任,并免除任何明示或暗示的担保,其产品包括但不限于适销性的默示担保,健身
特定目的,或不侵犯任何知识产权。
本文档中描述的产品不是设计,意,授权或担保,用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命的,或者在克莱尔的产品发生故障,可能会导致直接的物理伤害,伤害或死亡的人,或严重的财产或环境损害。克莱尔,
公司保留终止或更改其产品在任何时候,恕不另行通知。
规格型号: DS - CPC5602 - R07
版权所有2012年,克莱尔公司
版权所有。美国印刷。
3/9/2012
5
CPC5602C
N沟道耗尽型场效应管
特点
低导通电阻10欧姆
高输入阻抗
低输入和输出泄漏
小尺寸封装SOT- 223
PC卡( PCMCIA )兼容
印刷电路板空间和成本节约
应用
对于LITELINK支持组件
TM
数据存取装置( DAA )
常通开关
电信
恒流源
描述
该CPC5602C是一个“N ”通道耗尽型场
效应晶体管(FET) ,其利用克莱尔的专有
第三代垂直DMOS工艺。第三
生成过程实现了世界一流的,高电压
在一个经济的硅栅极MOSFET的性能
流程。垂直DMOS工艺产生的高
特别是在困难的应用程序可靠的设备
环境,如电信。
一个用于CPC5602C的主要应用的是如
线性调节器/叉簧开关的LITELINK
TM
数据
访问安排( DAA )设备( CPC5610A ,
CPC5611A , CPC5604A ) 。
该CPC5602C具有导通电阻8Ω ,一个典型
击穿电压超过350V ,并且可以在
一个SOT- 223封装。如同所有的MOS器件中,FET
结构防止热失控,热诱导的
二次击穿。
绝对最大额定值
参数
V
DSS
电压
总包耗散
工作温度
储存温度
焊接温度
-40
-40
最大
350
2.5
+85
+125
+220
单位
V
W
O
O
O
订购信息
描述
N沟道耗尽型场效应管,
SOT- 223封装
CPC5602CTR N沟道耗尽模式, SOT-
223套餐
FET -磁带和卷轴
( 1000单位分)
产品编号
CPC5602C
C
C
C
绝对最大额定值的压力额定值。在讲
这些过剩的收视率可能会导致永久性的损坏
该设备。该装置的这些功能操作或
超出的操作指示的任何其他条件
本数据手册的tional节是不是暗示。曝光
该设备为一个EX-绝对最大额定值
往往期限可能会降低设备和影响其可靠性
的能力。
DS- CPC5602C -REV 。 1
www.clare.com
1
CPC5602C
电气特性
( @ 0至85
o
C除非另有说明)
参数
击穿电压
栅 - 源电压OFF
漏电流1
漏电流2
连续漏电流1
连续漏电流2
抗性
栅极漏电流
栅极电容
热阻
符号
V
( BR ) DSS
V
GS1
I
D1
I
D2
I
DC1
I
DC2
R
DS
I
GSS
C
国际空间站
O
JC
350
-3.6
-
130
125
60
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
8
-
-
-
最大
--
-2
5
-
-
-
10
.1
300
14
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
A
pF
o
C / W
条件
V
GS
= -5V ,我
D
<100A
I
D
=为2uA , 10V<V
DS
<100V
V
GS
= -2.7V , 5V<V
DS
<50V
V
GS
= -0.57V , 5V<V
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<10V
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D
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