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过程

小信号晶体管

NPN - 高电压晶体管芯片

CP310

中央

TM

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

16,880

主体装置类型

2N3439

2N3440

CMPTA42

CMPTA44

CMPT6517

CXTA44

CZTA42

CZTA44

MPSA42

MPSA44

外延平面

26 ×26 MILS

9.0 MILS

6.1 X 4.9 MILS

5.2× 5.2 MILS

艾尔 - 30,000

金 - 18,000

BACKSIDE集热器

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R2 （2002年1月）

中央

TM

过程

CP310

半导体公司

典型电气特性

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R2 （2002年1月）

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