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过程

CP329V

小信号晶体管

NPN-硅达林顿晶体管芯片

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

15,980

主体装置类型

CMPTA29

CZTA29

MPSA29

外延平面

27 ×27 MILS

7.1 MILS

4.2 X 4.2 MILS

4.3× 4.3 MILS

Al

Au

- 30,000

- 13,000

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110

传真：（ 631 ） 435-1824

www.centralsemi.com

R0 （ 20 -January 2006）

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