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过程

CP318V

小信号晶体管

NPN - 高电压晶体管芯片

中央

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

每5英寸晶圆DIE总值

25,536

主体装置类型

MPS455

外延平面

26 ×26 MILS

MILS 7.1 ±0.6 MILS

5.5× 5.5 MILS

铝硅 - 17,000

金 - 12,000

BACKSIDE集热器

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110

传真：（ 631 ） 435-1824

www.centralsemi.com

R1 （ 28月-3月2005）

中央

过程

CP318V

半导体公司

典型电气特性

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

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R1 （ 28月-3月2005）

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