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> CP645
过程
CP645
功率晶体管
PNP , 8.0A功率三极管芯片
中央
TM
半导体公司
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
BASE焊盘区
发射极焊盘区
顶面金属化
背面金属化
MULTIEPITAXIAL MESA
120× 145 MILS
13密耳
20× 45 MILS
14× 70 MILS
艾尔 - 50,000A
铬/镍/银 - 10,000A
几何
PER 4英寸晶圆DIE总值
640
主体装置类型
MJE15031
145亚当斯大街
Hauppauge的,纽约州11788美国
联系电话: ( 631 ) 435-1110
传真: ( 631 ) 435-1824
www.centralsemi.com
R0 ( 2005年4月4-)
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CP645
PDF信息
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供货商
型号
厂家
批号
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单价/备注
操作
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联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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