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过程
功率晶体管
CP712
中央
TM
PNP - 放大器/开关晶体管芯片
半导体公司
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
BASE焊盘区
发射极焊盘区
顶面金属化
背面金属化
几何
PER 4英寸晶圆DIE总值
1,960
主体装置类型
CZT7120
外延平面
75 ×75 MILS
9.0 MILS
17× 12密尔
31 ×12 MILS
艾尔 - 30,000
钛/镍/银 - 11,300
BACKSIDE集热器
145亚当斯大街
Hauppauge的,纽约州11788美国
联系电话: ( 631 ) 435-1110
传真: ( 631 ) 435-1824
www.centralsemi.com
R1 (2002年1月)
中央
TM
过程
CP712
半导体公司
典型电气特性
典型的电气特性数据
该芯片目前正在修订。
对于此片过程中的最新更新的数据,
请访问我们的网站:
www.centralsemi.com/chip
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R1 (2002年1月)
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CP712
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