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> CP712
过程
功率晶体管
CP712
中央
TM
PNP - 放大器/开关晶体管芯片
半导体公司
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
BASE焊盘区
发射极焊盘区
顶面金属化
背面金属化
几何
PER 4英寸晶圆DIE总值
1,960
主体装置类型
CZT7120
外延平面
75 ×75 MILS
9.0 MILS
17× 12密尔
31 ×12 MILS
艾尔 - 30,000
钛/镍/银 - 11,300
BACKSIDE集热器
145亚当斯大街
Hauppauge的,纽约州11788美国
联系电话: ( 631 ) 435-1110
传真: ( 631 ) 435-1824
www.centralsemi.com
R1 (2002年1月)
中央
TM
过程
CP712
半导体公司
典型电气特性
典型的电气特性数据
该芯片目前正在修订。
对于此片过程中的最新更新的数据,
请访问我们的网站:
www.centralsemi.com/chip
145亚当斯大街
Hauppauge的,纽约州11788美国
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R1 (2002年1月)
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CP712
PDF信息
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CCF55309RFKE36
CCF-55309RFKE36
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C202C102M1R5CA
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CP10843.3-A
CML5C5CT7R
CD74HC4510E
CB1HMU231560200
CP11173.3-B
CCF551M43FKE36
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ:
QQ:2880707522
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QQ:2369405325
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
CP712
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
QQ:
QQ:2881677436
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QQ:2881620402
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
CP712
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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