CPC2330N
I
NTEGRATED
C
IRCUITS
D
暂无报价
参数
阻断电压
负载电流
导通电阻(最大)
LED电流操作
等级
350
120
30
2
单位
V
P
mA
RMS
/ MA
DC
mA
双路单刀
8引脚SOIC OptoMOS
接力
描述
该CPC2330N是具有两个一微型器件
独立的固态继电器,一个常开
( 1 - A型),另一个常闭( 1表格-B ) ,
采用8引脚SOIC封装1500V
RMS
输入到
输出隔离。
光耦合输出,其中使用艾赛斯
集成电路事业部的专利OptoMOS
体系结构,是由高效率的控制
GaAIAs红外LED 。
使用的IXYS集成电路事业部的状态
艺术,双成型立式结构的包装,
该CPC2330N是理想的替代较大less-
可靠的芦苇和机电式继电器。
特点
1500V
RMS
输入/输出隔离
小型8引脚SOIC封装
TTL / CMOS兼容输入
电弧免费电路与没有冷落
没有EMI / RFI代
不受辐射电磁场
SMD接&广场,波焊
磁带&卷轴版本可用
应用
电信
安全
被动红外探测器( PIR )
数据信令
传感器电路
仪器仪表
多路复用器
数据采集
电子开关
I / O子系统
医疗设备,病人/设备隔离
航天
工业控制
认证
UL认证组件:文件E76270
EN / IEC 60950-1认证的组件:
TUV证书B 09 07 49410 004
订购信息
产品编号
CPC2330N
CPC2330NTR
描述
8引脚SOIC ( 50 /管)
8引脚SOIC ( 2000 /卷)
开关特性
常开装置
A型
开关特性
常闭设备
表-B
I
F
引脚配置
1
+控制
2
- 控制
3
+控制
4
- 控制
5
负载
6
负载
A型 - 常开
7
8
负载
表-B - 常闭
负载
I
F
90%
I
负载
10%
10%
t
关闭
90%
I
负载
t
on
t
关闭
t
on
Pb
DS-CPC2330N-R03
e
3
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1
I
NTEGRATED
C
IRCUITS
D
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FORM -A & FORM -B性能数据*
25
20
15
10
5
0
1.250
1.255 1.260 1.265 1.270
LED的正向电压( V)
1.275
CPC2330N
典型的LED正向电压降
(N = 50 ,我
F
= 5毫安,T
A
=25C)
设备数量(N )
典型的LED正向电压降
与温度的关系
1.6
LED的正向电压( V)
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
-40
I
F
=10mA
I
F
=5mA
I
F
=2mA
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
最大负载电流
与温度的关系
140
负载电流(mA )
负载电流(A )
0.9
0.8
能耗等级曲线
(T
A
=25C)
I
F
=50mA
I
F
=20mA
120
100
80
60
40
-40
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
10秒100秒10毫秒1毫秒100毫秒
时间
1s
10s
100s
FORM -A性能数据*
45
40
设备数量(N )
35
30
25
20
15
10
5
0
0.17
0.18
0.19
0.20
0.21
LED正向电流(mA )
0.22
典型的我
F
对于开关操作
(N = 50 ,我
L
= 120毫安,T
A
=25C)
20
典型导通时间
(N = 50 ,我
F
= 5毫安,我
L
= 60毫安,T
A
=25C)
25
20
15
10
5
0
典型关断时间
(N = 50 ,我
F
= 5毫安,我
L
= 60毫安,T
A
=25C)
设备数量(N )
10
5
0
0.75
0.80
0.85 0.90 0.95 1.00
导通时间(ms)
1.05
设备数量(N )
15
0.311 0.318 0.325 0.332 0.339 0.346 0.353
关断时间(毫秒)
25
20
15
10
5
0
典型导通电阻分布
(N = 50 ,我
F
= 2毫安,我
L
= 120毫安,T
A
=25C)
25
20
15
10
5
0
典型的阻断电压分布
(N = 50 ,我
F
= 0毫安,T
A
=25C)
设备数量(N )
设备数量(N )
18.75 19.00 19.25 19.50 19.75 20.00 20.25
导通电阻( )
416
419
422
425
428
阻断电压(V
P
)
431
*上面的图表显示的性能数据是典型的器件性能。为了保证参数的特定书写科幻阳离子未注明者,请
联系我们的应用部门。
R03
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3
I
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C
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D
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FORM -A性能数据(续) *
典型的我
F
对于开关操作
(I
L
=60mA)
CPC2330N
0.24
0.22
7
6
导通时间(ms)
5
4
3
2
1
典型导通时间
与LED正向电流
(I
L
= 60毫安,T
A
=25C)
关断时间(毫秒)
0.40
0.38
0.36
0.34
0.32
0.30
0.28
典型关断时间
与LED正向电流
(I
L
= 60毫安,T
A
=25C)
LED电流(mA )
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
-40
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
0
0
10
20
30
LED电流(mA )
40
50
0
10
20
30
LED电流(mA )
40
50
32
30
导通电阻( )
典型导通电阻
与温度的关系
(I
F
= 20mA时,我
L
=60mA)
导通时间(ms)
28
26
24
22
20
18
-40
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-40
典型导通时间
与温度的关系
(I
L
=60mA)
1.0
关断时间(毫秒)
0.8
0.6
典型关断时间
与温度的关系
(I
L
=60mA)
I
F
=2mA
I
F
=5mA
0.4
I
F
=2mA
0.2
0
I
F
=5mA
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
-40
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
0.15
0.10
负载电流(A )
0.05
0.00
-0.05
-0.10
-0.15
-3
-2
典型负载电流
与负载电压
(I
F
= 0毫安,T
A
=25C)
阻断电压(V
P
)
460
450
440
430
420
410
400
390
-40
典型的阻断电压
与温度的关系
(I
F
=0mA)
漏电流( A)
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
-40
漏电流与温度的关系
测得的引脚5 & 6
(I
F
= 0毫安,V
L
=350V)
-1
0
1
负载电压(V)的
2
3
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
50
输出电容(pF )
40
30
20
10
0
0.1
输出电容
与负载电压
(I
F
= 0毫安, F = 1MHz的,T
A
=25C)
1
10
100
负载电压(V)的
1000
*上面的图表显示的性能数据是典型的器件性能。为了保证参数的特定书写科幻阳离子未注明者,请
联系我们的应用部门。
4
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R03
I
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C
IRCUITS
D
暂无报价
FORM -B性能数据*
典型的我
F
对于开关操作
(N = 50 ,我
L
= 120毫安,T
A
=25C)
CPC2330N
25
20
15
10
5
0
25
20
15
10
5
0
典型导通时间
(N = 50 ,我
F
= 5毫安,我
L
= 60毫安,T
A
=25C)
30
25
设备数量(N )
20
15
10
5
0
典型关断时间
(N = 50 ,我
F
= 5毫安,我
L
= 60毫安,T
A
=25C)
设备数量(N )
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
LED电流(mA )
0.22
设备数量(N )
0.24
0.26
0.28 0.30 0.32 0.34
导通时间(ms)
0.36
0.20
0.23
0.26 0.29 0.32 0.35
关断时间(毫秒)
0.38
20
典型导通电阻分布
(N = 50 ,我
F
= 0毫安,我
L
= 120毫安,T
A
=25C)
25
20
15
10
5
0
典型的阻断电压分布
(N = 50 ,我
F
= 2毫安,T
A
=25C)
设备数量(N )
10
5
0
23.75 24.50 25.25 26.00 26.75 27.50 28.25
导通电阻( )
设备数量(N )
15
400
410 420 430 440 450
阻断电压(V
P
)
460 470
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
-40
LED电流(mA )
典型的我
F
对于开关操作
(I
L
=60mA)
0.318
0.316
导通时间(ms)
0.314
0.312
0.310
0.308
0.306
典型导通时间
与LED正向电流
(T
A
=25C)
关断时间(毫秒)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
典型关断时间
与LED正向电流
(T
A
=25C)
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
0
10
20
30
LED电流(mA )
40
50
0
10
20
30
LED电流(mA )
40
50
45
导通电阻( )
40
35
30
25
20
-40
典型导通电阻
与温度的关系
(I
F
= 0毫安,我
L
=60mA)
导通时间(ms)
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
典型导通时间
与温度的关系
(I
L
=60mA)
关断时间(毫秒)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
典型关断时间
与温度的关系
(I
L
=60mA)
I
F
=2mA
I
F
=5mA
I
F
=2mA
I
F
=5mA
0
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
0.10
-40
-40
-20
0
20
40
60
温度(℃ )
80
100
*上面的图表显示的性能数据是典型的器件性能。为了保证参数的特定书写科幻阳离子未注明者,请
联系我们的应用部门。
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