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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第899页 > CP82C82
82C82
1997年3月
CMOS八进制锁存总线驱动程序
描述
Intersil的82C82是一种高性能的CMOS八路
使用自对准硅锁存缓冲器制
栅CMOS工艺（缩放佐治四）。在82C82提供
一个8位的并行闩锁/缓冲在一个20管脚封装。该
高电平选通（ STB ）输入允许的透明传输
在此显的负跳变数据和锁存器的数据
宇空。该低电平有效输出使能（ OE ）允许简单的接口
面对国家的最先进的微处理器系统。
特点
全八位并行锁存缓冲器
双极型8282兼容
三态同相输出
传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为35ns最大。
选通输入：
- 减少操作电源
- 无需上拉电阻器
单5V电源
低功耗操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ICCSB = 10μA
工作温度范围
- C82C82 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0
o
C至+70
o
C
- I82C82 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
- M82C82 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
订购信息
产品型号
CP82C82
IP82C82
CS82C82
IS82C82
CD82C82
ID82C82
MD82C82/B
8406701RA
MR82C82/B
84067012A
TEMP 。 RANGE
0
o
C至+70
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
SMD ＃
-55
o
C至+ 125
o
C 20的垫CLCC
SMD ＃
J20.A
20 Ld的CERDIP F20.3
20 Ld的PLCC
N20.35
包
20 Ld的PDIP
PKG 。号
E20.3
引脚配置
82C82 （ PDIP ， CERDIP ）
顶视图
82C82 （ PLCC ， CLCC ）
顶视图
DI
2
DI
1
DI
0
DO
0
V
CC
机顶盒
X
H
H
DI
3
4
DI
4
5
DI
5
6
DI
6
7
DI
7
8
18做
1
17 DO
2
16 DO
3
15 DO
4
14 DO
5
H
L
X
↓
真值表
OE
H
L
L
L
DI
X
L
H
X
DO
高阻
L
H
3
DI
0
DI
1
DI
2
DI
3
DI
4
DI
5
DI
6
DI
7
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 DO
0
18做
1
17 DO
2
16 DO
3
15 DO
4
14 DO
5
13 DO
6
12 DO
7
11机顶盒
2
1
20
19
=逻辑一
=逻辑零
= DO NOT CARE
=锁存到最后的值
数据
HI- Z =高阻抗
↓
=负片。过渡
引脚名称
9
OE
10
GND
11
机顶盒
12
DO
7
13
DO
6
GND 10
针
DI
0
- 二
7
DO
0
-DO
7
机顶盒
OE
描述
数据输入引脚
数据输出引脚
活跃的高频闪
低电平有效输出
启用
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2975.1
4-274
82C82
工作原理图
DI
O
Q
CLK
DO
0
DI
1
DI
2
DI
3
DI
4
DI
5
DI
6
DI
7
DO
1
DO
2
DO
3
DO
4
DO
5
DO
6
DO
7
机顶盒
OE
选通输入
中的锁存器的正常的系统操作时，总线上的信号
在设备投入将成为高阻抗或使
跃迁无关的锁存器的操作。这些unre-
迟来的输入转换开关的输入电路，通常
导致的增加的功耗CMOS器件
创建V之间的低电阻通路
CC
和GND时，
该信号是在或接近输入切换阈值。加成
同盟，如果驱动信号变为高阻抗（ “佛罗里达州燕麦” CON-
DITION ） ，它可以在输入端产生一个不确定的逻辑状态
而导致器件操作的干扰。
Intersil的82C8X系列公交车司机则消除了这些CON-
ditions通过关闭数据输入时，数据被锁存（STB =
逻辑0为82C82 / 83H ），当设备被禁用
（ OE =
逻辑之一82C86H / 87H ） 。这些选通输入显示
从V连接的输入电路
CC
和地面电源
电源引脚通过关闭上部的P沟道和低的N-
信道（参见图1，图2）。没有新的电流溢流从V
CC
to
在输入端的电压和无效的逻辑状态发生GND
从浮动的投入不被发送。在下一个阶段被保持
到一个有效的逻辑电平的内部的设备。
直流输入电压水平，也可以导致增加的IC卡是否
这些输入电平接近最小V
IH
或最大
V
IL
条件。这是由于在输入的操作税务局局长
cuitry在其线性工作区域（部分导电
状态） 。该82C8X系列选通输入意味着这一条件
化将在时间的装置处于反式仅发生
父模式（STB =逻辑1 ） 。 ICC仍然是MAX-以下
imum ICC待机l0mA的特定连接的阳离子期间的时间
输入被禁止，因此，大大降低了平均
在82C8X系列器件的功耗
典型的82C82系统实例
在一个典型的80C86 / 88系统中， 82C82用来锁存
复用的地址，并且STB输入由ALE驱动
（地址锁存使能） （见图3） 。高脉冲宽度
ALE的大约100纳秒用的总线周期时间
了800ns （ 80C86 / 88在5MHz ） 。在82C82输入有效
只有12.5％的总线周期时间。平均功耗
关联到输入过渡与该因子也降低了。
V
CC
V
CC
P
P
OE
机顶盒
DATA IN
N
N
N
N
N
P
国内
数据
DATA IN
V
CC
N
P
P
国内
数据
V
CC
P
图16. 82C82 / 83H
图17. 82C86H / 87H选通输入
4-275
82C82
应用信息
去耦电容
进行充电和放电所需要的瞬态电流
在82C82数据表300pF负载电容特定网络版是
由下式确定：
I
=
C
L
（ dv / dt的）
（当量1）
其中， TR = 20ns的，V
CC
= 5.0V ，C
L
= 300pF每个八
输出。
I =
(
8 x 300 x 10
-12
)x
（ 5.0V ×0.8 ） /
(
20 x 10
–
9
)
= 480毫安
（公式4），
假定所有的输出的同时改变状态，并
该dv / dt的是恒定的;
I
=
C
L
(
V
CC
x 80%
)
-----------------------------------
TR / TF
（当量2）
（当量3）
此电流尖峰可能会导致一个大的负电压尖峰
在V
CC
，这可能会导致设备的操作不当。
为了滤池出这种噪音，建议一个0.1μF
陶瓷盘去耦电容放置V之间
CC
和GND每台设备，与被安置在靠近
该装置成为可能。
V
CC
P
V
CC
P
ALE
复
公共汽车
ICC
机顶盒
地址
地址
DATA IN
N
N
P
国内
数据
N
选通输入图18.系统的影响
4-276
82C82
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.5V到V
CC
+0.5V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
θ
JC
o
C / W
陶瓷浸渍。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75
18
o
C / W
CLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85
o
C / W
22
o
C / W
PDIP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最小引脚温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
（只有PLCC导线头）
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
C82C82. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C至+70
o
C
I82C82 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
M82C82 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。盖茨65
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
直流电特定网络阳离子
V
CC
= 5.0V
±10%;
T
A
= 0
o
C至+70
o
C (C82C82);
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ I82C82 ） ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C（ M82C82 ）
最大
-
-
0.8
-
-
0.4
1.0
10.0
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
I
OH
= -8mA ， OE = GND
I
OH
= -100μA ， OE = GND
I
OL
= 8毫安， OE = GND
V
IN
= GND或V
CC
， DIP引脚1-9 ， 11
V
O
= GND或V
CC
， OE
≥
V
CC
-0.5V
DIP引脚12-19
V
IN
= V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V ，输出打开
T
A
= +25
o
C，V
CC
= 5V ，典型（见注2 ）
测试条件
C82C82 ， I82C82 （注1 ）
M82C82 （注1 ）
符号
V
IH
参数
合乎逻辑的输入电压
民
2.0
2.2
V
IL
V
OH
逻辑零输入电压
合乎逻辑的输出电压
-
2.9
V
CC
-0.4V
V
OL
II
IO
逻辑零的输出电压
输入漏电流
输出漏电流
-
-1.0
-10.0
ICCSB
备用电源电流
租金
工作电源
当前
-
10
ICCOP
-
1
毫安/ MHz的
注意事项：
1. V
IH
通过施加幅值的脉冲= V测
IH
分钟至1数据输入的时间，并检查相应的设备输出
一个有效的逻辑“1”时有效输入高电平时间。控制引脚（ STB ， OE ）与所有设备数据输入引脚在V分别测试
CC
-0.4.
2.典型ICCOP =机顶盒周期时间1毫安/ MHz的。 （实施例： 5MHz的
P,
ALE = 1.25MHz的， ICCOP = 1.25毫安） 。
电容
符号
C
IN
C
OUT
T
A
= +25
o
C
参数
输入电容
输出电容
典型
13
20
单位
pF
pF
测试条件
FREQ = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
4-277
82C82
AC电气特定网络阳离子
V
CC
= 5.0V
±10%;
T
A
= 0
o
C至+70
o
C (C82C82);
C
L
= 300pF （注1 ） ，频率= 1MHz的牛逼
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ I82C82 ） ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C（ M82C82 ）
民
-
-
-
-
0
25
25
-
最大
35
55
35
50
-
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
测试条件
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
符号
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
TIVOV
TSHOV
TEHOZ
TELOV
TIVSL
TSLIX
tSHSL
TR ， TF
参数
传播延迟的输入到输出
传输延迟STB到输出
输出禁止时间
输出使能时间
输入STB建立时间
输入STB保持时间
STB高电平时间
输入上升/下降时间
注意事项：
1.输出负载电容的额定功率为300pF陶瓷和塑料封装。
2.所有AC参数测试，按测试电路和定义如下。输入上升和下降时间驱动为1ns / V 。
3.输入测试信号必须V之间切换
IL
- 0.4V和V
IH
+0.4V.
时序波形
TR ， TF （ 8 ）
输入
2.0V
0.8V
TIVSL （5）
机顶盒
TSHSL （7）
OE
TIVOV
(1)
输出
TSHOV （2）
TSLIX
(6)
TEHOZ （3）
VOH -0.1V
VOL + 0.1V
TELOV （4）
2.4V
0.8V
测试负载电路
1.7V
0.6V
3.3V
150
产量
TEST
点
300
产量
TEST
点
300
产量
TEST
点
300pF
（注）
50pF
（注）
50pF
（注）
TIVOV ， TSHOV ， TELOV
TEHOZ输出高电平禁用
TEHOZ输出低电平禁用
注：包括杂散和夹具电容。
4-278
TM
82C82
CMOS八进制锁存总线驱动程序
描述
Intersil的82C82是一种高性能的CMOS八路
使用自对准硅锁存缓冲器制
栅CMOS工艺（缩放佐治四）。在82C82提供
一个8位的并行闩锁/缓冲在一个20管脚封装。该
高电平选通（ STB ）输入允许的透明传输
在此显的负跳变数据和锁存器的数据
宇空。该低电平有效输出使能（ OE ）允许简单的接口
面对国家的最先进的微处理器系统。
1997年3月
特点
全八位并行锁存缓冲器
双极型8282兼容
三态同相输出
传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为35ns最大。
选通输入：
- 减少操作电源
- 无需上拉电阻器
单5V电源
低功耗操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ICCSB = 10μA
工作温度范围
- C82C82 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C至+70
o
C
- I82C82 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
- M82C82 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
订购信息
产品型号
CP82C82
IP82C82
CS82C82
IS82C82
CD82C82
ID82C82
MD82C82/B
8406701RA
MR82C82/B
84067012A
TEMP 。 RANGE
0
o
C至+70
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
SMD ＃
-55
o
C至+ 125
o
C 20的垫CLCC
SMD ＃
J20.A
20 Ld的PLCC
N20.35
包
20 Ld的PDIP
PKG 。号
E20.3
20 Ld的CERDIP F20.3
引脚配置
82C82 （ PDIP ， CERDIP ）
顶视图
82C82 （ PLCC ， CLCC ）
顶视图
DO
0
DI
2
DI
1
DI
0
V
CC
机顶盒
X
H
H
DI
3
4
DI
4
5
DI
5
6
DI
6
7
DI
7
8
18做
1
17 DO
2
16 DO
3
15 DO
4
14 DO
5
H
L
X
↓
真值表
OE
H
L
L
L
DI
X
L
H
X
DO
高阻
L
H
3
DI
0
DI
1
DI
2
DI
3
DI
4
DI
5
DI
6
DI
7
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 DO
0
18做
1
17 DO
2
16 DO
3
15 DO
4
14 DO
5
13 DO
6
12 DO
7
11机顶盒
2
1
20
19
=逻辑一
=逻辑零
= DO NOT CARE
=锁存到最后的值
数据
HI- Z =高阻抗
↓
=负片。过渡
引脚名称
9
OE
10
GND
11
机顶盒
12
DO
7
13
DO
6
GND 10
针
DI
0
- 二
7
DO
0
-DO
7
机顶盒
OE
描述
数据输入引脚
数据输出引脚
活跃的高频闪
低电平有效输出
启用
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
FN2975.1
274
82C82
工作原理图
DI
O
Q
CLK
DO
0
DI
1
DI
2
DI
3
DI
4
DI
5
DI
6
DI
7
DO
1
DO
2
DO
3
DO
4
DO
5
DO
6
DO
7
机顶盒
OE
选通输入
中的锁存器的正常的系统操作时，总线上的信号
在设备投入将成为高阻抗或使
跃迁无关的锁存器的操作。这些unre-
迟来的输入转换开关的输入电路，通常
导致的增加的功耗CMOS器件
创建V之间的低电阻通路
CC
和GND时，
该信号是在或接近输入切换阈值。加成
同盟，如果驱动信号变为高阻抗（ “佛罗里达州燕麦” CON-
DITION ） ，它可以在输入端产生一个不确定的逻辑状态
而导致器件操作的干扰。
Intersil的82C8X系列公交车司机则消除了这些CON-
ditions通过关闭数据输入时，数据被锁存（STB =
逻辑0为82C82 / 83H ），当设备被禁用
（ OE =
逻辑之一82C86H / 87H ） 。这些选通输入显示
从V连接的输入电路
CC
和地面电源
电源引脚通过关闭上部的P沟道和低的N-
信道（参见图1，图2）。没有新的电流溢流从V
CC
to
在输入端的电压和无效的逻辑状态发生GND
从浮动的投入不被发送。在下一个阶段被保持
到一个有效的逻辑电平的内部的设备。
直流输入电压水平，也可以导致增加的IC卡是否
这些输入电平接近最小V
IH
或最大
V
IL
条件。这是由于在输入的操作税务局局长
cuitry在其线性工作区域（部分导电
状态） 。该82C8X系列选通输入意味着这一条件
化将在时间的装置处于反式仅发生
父模式（STB =逻辑1 ） 。 ICC仍然是MAX-以下
imum ICC待机l0mA的特定连接的阳离子期间的时间
输入被禁止，因此，大大降低了平均
在82C8X系列器件的功耗
典型的82C82系统实例
在一个典型的80C86 / 88系统中， 82C82用来锁存
复用的地址，并且STB输入由ALE驱动
（地址锁存使能） （见图3） 。高脉冲宽度
ALE的大约100纳秒用的总线周期时间
了800ns （ 80C86 / 88在5MHz ） 。在82C82输入有效
只有12.5％的总线周期时间。平均功耗
V
CC
V
CC
P
P
OE
机顶盒
DATA IN
N
N
N
N
N
P
国内
数据
DATA IN
V
CC
N
P
P
国内
数据
V
CC
P
图16. 82C82 / 83H
图17. 82C86H / 87H选通输入
275
82C82
应用信息
去耦电容
进行充电和放电所需要的瞬态电流
在82C82数据表300pF负载电容特定网络版是
由下式确定：
I
=
C
L
（ dv / dt的）
（当量1）
该dv / dt的是恒定的;
I
=
C
L
(
V
C C
x 80%
)
----------------------------------
-
TR / TF
（当量2）
（当量3）
假定所有的输出的同时改变状态，并
其中， TR = 20ns的，V
CC
= 5.0V ，C
L
= 300pF每个八
输出。
I =
(
8 x 300 x 10
-12
)x
（ 5.0V ×0.8 ） /
(
20 x 10
V
CC
P
–
9
)
= 480毫安
V
CC
（公式4），
P
ALE
复
公共汽车
ICC
机顶盒
地址
地址
DATA IN
N
N
P
国内
数据
N
选通输入图18.系统的影响
绝对最大额定值
热信息
276
82C82
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.5V到V
CC
+0.5V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热电阻（典型值）
θ
JA
75
o
C / W
85
o
C / W
θ
JC
陶瓷浸渍。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
18
o
C / W
CLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
22
o
C / W
PDIP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最小引脚温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
（只有PLCC导线头）
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
C82C82. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0
o
C至+70
o
C
I82C82 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
M82C82 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。盖茨65
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
DC电气规格
V
CC
= 5.0V
±10%;
T
A
= 0
o
C至+70
o
C (C82C82);
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ I82C82 ） ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C（ M82C82 ）
最大
-
-
0.8
-
-
0.4
1.0
10.0
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
I
OH
= -8mA ， OE = GND
I
OH
= -100μA ， OE = GND
I
OL
= 8毫安， OE = GND
V
IN
= GND或V
CC
， DIP引脚1-9 ， 11
V
O
= GND或V
CC
， OE
≥
V
CC
-0.5V
DIP引脚12-19
V
IN
= V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V ，输出打开
T
A
= +25
o
C，V
CC
= 5V ，典型（见注2 ）
测试条件
C82C82 ， I82C82 （注1 ）
M82C82 （注1 ）
符号
V
IH
参数
合乎逻辑的输入电压
民
2.0
2.2
V
IL
V
OH
逻辑零输入电压
合乎逻辑的输出电压
-
2.9
V
CC
-0.4V
V
OL
II
IO
逻辑零的输出电压
输入漏电流
输出漏电流
-
-1.0
-10.0
ICCSB
备用电源电流
租金
工作电源
当前
-
10
ICCOP
-
1
毫安/ MHz的
注意事项：
1. V
IH
通过施加幅值的脉冲= V测
IH
分钟至1数据输入的时间，并检查相应的设备输出
一个有效的逻辑“1”时有效输入高电平时间。控制引脚（ STB ， OE ）与所有设备数据输入引脚在V分别测试
CC
-0.4.
2.典型ICCOP =机顶盒周期时间1毫安/ MHz的。 （实施例： 5MHz的
P,
ALE = 1.25MHz的， ICCOP = 1.25毫安） 。
电容
符号
C
IN
C
OUT
T
A
= +25
o
C
参数
输入电容
输出电容
典型
13
20
单位
pF
pF
测试条件
FREQ = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
277
82C82
AC电气规格
V
CC
= 5.0V
±10%;
T
A
= 0
o
C至+70
o
C (C82C82);
C
L
= 300pF （注1 ） ，频率= 1MHz的牛逼
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ I82C82 ） ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C（ M82C82 ）
民
-
-
-
-
0
25
25
-
最大
35
55
35
50
-
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
测试条件
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
注2 ， 3
符号
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
TIVOV
TSHOV
TEHOZ
TELOV
TIVSL
TSLIX
tSHSL
TR ， TF
参数
传播延迟的输入到输出
传输延迟STB到输出
输出禁止时间
输出使能时间
输入STB建立时间
输入STB保持时间
STB高电平时间
输入上升/下降时间
注意事项：
1.输出负载电容的额定功率为300pF陶瓷和塑料封装。
2.所有AC参数测试，按测试电路和定义如下。输入上升和下降时间驱动为1ns / V 。
3.输入测试信号必须V之间切换
IL
- 0.4V和V
IH
+0.4V.
时序波形
TR ， TF （ 8 ）
输入
2.0V
0.8V
TIVSL （5）
机顶盒
TSHSL （7）
OE
TIVOV
(1)
输出
TSHOV （2）
TSLIX
(6)
TEHOZ （3）
VOH -0.1V
VOL + 0.1V
TELOV （4）
2.4V
0.8V
测试负载电路
1.7V
0.6V
3.3V
150
产量
TEST
点
300
产量
TEST
点
300
产量
TEST
点
300pF
（注）
50pF
（注）
50pF
（注）
TIVOV ， TSHOV ， TELOV
TEHOZ输出高电平禁用
TEHOZ输出低电平禁用
注：包括杂散和夹具电容。
278
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